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公開番号2025056983
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023166562
出願日2023-09-27
発明の名称電子デバイス用封止フィルム
出願人株式会社サンエー化研
代理人個人,個人
主分類B32B 27/00 20060101AFI20250401BHJP(積層体)
要約【課題】本発明は、基材の一方の面に無機材料によるガスバリア層を積層し、前記ガスバリア層に接するように粘着層が積層された電子デバイス用封止フィルムにおいて、封止フィルムが加熱雰囲気下におかれても、前記ガスバリア層に対する前記粘着層の接着力が著しく低下しない封止フィルムを提供することを課題とする。
【解決手段】基材の一方の面に無機材料からなるガスバリア層を積層し、前記ガスバリア層に接して粘着層を積層した電子デバイス用封止フィルムであって、前記粘着層に、イソブチレン系重合体、金属キレート化合物、及びシランカップリング剤を含む粘着層とする。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
基材の一方の面に無機材料からなるガスバリア層を積層し、前記ガスバリア層に接して粘着層を積層した電子デバイス用封止フィルムであって、
前記粘着層が、イソブチレン系重合体、金属キレート化合物、及びシランカップリング剤を含む電子デバイス用封止フィルム。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記粘着層が、無機フィラーを含まない粘着層である請求項１に記載の電子デバイス用封止フィルム。
【請求項３】
前記粘着層の２３℃における貯蔵弾性率が、１．０×１０
４
～１．０×１０
７
Ｐａの範囲である請求項１又は２に記載の電子デバイス封止用フィルム。
【請求項４】
水蒸気透過率が、１５ｇ／ｍ
２
・１日以下である請求項１又は２に記載の電子デバイス用封止フィルム。
【請求項５】
前記粘着層の波長３７０ｎｍの紫外線透過率が、３％以下である請求項１又は２に記載の電子デバイス用封止フィルム。
【請求項６】
前記金属キレート化合物の含有量が、イソブチレン系重合体１００質量部に対して、０．１～５．０質量部の範囲である請求項１又は２に記載の電子デバイス用封止フィルム。
【請求項７】
前記金属キレート化合物の含有量が、イソブチレン系重合体１００質量部に対して、０．４～２．０質量部の範囲である請求項１又は２に記載の電子デバイス用封止フィルム。
【請求項８】
前記金属キレート化合物の含有量が、イソブチレン系重合体１００質量部に対して、０．５～１．０質量部の範囲である請求項１又は２に記載の電子デバイス用封止フィルム。
【請求項９】
前記シランカップリング剤の含有量が、イソブチレン系重合体１００質量部に対して、０．１～５．０質量部の範囲である請求項１又は２に記載の電子デバイス用封止フィルム。
【請求項１０】
前記シランカップリング剤の含有量が、イソブチレン系重合体１００質量部に対して、０．４～２．０質量部の範囲である請求項１又は２に記載の電子デバイス用封止フィルム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用封止フィルムに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
フレキシブル電子デバイスにおける電子素子等の封止等に好適な封止用組成物及び封止フィルムとして、下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含む、封止用組成物及び前記封止組成物を離型処理されたＰＥＴ上に塗布、乾燥して得られる封止フィルムが知られている（特許文献１参照）。
（Ａ）ポリオレフィン系樹脂及び／又はポリオレフィン系ゴム
（Ｂ）無機フィラー
（Ｃ）２つの配位原子がともに酸素原子である二座配位子及び配位原子が酸素原子である単座配位子が中心金属に結合した金属錯体
前記無機フィラーの表面処理剤としてシランカップリング剤が記載されている。
【０００３】
さらに、シクロオレフィンポリマーフィルム上に無機膜（ＳｉＯ
２
膜）を形成したバリアフィルムの無機膜面上に、バッチ式真空ラミネーターを用いて前記封止シートを貼り合わせて貼合フィルムを得、そして封止シートのシリコーン系離型処理剤で離型処理されたＰＥＴフィルムを剥離し、露出した組成物層上に、バッチ式真空ラミネーターを用いてポリイミドフィルムを貼り合わせて得られた積層フィルムＡが耐屈曲性に優れていることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開２０１９－１８９７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記積層フィルムＡを熱処理した場合に、前記無機膜に対する前記封止シートの接着力が著しく低下するという問題があった。
本発明は、基材の一方の面に無機材料によるガスバリア層を積層し、前記ガスバリア層に接するように粘着層が積層された電子デバイス用封止フィルムにおいて、封止フィルムが加熱雰囲気下におかれても、前記ガスバリア層に対する前記粘着層の接着力が著しく低下しない封止フィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、前記粘着層を、イソブチレン系重合体及び金属キレート化合物を含む構成とし、さらにシランカップリング剤を加えることにより、加熱雰囲気下であっても粘着力の低下を防ぐことができることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、基材の一方の面に無機材料からなるガスバリア層を積層し、前記ガスバリア層に接して粘着層を積層した電子デバイス用封止フィルムであって、前記粘着層が、イソブチレン系重合体、金属キレート化合物、及びシランカップリング剤を含む電子デバイス用封止フィルム（以下、「封止フィルム」ということがある。）に関する。
【０００８】
前記粘着層は、無機フィラーを含まない粘着層であるのが好ましい。
前記粘着層の２３℃における貯蔵弾性率が、１．０×１０
４
～１．０×１０
７
Ｐａの範囲であるのが好ましい。
【０００９】
前記電子デバイス用封止フィルムの水蒸気透過率が、１５ｇ／ｍ
２
・１日以下であるのが好ましい。
前記粘着層の波長３７０ｎｍの紫外線透過率が、３％以下であるのが好ましい。
【００１０】
前記金属キレート化合物の含有量が、イソブチレン系重合体１００質量部に対して、０．１～５．０質量部の範囲であるのが好ましく、０．４～２．０質量部の範囲であるのがより好ましく、０．５～１．０質量部の範囲であるのがさらに好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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