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公開番号2024170026
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-06
出願番号2023086941
出願日2023-05-26
発明の名称プリント配線板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人第一テクニカル国際特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20241129BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】高い信頼性を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第1面と前記第1面と反対側の第2面を有し、前記第1面と前記第2面の間に交互に積層されている複数の第3導体層と複数の第3樹脂絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1面上に形成されている第1ビルドアップ層と、前記コア基板の前記第2面上に形成されている第2ビルドアップ層、とを有する。前記第1ビルドアップ層は、再配線部を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面と前記第２面の間に交互に積層されている複数の第３導体層と複数の第３樹脂絶縁層を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成されている第１ビルドアップ層と、
前記コア基板の前記第２面上に形成されている第２ビルドアップ層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１ビルドアップ層は、再配線部を含む。
続きを表示（約 420 文字）【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、隣接する前記第３導体層は、前記隣接する前記第３導体層で挟まれる第３ビア導体で接続される。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記再配線部の第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は前記再配線部以外に形成されている導体層の第２配線密度（Ｌ／Ｓ）より高い。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、前記第２配線密度（Ｌ／Ｓ）は７／７～３０／３０であり、前記第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は１／１～５／５である。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板であって、前記第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は１．５／１．５～３．５／３．５である。
【請求項６】
請求項３のプリント配線板であって、前記第１配線密度は前記再配線部の最小のＬ／Ｓで代表され、前記第２配線密度は前記再配線部以外に形成されている導体層の最小のＬ／Ｓで代表され、る。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ベース配線基板とベース配線基板上に積層されている再配線部とからなる配線基板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－１５４８００号公報
【発明の概要】
【０００４】
特許文献１は、ベース配線基板の一方側にのみ再配線部を積層している。そのため、特許文献１の配線基板がヒートサイクルを受けると、反りが発生しやすいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面と前記第２面の間に交互に積層されている複数の第３導体層と複数の第３樹脂絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面上に形成されている第１ビルドアップ層と、前記コア基板の前記第２面上に形成されている第２ビルドアップ層、とを有する。前記第１ビルドアップ層は、再配線部を含む。
【０００６】
本発明の実施形態のプリント配線板では、コア基板が、複数の第３樹脂絶縁層と複数の第３導体層を有する。第３導体層と樹脂絶縁層は交互に積層される。コア基板は、多層基板で形成されている。そのため、コア基板は、強度が高い。実施形態のプリント配線板では、ヒートサイクルを受けるときの反りの発生が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜実施形態＞
図１は、実施形態のプリント配線板１０の断面図である。図１に示されるように、プリント配線板１０は、コア基板３０と、上側のビルドアップ層Ｂｕ１と、下側のビルドアップ層Ｂｕ２と、第１ソルダーレジスト層９０Ｆと、第２ソルダーレジスト層９０Ｓ、とを有する。コア基板３０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。上側のビルドアップ層Ｂｕ１はコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている。下側のビルドアップ層Ｂｕ２はコア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている。第１ソルダーレジスト層９０Ｆは上側のビルドアップ層Ｂｕ１上に形成されている。第２ソルダーレジスト層９０Ｓは下側のビルドアップ層Ｂｕ２上に形成されている。
【０００９】
上側のビルドアップ層Ｂｕ１は、ビルドアップ層５０Ｆとビルドアップ層６０Ｆとビルドアップ層７０Ｆで形成されている。ビルドアップ層５０Ｆはコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている。ビルドアップ層６０Ｆはビルドアップ層５０Ｆ上に形成されている。ビルドアップ層７０Ｆはビルドアップ層６０Ｆ上に形成されている。ビルドアップ層６０Ｆとビルドアップ層７０Ｆにより再配線部１００が形成されている。
【００１０】
コア基板３０は、多層基板である。第１面Ｆと第２面Ｓとの間に、複数の導体層（第３導体層）２０と複数の樹脂絶縁層（第３樹脂絶縁層）１２が交互に積層されている。図１の例では、樹脂絶縁層１２の数は５であり、導体層２０の数は５である。
（【００１１】以降は省略されています）

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