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公開番号2024174570
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-17
出願番号2023092463
出願日2023-06-05
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 3/46 20060101AFI20241210BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】ランドの側面とベタパターンの側面との間に発生する浮遊容量を小さくすることが求められている。
【解決手段】本開示の配線基板は、第1導電層と、前記第1導電層を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に形成される第2導電層と、前記絶縁層を貫通し、前記第1導電層と前記第2導電層を接続するビア導体と、を有する配線基板であって、前記第1導電層には、前記ビア導体と接続されるパッドと、前記パッドを内包する開口を有するベタパターンと、が設けられ、前記パッドの側面と前記絶縁層との間、または、前記ベタパターンの前記開口の内側面と前記絶縁層との間に、空隙が設けられている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１導電層と、
前記第１導電層を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される第２導電層と、
前記絶縁層を貫通し、前記第１導電層と前記第２導電層を接続するビア導体と、を有する配線基板であって、
前記第１導電層には、前記ビア導体と接続されるパッドと、前記パッドを内包する開口を有するベタパターンと、が設けられ、
前記パッドの側面と前記絶縁層との間、または、前記ベタパターンの前記開口の内側面と前記絶縁層との間に、空隙が設けられている。
続きを表示（約 440 文字）【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記パッドの側面と前記絶縁層との間、および、前記ベタパターンの前記開口の内側面と前記絶縁層との間に、空隙が設けられている。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記パッドの側面の粗度が、前記パッドの上面の粗度よりも小さい。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記空隙は、複数の箇所に点在している。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記空隙の最大幅は、０．０１～０．１μｍである。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記パッドの側面と前記ベタパターンの前記開口の内側面との間の距離は３００～７００μｍである。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記ベタパターンの前記開口の径が前記パッドの径の２～３倍である。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、導電層同士がビア導体により接続されている配線基板に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、この種の配線基板として、導電層同士を接続するビア導体のランドがベタパターンに囲まれているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－１１０９３号公報（図１等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来の配線基板においては、ランドの側面とベタパターンの側面との間に発生する浮遊容量を小さくすることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の配線基板は、第１導電層と、前記第１導電層を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に形成される第２導電層と、前記絶縁層を貫通し、前記第１導電層と前記第２導電層を接続するビア導体と、を有する配線基板であって、前記第１導電層には、前記ビア導体と接続されるパッドと、前記パッドを内包する開口を有するベタパターンと、が設けられ、前記パッドの側面と前記絶縁層との間、または、前記ベタパターンの前記開口の内側面と前記絶縁層との間に、空隙が設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示の一実施形態に係る配線基板の側断面図
ビアランド近傍の平断面図
ビアランド近傍の側断面図
配線基板の製造方法を示す側断面図
配線基板の製造方法を示す側断面図
配線基板の製造方法を示す側断面図
配線基板の製造方法を示す側断面図
配線基板の製造方法を示す側断面図
変形例に係る配線基板の側断面図
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図１～図８を参照して本開示の一実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態の配線基板１０は、コア基板１１と、その表裏の両面（第１面１１Ｆ、第２面１１Ｓ）に積層される第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂとを有する。
【０００８】
コア基板１１は、例えば、絶縁層１１Ｋと、その表裏の両面に積層される導電層１３とを備えている。絶縁層１１Ｋは、例えば、複数のプリプレグ（ガラスクロス等の繊維からなる心材を樹脂含侵してなるＢステージの樹脂シート）が積層された構造をなしている。また、絶縁層１１Ｋには、スルーホール導体１４が形成されている。
【０００９】
第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂは、絶縁層１５と導電層１６とが交互に積層されてなる。詳細には、それぞれ、コア基板１１側から順番に、第１絶縁層１５Ａ、第１導電層１６Ａ、第２絶縁層１５Ｂ、第２導電層１６Ｂ、第３絶縁層１５Ｃ、第３導電層１６Ｃが積層されている。各絶縁層１５は、例えば、ビルドアップ基板用の絶縁フィルム（心材を有さず、例えば、無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）であり、導電層１６は、主として電解めっきである。また、第１～３の絶縁層１５Ａ～１５Ｃには、コア基板１１の導電層１３と第１導電層１６Ａとの間、第１導電層１６Ａと第２導電層１６Ｂとの間、第２導電層１６Ｂと第３導電層１６Ｃとの間をそれぞれ接続するビア導体１９が形成されている。なお、本実施形態では、第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂは、同じ層数になっているが、互いに異なる層数であってもよい。
【００１０】
第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂの上には、第３導電層１６Ｃに含まれる複数のパッド１８に対応して複数の開口部１７Ａを有するソルダーレジスト層１７が積層されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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