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公開番号2025009190
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023112026
出願日2023-07-07
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人銀座マロニエ特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20250110BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】第1シード層と第3絶縁層との密着性の向上、および、線間ショートの発生の効果的な防止、を行う。
【解決手段】コア基板CSと、第1ビルドアップ部BU1と、第2ビルドアップ部BU2と、第3ビルドアップ部BU3と、第4ビルドアップ部BU4と、を有する配線基板であって、第3絶縁層は、上面と、上面から下層の第3導体層に至るビア開口と、ビア開口内に形成され、第3導体層と下層の第3導体層とを接続するビア導体と、を有し、第3導体層は、シード層とシード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、シード層は、第1層と第1層上に形成される第2層とを有しており、第3絶縁層に近い方から順に第1層、第2層、電解めっき層で構成されており、第3導体層の断面において、第1層の幅は第2層の幅より大きく、電解めっき層の幅は第1層の幅より大きい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、
前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、
前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、
前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、
前記第３導体層に含まれる配線の最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下であり、
前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、
前記第３導体層は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、
前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、前記第３絶縁層に近い方から順に前記第１層、前記第２層、前記電解めっき層で構成されており、
前記第３導体層の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。
続きを表示（約 490 文字）【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、前記コア基板がガラスコアである。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線のアスペクト比は２以上４以下である。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線の上面は研磨面である。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び、前記第３絶縁層のそれぞれは無機粒子を含んでおり、前記第３絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径よりも小さい。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部を構成する第３絶縁層の体積と前記第４ビルドアップ部を構成する第４絶縁層の体積とは、略等しい。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部における第３導体が占める体積と前記第４ビルドアップ部における第４導体が占める体積とは、略等しい。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のビルドアップ部を有する配線基板に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、図４に示すように、表面が粗化された絶縁層５２上に導体回路５３が形成されているプリント配線板５１を開示している。導体回路５３は、絶縁層５２表面の粗化面に追従して形成される無電解めっき膜（シード層）５４と、無電解めっき膜５４上に形成される電解めっき膜５５とによって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平１１－２１４８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、図４に示すように、無電解めっき膜５４の幅Ｄ４は高さ方向に同じ幅となっている。無電解めっき膜５４と絶縁層５２との密着性を高めるためには、無電解めっき膜５４の幅Ｄ４を大きくする必要がある。しかし、無電解めっき膜５４の幅Ｄ４を大きくしすぎると、隣接する導体回路との間で線間ショートが発生しやすくなる。そのため、絶縁層５２との密着性が高く、かつ、隣接する導体回路との線間ショートの発生ない無電解めっき膜５４を設計することは難しかった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、前記第３導体層に含まれる配線の最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下であり、前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、前記第３導体層は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、前記第３絶縁層に近い方から順に前記第１層、前記第２層、前記電解めっき層で構成されており、前記第３導体層の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を模式的に示す断面図である。
本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部の各層の一実施形態における特徴部分を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
従来のプリント配線板の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
＜本発明の配線基板について＞
本発明の配線基板の一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図４に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。
【０００８】
図１は、本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を説明するための断面図である。図１において、ＣＳは、例えば図中上側の第１面ＣＳ１および下側の第２面ＣＳ２を有するコア基板である。ＢＵ１は、コア基板ＣＳの第１面ＣＳ１上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１を含む第１ビルドアップ部である。ＢＵ２は、コア基板ＣＳの第２面ＣＳ２上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１を含む第２ビルドアップ部である。ＢＵ３は、第１ビルドアップ部ＢＵ１上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層３２及び複数の第３導体層３１を含む第３ビルドアップ部である。ＢＵ４は、第２ビルドアップ部ＢＵ２上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１を含む第４ビルドアップ部である。本実施形態では、上記構成の配線基板１の第３ビルドアップ部ＢＵ３上に、チップ１およびチップ２が搭載されている。
【０００９】
図１に示す本発明に係る配線基板においては、コア基板ＣＳとしてガラスコアを用いることが好ましい。コア基板としてガラスコアを用いると、他の材料のコア基板を用いた配線基板と比べて、高密度配線が形成し易くなる。ガラスコアとしては、従来から知られているいずれの材料をも使用できる。例えば、耐熱性と耐衝撃性に優れ、熱膨張係数がシリコンに近い、ホウ珪酸ガラスを用いることができる。
【００１０】
本実施形態に係る配線基板の特徴は、第３ビルドアップ部ＢＵ３の構造にある。すなわち、本実施形態に係る配線基板では、第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、第３導体層に含まれる配線の最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下であり、第３絶縁層は、上面と、上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、ビア開口内に形成され、第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、第３導体層は、シード層とシード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、シード層は、第１層と第１層上に形成される第２層とを有しており、第３絶縁層に近い方から順に第１層、第２層、電解めっき層で構成されており、第３導体層の断面において、第１層の幅は第２層の幅より大きく、電解めっき層の幅は第１層の幅より大きい。
（【００１１】以降は省略されています）

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