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公開番号2024148615
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-18
出願番号2023061915
出願日2023-04-06
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20241010BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】プラズマエッチングにおいて加工品質を向上出来るウエーハの加工方法を提供する事。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に第1保護膜を形成する第1保護膜形成ステップ101と、レーザ光線の照射によって第1保護膜を除去しウエーハを露出させ、側壁が傾斜する加工溝を形成する加工溝形成ステップ102と、第1のガスを用いたプラズマ処理によってウエーハの上面と加工溝の側壁と底面とに第2保護膜を堆積させ、加工溝の側壁の傾斜を緩和させる第2保護膜を形成する堆積ステップ103と、第2のガスを用いたプラズマエッチングによって加工溝の底面に堆積した第2保護膜を除去し、ウエーハを露出させる第2保護膜除去ステップ104と、第3のガスを用いたプラズマエッチングによって第2保護膜で被覆された加工溝に沿ってウエーハを加工するウエーハ加工ステップ105と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ウエーハを加工する加工方法であって、
ウエーハの表面に第１保護膜を形成する第１保護膜形成ステップと、
該第１保護膜形成ステップの後に、レーザ光線の照射によって該第１保護膜を除去し該ウエーハを露出させ、表面から裏面に向けて開口幅が狭まる方向に側壁が傾斜する加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
該加工溝形成ステップの後に、第１のガスを用いたプラズマ処理によって、該ウエーハの上面と、該加工溝の側壁と、該加工溝の底面とに第２保護膜を堆積させ、該加工溝の該側壁の傾斜を緩和させる第２保護膜を形成する堆積ステップと、
該堆積ステップの後に、第２のガスを用いたプラズマエッチングによって、該加工溝の底面に堆積した該第２保護膜を除去し、該ウエーハを露出させる第２保護膜除去ステップと、
第３のガスを用いたプラズマエッチングによって、該第２保護膜で被覆された該加工溝に沿って該ウエーハを加工するウエーハ加工ステップと、
を備える事を特徴とするウエーハの加工方法。
続きを表示（約 310 文字）【請求項２】
該堆積ステップと、該第２保護膜除去ステップと、を繰り返し実施することを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該加工溝形成ステップにおいて、該加工溝の幅は、該加工溝の深さの２倍以下になるように加工溝を形成することを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該第２保護膜は、プラズマ化させた第４のガスを用いたアッシングによって除去することを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該第１保護膜は、水溶性樹脂であり、液体によって除去することを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ウエーハを加工する加工方法において、ウエーハの上面に保護膜を形成し、保護膜をレーザ光線の照射によって除去し、ウエーハを露出させるレーザ加工溝を形成した後、保護膜をマスクとし、レーザ加工溝に沿ってプラズマエッチングしてウエーハを加工する加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－０２７８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、レーザ加工溝の側壁は傾斜して形成されるため、加工溝の底面の縁に形成された保護膜は、ウエーハの表面に形成された保護膜よりも厚みが薄くなり、プラズマエッチング中に除去され加工溝の外方に後退してしまいウエーハを露出させてしまうと言う問題があった。レーザ加工溝の底面付近の保護膜が除去されると、保護膜によって構成されるマスクの側壁も傾斜して後退するため、ウエーハがエッチングされる幅が大きくなり狭いカーフを実現出来ない問題や、エッチングの途中でマスク形状が変わることでチップの加工品質が悪化する問題があった。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマエッチングにおいて加工品質を向上出来るウエーハの加工方法を提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハを加工する加工方法であって、ウエーハの表面に第１保護膜を形成する第１保護膜形成ステップと、該第１保護膜形成ステップの後に、レーザ光線の照射によって該第１保護膜を除去し該ウエーハを露出させ、表面から裏面に向けて開口幅が狭まる方向に側壁が傾斜する加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝形成ステップの後に、第１のガスを用いたプラズマ処理によって、該ウエーハの上面と、該加工溝の側壁と、該加工溝の底面とに第２保護膜を堆積させ、該加工溝の該側壁の傾斜を緩和させる第２保護膜を形成する堆積ステップと、該堆積ステップの後に、第２のガスを用いたプラズマエッチングによって、該加工溝の底面に堆積した該第２保護膜を除去し、該ウエーハを露出させる第２保護膜除去ステップと、第３のガスを用いたプラズマエッチングによって、該第２保護膜で被覆された該加工溝に沿って該ウエーハを加工するウエーハ加工ステップと、を備える事を特徴とする。
【０００７】
該堆積ステップと、該第２保護膜除去ステップと、を繰り返し実施してもよい。
【０００８】
該加工溝形成ステップにおいて、該加工溝の幅は、該加工溝の深さの２倍以下になるように加工溝を形成してもよい。
【０００９】
該第２保護膜は、プラズマ化させた第４のガスを用いたアッシングによって除去してもよい。
【００１０】
該第１保護膜は、水溶性樹脂であり、液体によって除去してもよい。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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