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公開番号2024157986
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023072719
出願日2023-04-26
発明の名称SiC基板の加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20241031BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるSiC基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】SiC基板の加工方法は、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して金属膜を分断するとともにSiC基板に分割予定ラインに沿った溝を形成するレーザ加工ステップ1001と、レーザ加工ステップ1001を実施する前または後に、金属膜上にテープを配設するテープマウントステップ1002と、分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のデバイスをSiC基板の上下から挟持部材で挟持するとともに、分割すべき分割予定ラインを挟んで挟持部材の反対側で分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のSiC基板のデバイスを押圧部材で押圧し分割すべき分割予定ラインに沿ってSiC基板を分割する分割ステップ1003と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
複数の分割予定ラインが設定されるとともに裏面に金属膜が積層されたＳｉＣ基板の加工方法であって、
該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該分割予定ラインに沿って該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板に該分割予定ラインに沿った溝を形成するレーザ加工ステップと、
該レーザ加工ステップを実施する前または後に、該金属膜上にテープを配設するテープマウントステップと、
該レーザ加工ステップと該テープマウントステップとを実施した後、分割すべき分割予定ラインに隣接した領域をＳｉＣ基板の上下から挟持部材で挟持するとともに、該分割すべき分割予定ラインを挟んで該挟持部材の反対側で該分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のＳｉＣ基板を押圧部材で押圧し該分割すべき分割予定ラインに沿ってＳｉＣ基板を分割する分割ステップと、を備えたＳｉＣ基板の加工方法。
続きを表示（約 290 文字）【請求項２】
該テープマウントステップは、該レーザ加工ステップの前に実施し、
該レーザ加工ステップでは、ＳｉＣ基板の表面側を保持テーブルで保持して該テープ越しに該レーザビームを該金属膜に照射して該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板にレーザ加工溝を形成する、請求項１に記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項３】
該レーザ加工ステップにおける該レーザビームの集光スポットの形状は楕円形状であり、該レーザ加工ステップでは、該分割予定ラインの伸長方向に該集光スポットの該楕円形状の長軸が位置づけられる、請求項１または請求項２に記載のＳｉＣ基板の加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の分割予定ラインが設定されるとともに裏面に金属膜が積層されたＳｉＣ基板の加工方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体基板としてＳｉＣ基板を利用したＳｉＣ半導体デバイスが広く市場に流通しており、ＳｉＣ半導体デバイスは、ＳｉＣ基板上に複数形成された後、個々のデバイスへと分割される。
【０００３】
難切削材であるＳｉＣ基板を個々のチップへ分割するためにＳｉＣ基板を切削ブレードで切削するとチッピングと呼ばれる欠けが大きく生じたり、切削ブレードの消耗が激しく生じる。そこで、切削ブレードに超音波振動を付与しつつ切削する切削方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２１－１６７０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に示された切削方法は、切削スピードを上昇させることが難しく加工に時間を要しており、改善が切望されている。また、裏面に金属膜が形成されたＳｉＣ基板の場合は切削ブレードが金属膜を切削することで目潰れして加工品質の悪化を招くという問題もある。
【０００６】
本発明の目的は、加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のＳｉＣ基板の加工方法は、複数の分割予定ラインが設定されるとともに裏面に金属膜が積層されたＳｉＣ基板の加工方法であって、該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該分割予定ラインに沿って該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板に該分割予定ラインに沿った溝を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施する前または後に、該金属膜上にテープを配設するテープマウントステップと、該レーザ加工ステップと該テープマウントステップとを実施した後、分割すべき分割予定ラインに隣接した領域をＳｉＣ基板の上下から挟持部材で挟持するとともに、該分割すべき分割予定ラインを挟んで該挟持部材の反対側で該分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のＳｉＣ基板を押圧部材で押圧し該分割すべき分割予定ラインに沿ってＳｉＣ基板を分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
前記ＳｉＣ基板の加工方法において、該テープマウントステップは、該レーザ加工ステップの前に実施し、該レーザ加工ステップでは、ＳｉＣ基板の表面側を保持テーブルで保持して該テープ越しに該レーザビームを該金属膜に照射して該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板にレーザ加工溝を形成しても良い。
【０００９】
前記ＳｉＣ基板の加工方法において、該レーザ加工ステップにおける該レーザビームの集光スポットの形状は楕円形状であり、該レーザ加工ステップでは、該分割予定ラインの伸長方向に該集光スポットの該楕円形状の長軸が位置づけられても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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