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公開番号2024156367
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-06
出願番号2023070767
出願日2023-04-24
発明の名称ウェーハの分割方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人東京アルパ特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20241029BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】洗浄工程に要する時間を短縮すること。
【解決手段】格子状のストリートによって区画された表面の複数の領域にデバイスがそれぞれ形成されたウェーハをストリートに沿って分割するウェーハWの分割方法は、ウェーハWを、その裏面に貼着したテープTを介してチャックテーブル1に保持させる保持工程と、チャックテーブル1に保持されたウェーハWの表面にストリートに沿って複数の溝W1を形成する溝形成工程と、テープTをウェーハWの径方向に拡張させて溝W1を所定の幅b2に広げる拡張工程と、ウェーハWにスラリーを供給しながら、研磨パッドによってウェーハWの表面を研磨する研磨工程と、ウェーハWの表面に洗浄流体を噴射して該ウェーハWの表面と溝W1とを洗浄する洗浄工程と、を含み、拡張工程を実施してから洗浄工程を実施することを特徴とする。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
格子状のストリートによって区画された表面の複数の領域にデバイスがそれぞれ形成されたウェーハを該ストリートに沿って分割するウェーハの分割方法であって、
該ウェーハを、その裏面に貼着したテープを介してチャックテーブルに保持させる保持工程と、
該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面に該ストリートに沿って複数の溝を形成する溝形成工程と、
該テープを該ウェーハの径方向に拡張させて該溝を所定の幅に広げる拡張工程と、
該ウェーハの表面側にスラリーを供給しながら、研磨パッドによって該ウェーハの表面を研磨することによって、該溝形成工程の際に該デバイスの表面に付着した付着物を除去する研磨工程と、
該ウェーハの表面に洗浄流体を噴射して該ウェーハの表面と該溝とを洗浄する洗浄工程と、
を含み、
該拡張工程を実施してから該洗浄工程を実施することを特徴とするウェーハの分割方法。
続きを表示（約 150 文字）【請求項２】
該溝形成工程の後、該拡張工程、該研磨工程、該洗浄工程をこの順に実施することを特徴とする請求項１記載のウェーハの分割方法。
【請求項３】
該溝形成工程の後、該研磨工程、該拡張工程、該洗浄工程をこの順に実施することを特徴とする請求項１記載のウェーハの分割方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを格子状のストリート（分割予定ライン）に沿って分割するウェーハの分割方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、円板状の半導体ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」と称する）の表面が格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって複数のデバイス領域に区画され、各デバイス領域にＩＣやＬＳＩなどのデバイスがそれぞれ形成される。そして、このように多数のデバイスが形成されたウェーハをストリートに沿って分割することによって、複数のチップが製造される。
【０００３】
ここで、ウェーハをストリートに沿って分割する方法としては、ウェーハを切削ブレードによってストリートに沿って切削して切削溝（カーフ）を形成する方法（ブレードダイシング）の他、真空下でドライエッチングしてウェーハにストリートに沿う溝を形成するプラズマダイシング、ウェーハ表面にレーザー光線を照射してウェーハにストリートに沿う溝を形成するレーザーアブレーションなどが知られている。
【０００４】
ところで、特許文献１において提案されたウェーハの分割方法においては、切削ブレードによる切削加工後のウェーハの表面を、研磨液であるスラリーを用いてＣＭＰ研磨（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）することによって、該ウェーハの表面に付着している加工屑を除去し、その後、ウェーハの表面に洗浄水を噴射することによって、ＣＭＰ研磨においてウェーハの表面に付着しているスラリーを除去する洗浄工程を実施するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２０－１７０７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１において提案されているウェーハの分割方法において実施される洗浄工程においては、切削ブレードの切削によってウェーハの表面に形成された幅の狭い切削溝（カーフ）に残留するスラリーの除去が容易ではなく、洗浄工程に多くの時間を要して効率が悪いという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、ウェーハに形成された溝に残留するスラリーを洗浄によって短時間で効率よく除去して洗浄工程に要する時間を短縮することができるウェーハの分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明は、格子状のストリートによって区画された表面の複数の領域にデバイスがそれぞれ形成されたウェーハを該ストリートに沿って分割するウェーハの分割方法であって、該ウェーハを、その裏面に貼着したテープを介してチャックテーブルに保持させる保持工程と、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面に該ストリートに沿って複数の溝を形成する溝形成工程と、該テープを該ウェーハの径方向に拡張させて該溝を所定の幅に広げる拡張工程と、該ウェーハの表面側にスラリーを供給しながら、研磨パッドによって該ウェーハの表面を研磨することによって、該溝形成工程の際に該デバイスの表面に付着した付着物を除去する研磨工程と、該ウェーハの表面に洗浄流体を噴射して該ウェーハの表面と該溝とを洗浄する洗浄工程と、を含み、該拡張工程を実施してから該洗浄工程を実施することを特徴とする。ここで、拡張工程の後に研磨工程を実施し、この研磨工程の後に洗浄工程を実施してもよく、或いは、研磨工程を行った後に拡張工程を実施し、この拡張工程の後に洗浄工程を実施してもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、洗浄工程を実施する前段階において拡張工程が実施され、溝形成工程においてウェーハに形成された溝の幅が拡張工程によって広げられた状態で洗浄工程が実施されるため、幅が広げられた溝に残留するスラリーが噴射される洗浄流体によって短時間で効率よく除去される。このため、洗浄工程に要する時間が短縮され、ウェーハを効率よく短時間で分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の第１実施形態に係るウェーハの分割方法をその工程順に示すフローチャートである。
ウェーハの斜視図である。
ワークセットの斜視図である。
本発明の第１実施形態に係るウェーハの分割方法における保持工程を示す側断面図である。
（ａ）～（ｃ）は本発明の第１実施形態に係るウェーハの分割方法における溝形成工程を工程順に示す側断面図である。
本発明の第１実施形態に係るウェーハの分割方法における溝形成工程の別形態を示す側断面図である。
（ａ）～（ｃ）は本発明の第１実施形態に係るウェーハの分割方法における拡張工程を工程順に示す側断面図である。
本発明の第１実施形態に係るウェーハの分割方法における研磨工程を示す破断側面図である。
本発明の第１実施形態に係るウェーハの分割方法における洗浄工程を示す側断面図である。
本発明の第２実施形態に係るウェーハの分割方法をその工程順に示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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