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公開番号2025009338
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023112270
出願日2023-07-07
発明の名称エポキシ系絶縁材料用処理剤
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類C09D 9/00 20060101AFI20250110BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】一態様において、エポキシ系絶縁材料の除去加工性に優れる処理剤を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、有機溶剤(成分A)を含有し、成分Aのハンセン溶解度パラメータ値(HSP値)がδD=17.0、δP=9.0、δH=7.5を中心とする半径10MPa^0.5の球の範囲内である、エポキシ系絶縁材料用処理剤に関する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
有機溶剤（成分Ａ）を含有し、
成分Ａのハンセン溶解度パラメータ値（ＨＳＰ値）がδＤ＝１７．０、δＰ＝９．０、δＨ＝７．５を中心とする半径１０ＭＰａ
0.5
の球の範囲内である、エポキシ系絶縁材料用処理剤。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
成分Ａが、混合有機溶剤であり、前記混合有機溶剤は、ＨＳＰ値がδＤ＝１７．０、δＰ＝９．０、δＨ＝７．５を中心とする半径１０ＭＰａ
0.5
の球の範囲外である化合物を含む、請求項１に記載の処理剤。
【請求項３】
成分ＡのＨＳＰ値がδＤ＝１７．０、δＰ＝９．０、δＨ＝７．５を中心とする半径５ＭＰａ
0.5
の球の範囲内である、請求項１又は２に記載の処理剤。
【請求項４】
成分Ａは、アミド類、ケトン類及びグリコールエーテル類から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１から３のいずれかに記載の処理剤。
【請求項５】
成分Ａは、環状アミド類、環状ケトン類及びジアルキルグリコールエーテル類から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１から４のいずれかに記載の処理剤。
【請求項６】
成分Ａは、Ｎ－メチル－２－ピロリドン及びイソホロンの少なくとも一方を含む、請求項１から５のいずれかに記載の処理剤。
【請求項７】
水（成分Ｂ）をさらに含有し、
成分Ｂの含有量は、２質量％以上２５質量％以下である、請求項１から６のいずれかに記載の処理剤。
【請求項８】
エポキシ系絶縁材料を有する基板からエポキシ系絶縁材料の少なくとも一部を除去及び／又は加工することを含む処理方法であって、
エポキシ系絶縁材料を有する基板に請求項１から７のいずれかに記載の処理剤を接触させることを含む処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、エポキシ系絶縁材料用処理剤及びこれを用いる処理方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。
このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。
新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、その際にアルカリ性の剥離用洗浄剤が使用される。
【０００３】
半導体素子は、半導体基板上にレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成し、次いで該レジストパターンをマスクとし非マスク領域の半導体基板のエッチングを行い、微細回路を形成した後、上記フォトレジストを半導体基板上から剥離して、あるいは同様にして微細回路を形成した後、アッシングを行い残存するレジスト残渣物を半導体基板上から剥離することにより得られる。
例えば、特許文献１には、有機膜パターン（レジストパターン）の加工処理を行う基板処理方法が提案されている。同文献（請求項５５等）には、加熱処理後の有機膜パターンを、アルコール類、エーテル類、エステル類、ケトン類及びグリコールエーテル類から選ばれる少なくとも１種を含む有機溶液を用いて溶解変形処理することが記載されている。
特許文献２には、ポリシランを含有するレジストを使用したパターン形成方法が提案されている。同文献（請求項１０等）には、加熱処理後の有機珪素化合物膜を有機溶媒で溶解除去することが記載されている。
特許文献３には、非感光性ポリイミド前駆体とアクリル系モノマーと光開始剤とを含む感光性樹脂を露光、現像して絶縁膜パターンを形成する方法が提案されている。同文献（請求項２等）には、現像にはＮ－メチル－２－ピロリドン等を含む現像液を用いることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－７２０５９号公報
特開平９－１５８６４号公報
特開平７－８４３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体パッケージの高密度化及び高性能化が進んでおり、基板上に絶縁層と金属層とを交互に積層した多層基板が用いられるようになってきている。多層基板の製造過程において、未硬化（硬化前）の絶縁層を加工処理することがある。多層基板には複数層の絶縁層が含まれているため、絶縁層を加工しやすい処理剤が望まれる。また、近年では、絶縁層にエポキシ系絶縁材料が使用されるようになってきており、エポキシ系絶縁材料を効率よく除去して加工しやすい処理剤、とりわけ、未硬化（硬化前）のエポキシ系絶縁材料の除去加工性に優れた処理剤が求められている。
【０００６】
そこで、本開示は、エポキシ系絶縁材料の除去加工性に優れる処理剤を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、一態様において、有機溶剤（成分Ａ）を含有し、成分Ａのハンセン溶解度パラメータ値（ＨＳＰ値）がδＤ＝１７．０、δＰ＝９．０、δＨ＝７．５を中心とする半径１０ＭＰａ
0.5
の球の範囲内である、エポキシ系絶縁材料用処理剤に関する。
【０００８】
本開示は、一態様において、本開示の処理剤を用いて、エポキシ系絶縁材料を有する基板からエポキシ系絶縁材料の少なくとも一部を除去及び／又は加工することを含む処理方法であって、エポキシ系絶縁材料を有する基板に本開示の処理剤を接触させることを含む処理方法に関する。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、エポキシ系絶縁材料の除去加工性に優れる処理剤を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示は、特定のＨＳＰ値を有する有機溶剤を用いることで、基板上のエポキシ系絶縁材料を効率よく除去でき、エポキシ系絶縁材料の加工がしやすくなるという知見に基づく。
（【００１１】以降は省略されています）

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