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公開番号2024131868
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-30
出願番号2023042356
出願日2023-03-16
発明の名称情報処理装置及びメモリシステム
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G11C 11/56 20060101AFI20240920BHJP(情報記憶)
要約【課題】演算結果を迅速かつ精度よく読み出すことができるようにする。
【解決手段】情報処理装置は、第1配線に接続されるとともに、複数の第2配線に接続されるストリングを備え、ストリングは、一端が第1配線に接続される電流経路に沿って直列に接続される複数のトランジスタ対を有し、各トランジスタ対は、電流経路に沿って直列に接続される第1トランジスタ及び第2トランジスタを有し、各ゲートには、それぞれ異なる第2配線が接続され、第1トランジスタは、第1ベクトルの対応する第1要素を表す第1データに応じた第1閾値に設定され、第2トランジスタは、第1データの補数データである第2データに応じた第2閾値に設定され、第1トランジスタのゲートに接続される第2配線には、第2ベクトルの対応する第2要素を表す第3データに応じた電圧が印加され、第2トランジスタのゲートに接続される第2配線には、第3データの補数データである第4データに応じた電圧が印加される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
複数の第1要素を含む第1ベクトルと、前記複数の第1要素に対応する複数の第2要素を含む第2ベクトルとの間で、対応する前記第1要素及び前記第2要素が一致又は類似するか否かを検出する情報処理装置であって、
第1配線に接続されるとともに、複数の第2配線に接続されるストリングを備え、
前記ストリングは、一端が前記第1配線に接続される電流経路に沿って直列に接続される複数のトランジスタ対を有し、
前記複数のトランジスタ対のそれぞれは、前記電流経路に沿って直列に接続される第1トランジスタ及び第2トランジスタを有し、
前記複数のトランジスタ対のそれぞれにおける前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲートには、それぞれ異なる前記第2配線が接続され、
前記第1トランジスタは、前記第1ベクトルの対応する前記第1要素を表す第1データに応じた第1閾値に設定され、
前記第2トランジスタは、前記第1データの補数データである第2データに応じた第2閾値に設定され、
前記第1トランジスタのゲートに接続される前記第2配線には、前記第2ベクトルの対応する前記第2要素を表す第3データに応じた電圧が印加され、
前記第2トランジスタのゲートに接続される前記第2配線には、前記第3データの補数データである第4データに応じた電圧が印加される、
情報処理装置。
続きを表示(約 2,200 文字)【請求項2】
前記ストリングは、前記第1ベクトル及び前記第2ベクトルの対応する前記第1要素及び前記第2要素がすべて一致又は類似するときに、前記複数のトランジスタ対におけるすべての前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタがオンし、前記第1配線との間の電流に応じて、前記第1配線の電圧を変化させる、
請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項3】
前記複数のトランジスタ対のそれぞれにおける前記第1トランジスタは、対応する前記第3データに応じた電圧と対応する前記第1データに応じた前記第1閾値との関係に応じてオン又はオフし、
前記複数のトランジスタ対のそれぞれにおける前記第2トランジスタは、対応する前記第4データに応じた電圧と対応する前記第2データに応じた前記第2閾値との関係に応じてオン又はオフする、
請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項4】
前記複数のトランジスタ対のそれぞれを構成する前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタの間に接続され、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲート電圧よりも高い所定の電圧がゲートに印加されてオン動作する第3トランジスタを備える、
請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項5】
前記第1ベクトルは、それぞれ前記複数の第1要素を含む第3ベクトル及び第4ベクトルを有し、
前記第2ベクトルは、それぞれ前記複数の第2要素を含む第5ベクトル及び第6ベクトルを有し、
前記ストリングは、前記ストリング内の前記電流経路に沿って直列に接続された複数のトランジスタを用いて、前記第3ベクトルにおける前記複数の第1要素と前記第5ベクトルにおける前記複数の第2要素との一致又は類似の検出と、前記第4ベクトルにおける前記複数の第1要素と前記第6ベクトルにおける前記複数の第2要素との一致又は類似の検出と、を交互に行う、
請求項4に記載の情報処理装置。
【請求項6】
前記ストリングは、
前記ストリング内の前記電流経路に沿って直列に接続された複数のトランジスタのうち、前記第1配線に近い側から奇数番目に順に接続された2つ以上のトランジスタからなる第1トランジスタ群に、前記第1ベクトルの前記複数の第1要素を表す前記第1データに応じた前記第1閾値を設定するとともに、前記第1トランジスタ群を構成する各トランジスタのゲートに前記第2ベクトルの前記複数の第2要素を表す前記第3データに応じた電圧を印加し、かつ前記第1配線に近い側から偶数番目に接続された各トランジスタのゲートに前記第3データに応じた電圧よりも大きい所定の電圧レベルの電圧を印加する第1動作と、
前記ストリング内の前記電流経路に沿って直列に接続された複数のトランジスタのうち、前記第1配線に近い側から偶数番目に順に接続された2つ以上のトランジスタからなる第2トランジスタ群に、前記第1ベクトルの前記第1データの補数データである前記第2データに応じた前記第2閾値を設定するとともに、前記第2トランジスタ群を構成する各トランジスタのゲートに前記第2ベクトルの第3データの補数データである前記第4データに応じた電圧を印加し、かつ前記第1配線に近い側から奇数番目に接続された各トランジスタのゲートに前記第4データに応じた電圧よりも大きい所定の電圧レベルの電圧を印加する第2動作と、を交互に行う、
請求項4に記載の情報処理装置。
【請求項7】
複数の前記第1配線が配置され、
前記複数の第1配線のそれぞれには、少なくとも1つの前記ストリングの一端が接続される、
請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項8】
前記第1配線には、複数の前記ストリングのそれぞれの一端が接続され、
前記複数のストリングのそれぞれは、それぞれ異なる前記第1ベクトルと、共通の前記第2ベクトルとの間で、対応する前記第1要素及び前記第2要素のすべてが一致又は類似するか否かを検出し、
前記第1配線の電圧は、前記複数のストリングのうち、対応する前記第1要素及び前記第2要素のすべてが一致又は類似するストリングの数が多いほど、より大きく引き下げられる、
請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項9】
前記第1配線の電圧を記憶する配線電圧記憶部を備え、
前記複数のストリングは、それぞれ異なるタイミングで、対応する前記第1ベクトル及び前記第2ベクトルの対応する前記第1要素及び前記第2要素がすべて一致又は類似するか否かを検出し、
前記配線電圧記憶部は、前記複数のストリングのそれぞれにおいて、対応する前記第1ベクトル及び前記第2ベクトルの対応する前記第1要素及び前記第2要素がすべて一致又は類似することが検出されるたびに、記憶される電圧を引き下げる、
請求項8に記載の情報処理装置。
【請求項10】
前記第1トランジスタは、前記第3データに応じた電圧が前記第1データに応じた前記第1閾値の電圧以上のときにオンし、
前記第2トランジスタは、前記第4データに応じた電圧が前記第2データに応じた前記第2閾値の電圧以上のときにオンする、
請求項1に記載の情報処理装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の一実施形態は、情報処理装置及びメモリシステムに関する。
続きを表示(約 3,000 文字)【背景技術】
【0002】
積和演算などの大量の演算処理を、半導体メモリを用いて高速に実行するCIM(Computation In Memory)が注目されている。
【0003】
CIMでは、例えば、演算処理に用いられる第1入力データを例えばメモリセルに記憶し、ワード線に第2入力データに応じた電圧信号を与えて、メモリセルに接続されるビット線の電圧レベルを演算結果に応じて変化させる。
【0004】
最近の半導体メモリは微細化が進んでおり、ビット線の電圧範囲も小さくなっており、ビット線の電圧レベルがノイズ及びリーク電圧の影響を受けやすくなっている。よって、ビット線の電圧値から演算結果を正しく検出するのは容易ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
米国特許出願公開第2021/0407595号明細書
米国特許公報第9595330号
米国特許公報第9001545号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
そこで、本発明の実施形態では、演算結果を精度よく読み出すことが可能な情報処理装置及びメモリシステムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態によれば、複数の第1要素を含む第1ベクトルと、前記複数の第1要素に対応する複数の第2要素を含む第2ベクトルとの間で、対応する前記第1要素及び前記第2要素が一致又は類似するか否かを検出する情報処理装置であって、
第1配線に接続されるとともに、複数の第2配線に接続されるストリングを備え、
前記ストリングは、一端が前記第1配線に接続される電流経路に沿って直列に接続される複数のトランジスタ対を有し、
前記複数のトランジスタ対のそれぞれは、前記電流経路に沿って直列に接続される第1トランジスタ及び第2トランジスタを有し、
前記複数のトランジスタ対のそれぞれにおける前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲートには、それぞれ異なる前記第2配線が接続され、
前記第1トランジスタは、前記第1ベクトルの対応する前記第1要素を表す第1データに応じた第1閾値に設定され、
前記第2トランジスタは、前記第1データの補数データである第2データに応じた第2閾値に設定され、
前記第1トランジスタのゲートに接続される前記第2配線には、前記第2ベクトルの対応する前記第2要素を表す第3データに応じた電圧が印加され、
前記第2トランジスタのゲートに接続される前記第2配線には、前記第3データの補数データである第4データに応じた電圧が印加される、
情報処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
第1の実施形態に係る情報処理装置の主要部の回路図。
ストリング内の1つのトランジスタ対を構成する第1トランジスタと第2トランジスタを抜き出した図。
図2のキーと第1トランジスタの第1閾値と第2トランジスタの第2閾値との対応関係を示す図。
第1トランジスタと第2トランジスタのゲートにワード線を介して印加されるクエリのビット値と電位レベルとの対応関係を示す図。
第1トランジスタのクエリ又はキーがXの場合のクエリとキーの電圧レベルを示す図。
第2トランジスタのクエリ又はキーがXの場合のクエリとキーの電圧レベルを示す図。
クエリとキーが2値データの例を示す図。
クエリとキーが多値データである例を示す図。
クエリとキーが3ビットの多値データである場合のストリング内の第1トランジスタと第2トランジスタを示す図。
第1トランジスタと第2トランジスタの閾値とゲート電圧との関係を示す図。
複数本のビット線のそれぞれに1つのストリングが接続される第1例に係るメモリセルアレイの模試的な平面レイアウト図。
複数本のビット線のそれぞれに複数のストリングが接続される第2例に係るメモリセルアレイの模式的な平面レイアウト図。
複数本のビット線のそれぞれに複数のストリングが接続される第3例に係るメモリセルアレイの模試的な平面レイアウト図。
第2の実施形態に係る情報処理装置の主要部の回路図。
図11の一変形例に係る情報処理装置の回路図。
第3の実施形態に係る情報処理装置の主要部の回路図。
図13Aの第1トランジスタの閾値分布を示す図。
図13のキーと第1トランジスタの第1閾値と第2トランジスタの第2閾値との対応関係を示す図。
第1トランジスタと第2トランジスタのゲートにワード線を介して印加されるクエリのビット情報と電位レベルとの対応関係を示す図。
図13Aの第1トランジスタが2ビットのデータを記憶する場合の第1トランジスタの閾値分布を示す図。
図13Aの第2トランジスタの閾値分布を示す図。
第1トランジスタのクエリQ及びキーKがXの場合の閾値分布とゲート電圧の関係を示す図。
第2トランジスタのクエリ/Q及びキー/KがXの場合の閾値分布とゲート電圧の関係を示す図。
第3の実施形態に係る情報処理装置が有する第1例に係るメモリセルアレイの模式的な平面レイアウト図。
第2例に係るメモリセルアレイの模式的な平面レイアウト図。
第3例に係るメモリセルアレイの模式的な平面レイアウト図。
類似検索を行うことが可能な情報処理装置の回路図。
式(11)のクエリQとキーKの関係を説明する図。
類似検索の範囲を一般化した回路図。
第4の実施形態に係る情報処理装置の回路図。
第4の実施形態に係る情報処理装置が有するメモリセルアレイの平面レイアウト図。
第4の実施形態の一変形例に係る情報処理装置の主要部の回路図。
図24の情報処理装置が有するメモリセルアレイの第1例の平面レイアウト図。
図24の情報処理装置が有するメモリセルアレイの第2例の平面レイアウト図。
第1、第2、第3又は第4の実施形態に係る情報処理装置を備えるメモリシステムのブロック図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して、情報処理装置及びメモリシステムの実施形態について説明する。以下では、情報処理装置及びメモリシステムの主要な構成部分を中心に説明するが、情報処理装置及びメモリシステムには、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。
【0010】
(第1の実施形態)
図1は第1の実施形態に係る情報処理装置1の主要部の回路図である。図1の情報処理装置1は、複数の第1要素を含む第1ベクトルと、複数の第1要素に対応する複数の第2要素を含む第2ベクトルとの間で、対応する第1要素及び第2要素が一致又は類似するか否かを検出する。
(【0011】以降は省略されています)

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