特許ウォッチ

公開番号2024140416
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-10
出願番号2023051548
出願日2023-03-28
発明の名称半導体記憶装置
出願人ラピステクノロジー株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類G11C 16/28 20060101AFI20241003BHJP(情報記憶)
要約【課題】複数のメモリセルを含んで構成される半導体記憶装置において、データの判別精度を確保しつつメモリセルの面積を相補型よりも小さくする。
【解決手段】半導体記憶装置は、記録された1ビットのデータに応じた電流が流れるメモリセルと、各々がメモリセルと同一構造を有する複数のセルを直列に接続して構成されるリファレンスセルと、メモリセルに流れる電流と、リファレンスセルに流れる電流の比較結果に基づいて、メモリセルに記録されたデータを判別する判別回路と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
記録された１ビットのデータに応じた電流が流れるメモリセルと、
各々が前記メモリセルと同一構造を有する複数のセルを直列に接続して構成されるリファレンスセルと、
前記メモリセルに流れる電流と、前記リファレンスセルに流れる電流の比較結果に基づいて、前記メモリセルに記録されたデータを判別する判別回路と、
を含む半導体記憶装置。
続きを表示（約 280 文字）【請求項２】
複数の前記メモリセルに対して、１つの前記リファレンスセルが設けられた
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
複数の前記メモリセルによって構成されるブロック毎に、１つの前記リファレンスセルが設けられた
請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記メモリセルは、
フローティングゲートを有するメモリトランジスタと、
前記メモリトランジスタに直列に接続され、制御信号に応じてオン状態となる選択トランジスタとを含む
請求項１に記載の半導体記憶装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
開示の技術は、半導体記憶装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体記憶装置に関する技術として、以下の技術が知られている。特許文献１には、同一のワード線選択信号および同一のカラム選択信号により選択される２組の書き込み可能な不揮発性メモリセルを１ビット分として多数個のメモリセルが設けられたメモリセルアレイと、上記２組のメモリセルアレイが各対応して接続されているビット線対を介して上記２組のメモリセルに相補的なビットデータを書き込む手段と、上記ビット線対の電位差を増幅して読み出しデータを判定する差動増幅型センスアンプと、を含む半導体記憶装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平０１－２６３９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
互いに異なる電荷蓄積状態に保持された２つのセルによって１ビットのデータを記録する相補型の半導体記憶装置が知られている。２つのセルのうちの１つは、正セルであり、他の１つは補セルである。正セル及び補セルには、それぞれビット線を介してセンスアンプを含む判別回路が接続されている。各セルに流れる電流は、判別回路によって比較される。正セル及び補セルのうち、電荷を蓄積したセルに流れる電流は相対的に小さく、電荷を蓄積していないセルに流れる電流は相対的に大きい。両セルの電流の比較結果に基づいて、当該メモリセルに記録された１ビットのデータが「０」なのか「１」なのかが判別される。
【０００５】
相補型の半導体記憶装置は、互いに異なる電荷蓄積状態に保持される２つのセル（正セル及び補セル）によって１ビットのデータを記録する。メモリセルに記録された１ビットのデータは、正セル及び補セルに流れるセル電流の大小関係によって判別される。相補型の半導体記憶装置によれば、単一のセルによって１ビットのデータの記録するものと比較して、データの判別精度が高くなる。一方、相補型の半導体記憶装置によれば、１ビットのデータの記録を２つのセルを用いて行うので、１ビットのデータの記録を単一のセルを用いて行うものと比較してメモリセルの面積が顕著に大きくなる。
【０００６】
開示の技術は、上記の点に鑑みてなされたものであり、複数のメモリセルを含んで構成される半導体記憶装置において、データの判別精度を確保しつつメモリセルの面積を相補型よりも小さくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
開示の技術に係る半導体記憶装置は、記録された１ビットのデータに応じた電流が流れるメモリセルと、各々が前記メモリセルと同一構造を有する複数のセルを直列に接続して構成されるリファレンスセルと、前記メモリセルに流れる電流と、前記リファレンスセルに流れる電流の比較結果に基づいて、前記メモリセルに記録されたデータを判別する判別回路と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、複数のメモリセルを含んで構成される半導体記憶装置において、データの判別精度を確保しつつメモリセルの面積を相補型よりも小さくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
開示の技術の実施形態に係る半導体記憶装置を構成するメモリブロックの構成の一例を示す回路図である。
メモリセル電流及びリファレンスセル電流の温度特性の一例を示す図である。
メモリセルの経年劣化に伴うメモリセル電流及びリファレンスセル電流の変化を示す図である。
比較例に係るメモリブロックの構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素及び部分には同一の参照符号を付与し、重複する説明は省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許