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公開番号2024179617
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2023098601
出願日2023-06-15
発明の名称NANDストレージデバイス
出願人株式会社デンソー
代理人弁理士法人ゆうあい特許事務所
主分類G11C 16/34 20060101AFI20241219BHJP(情報記憶)
要約【課題】NANDストレージデバイスにおいて、NANDメモリに含まれるデータの特性に応じたセルフリフレッシュの閾値設定を行うことができるようにする。
【解決手段】NANDストレージデバイス1の内蔵コントローラ12は、NANDメモリ11の第1領域中のブロック毎のビットエラー率と第1リフレッシュ閾値Th1との比較に基づき、第1領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定する。そして同様に、NANDメモリ11の第2領域中のブロック毎のビットエラー率と第2リフレッシュ閾値Th2との比較に基づき、第2領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ＮＡＮＤストレージデバイスであって、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵されるＮＡＮＤメモリ（１１）と、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵され、前記ＮＡＮＤストレージデバイスの外部にある外部機器（２）からのコマンドに従って前記ＮＡＮＤメモリに対して読み書きを行う内蔵コントローラ（１２）と、を備え、
前記内蔵コントローラは、第１リフレッシュ閾値（Ｔｈ１）と第２リフレッシュ閾値（Ｔｈ２）を読み出し、前記ＮＡＮＤメモリのうち第１領域（Ｒ１）についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記ＮＡＮＤメモリのうち前記第１領域とは異なる第２領域（Ｒ２）についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する、ＮＡＮＤストレージデバイス。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記第１リフレッシュ閾値および前記第２リフレッシュ閾値の一方または両方は、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項１に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項３】
前記ＮＡＮＤメモリには、前記外部機器が実行するプログラムまたは前記外部機器が使用する地図データが記憶され、
前記第１リフレッシュ閾値および前記第２リフレッシュ閾値の一方または両方は、前記プログラムまたは前記地図データの更新時に、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項４】
前記内蔵コントローラは、前記第１リフレッシュ閾値と前記第２リフレッシュ閾値を読み出すと共に、前記ＮＡＮＤメモリ中で前記第１領域が占める範囲を指定する第１範囲値（Ｒｒ１）と、前記ＮＡＮＤメモリ中で前記第２領域が占める範囲を指定する第２範囲値（Ｒｒ２）とを読み出し、前記第１範囲値により指定された前記第１領域についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記第２範囲値により指定された前記第２領域についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する、請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項５】
前記第１範囲値および前記第２範囲値の一方または両方は、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項４に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項６】
前記ＮＡＮＤメモリには、前記外部機器が実行するプログラムまたは前記外部機器が使用する地図データが記憶され、
前記第１範囲値および前記第２範囲値の一方または両方は、前記プログラムまたは前記地図データの更新時に、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項４に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項７】
前記第１領域には、前記外部機器が実行するプログラムが記憶され、
前記第２領域には、前記外部機器が前記プログラムを実行する際に使用する地図データが記憶され、
前記第１リフレッシュ閾値よりも前記第２リフレッシュ閾値の方が大きい、請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項８】
前記第２領域には、前記プログラムまたは前記地図データを更新するための更新用一時データが記憶される、請求項７に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項９】
前記第１領域には、前記外部機器が前記プログラムを実行する際に参照および変更する動的学習データが記憶される、請求項７に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
【請求項１０】
前記第１領域に記憶されるデータのデータサイズよりも、前記第２領域に記憶されるデータのデータサイズの方が大きく、
前記第１リフレッシュ閾値よりも前記第２リフレッシュ閾値の方が大きく、
前記第１領域に記憶されるデータのデータサイズに対する前記第１領域の容量の比は、前記第２領域に記憶されるデータのデータサイズに対する前記第２領域の容量の比よりも大きい、請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＮＡＮＤストレージデバイスに関するものである。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＮＡＮＤメモリを有するＮＡＮＤストレージデバイスにおいては、データが書き込まれてから時間が経過したり、データが何度も読み出されたりすることで、ビットエラーが発生する場合がある。これに対応するため、領域のブロック毎にビットエラー発生率が閾値を超えた場合にセルフリフレッシュを行ってビットエラーを抑制する技術が、例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－２７６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような技術について、発明者の検討によれば、以下のような問題がある。すなわち、セルフリフレッシュの閾値が低すぎると、必要以上にリフレッシュがなされ、ＮＡＮＤメモリ中のメモリセルが摩耗する。一方、閾値が高すぎると、比較的長い期間リフレッシュがされない状態でＮＡＮＤストレージデバイスの電源がオフになり、その後長期間（例えば１年）オフの状態が継続してリフレッシュが行われないという状況が発生し得る。そのような場合には、ビットエラーが増えすぎてデータが消失してしまう可能性がある。
【０００５】
本開示は、ＮＡＮＤストレージデバイスにおいて、ＮＡＮＤメモリに含まれるデータの特性に応じたセルフリフレッシュの閾値設定を行うことができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、ＮＡＮＤストレージデバイスが、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵されるＮＡＮＤメモリ（１１）と、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵され、前記ＮＡＮＤストレージデバイスの外部にある外部機器（２）からのコマンドに従って前記ＮＡＮＤメモリに対して読み書きを行う内蔵コントローラ（１２）と、を備え、
前記内蔵コントローラは、第１リフレッシュ閾値（Ｔｈ１）と第２リフレッシュ閾値（Ｔｈ２）を読み出し、前記ＮＡＮＤメモリのうち第１領域（Ｒ１）についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記ＮＡＮＤメモリのうち前記第１領域とは異なる第２領域（Ｒ２）についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する。
【０００７】
このように、ＮＡＮＤメモリ中の領域毎に、リフレッシュを開始する閾値を設定できるようにすることで、各領域に含まれるデータ特性に応じたセルフリフレッシュの閾値設定が可能になる。
【０００８】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る制御システムの構成図である。
ＮＡＮＤメモリ中の構成を示す図である。
内蔵コントローラのプロセッサが実行する誤り訂正処理のフローチャートである。
内蔵コントローラのプロセッサが実行するリフレッシュ処理のフローチャートである。
第２実施形態におけるデータサーバ、制御装置、ＮＡＮＤストレージデバイスの作動を示すシーケンス図である。
第３実施形態におけるＮＡＮＤメモリ中の各種データのサイズを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、本開示の第１実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態に係る制御システムは、ＮＡＮＤストレージデバイス１と、制御装置２とを有する。この制御システムは、車両に搭載されている。制御システムは、１つのユニットとして一体的に形成されていてもよいし、別体に形成されてもよい。ＮＡＮＤストレージデバイス１にとっては、この制御装置２はＮＡＮＤストレージデバイス１の外部にある外部機器に相当する。以下、この制御システムが車両に搭載されて当該車両の走行を支援する装置である例について、説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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