特許ウォッチ

公開番号2024177732
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-24
出願番号2023096033
出願日2023-06-12
発明の名称メモリモジュールおよび形状測定機
出願人株式会社ミツトヨ
代理人弁理士法人樹之下知的財産事務所
主分類G11C 5/14 20060101AFI20241217BHJP(情報記憶)
要約【課題】バッテリの消費を抑制可能なメモリモジュールにおいて、揮発性メモリの不具合発生を抑制する
【解決手段】メモリモジュール1は、揮発性メモリであるSRAM132と、バッテリ12の電力をSRAM132に供給する電力供給経路L1と、SRAM132に対して並列な関係で電力供給経路L1に接続された第1コンデンサ31と、第1コンデンサ31に対して並列な関係で電力供給経路L1に接続された放電抵抗33と、電力供給経路L1をバッテリに接続するオン状態と、電力供給経路L1を放電切替経路L2に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチ41と、バッテリスイッチ41がオン状態からオフ状態に切り替えられ、かつ、電力供給経路L1からバッテリスイッチ41を介して放電切替経路L2に任意の電荷が流入する間、放電抵抗33をグランドに接続する放電スイッチ42と、を備える
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
揮発性メモリと、
バッテリの電力を前記揮発性メモリに供給する電力供給経路と、
前記揮発性メモリに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第１コンデンサと、
前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された放電抵抗と、
前記電力供給経路を前記バッテリに接続するオン状態と、前記電力供給経路を放電切替経路に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチと、
前記バッテリスイッチが前記オン状態から前記オフ状態に切り替えられ、かつ、前記電力供給経路から前記バッテリスイッチを介して前記放電切替経路に任意の電荷が流入する間、前記放電抵抗をグランドに接続する放電スイッチと、を備える、メモリモジュール。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記電力供給経路に設けられ、かつ、前記第１コンデンサから前記バッテリへの電流の逆流を防止するダイオードと、
前記ダイオードの上流側において、前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第２コンデンサと、をさらに備える、請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項３】
前記放電スイッチは、前記放電切替経路に接続された制御端子を有し、かつ、前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続された半導体スイッチである、請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項４】
前記放電スイッチは、
前記放電切替経路に設けられた発光ダイオードと、
前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続され、前記発光ダイオードから光信号を受光するフォトトランジスタと、を有する、請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項５】
ワークの表面粗さを測定する形状測定機であって、
請求項１～４のいずれか一項に記載のメモリモジュールと、
前記揮発性メモリに電力を供給する前記バッテリと、
前記揮発性メモリに保存された測定条件に基づいて測定処理を行うプロセッサと、を含み、
前記バッテリスイッチが前記オフ状態から前記オン状態に切り替えられた場合、前記プロセッサは、前記測定条件のデフォルトデータを前記揮発性メモリに書き込む、形状測定機。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、揮発性メモリを有するメモリモジュールおよび形状測定機に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、プログラムやデータを一時的に格納するメモリとして、ＳＲＡＭやＤＲＡＭなどの揮発性メモリが利用される。この揮発性メモリは、素早い応答性を有するが、電力供給を受けない状態ではデータを保持できない。そこで、外部電源が遮断された場合には、バッテリの電力を利用することで揮発性メモリのデータを維持する電子機器が存在する（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来、ワークの表面粗さを測定する形状測定機では、測定動作を行うために、種々の設定パラメータを含む測定条件を必要とする（例えば特許文献２参照）。このような測定条件は、上述したような揮発性メモリに書き込まれることで、素早い測定動作を可能にする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平６－２６６４７６号公報
特開２０２２－８９１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、特許文献１に開示されるようなバッテリを有する電子機器では、電子機器を長期間使用しない場合、バッテリの消費を抑制するためにバッテリの電力を遮断することが望ましい。本発明者らは、揮発性メモリに対するバッテリの電力遮断に関して検討したところ、以下の問題を見出した。
まず、揮発性メモリと、バッテリと揮発性メモリとの間の接続をオンオフするバッテリスイッチとを有するメモリモジュールを想定する。このメモリモジュールにおいて、バッテリスイッチがオンからオフに切り替えられた場合、揮発性メモリの電圧は、メモリモジュール内のコンデンサなどの影響を受けることで緩やかに降下する。ここで、揮発性メモリの電圧がデータ保持可能な電圧値を下回った直後にバッテリスイッチがオフからオンに切り替えられた場合、揮発性メモリのデータが部分的に消失しつつ完全に消去されない状態で電源が再投入されることがある。このような場合、プロセッサが揮発性メモリの部分的なデータ消失を検出できないまま再起動され、正常な出力を実行できないことがある。
特に、電子機器が特許文献２のような形状測定機である場合には、プロセッサが揮発性メモリに書き込まれているはずの測定条件を読み取ることができず、エラーが生じるという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、バッテリの消費を抑制可能なメモリモジュールおよび形状測定機において、揮発性メモリの不具合発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係るメモリモジュールは、揮発性メモリと、バッテリの電力を前記揮発性メモリに供給する電力供給経路と、前記揮発性メモリに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第１コンデンサと、前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された放電抵抗と、前記電力供給経路を前記バッテリに接続するオン状態と、前記電力供給経路を放電切替経路に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチと、前記バッテリスイッチが前記オン状態から前記オフ状態に切り替えられ、かつ、前記電力供給経路から前記バッテリスイッチを介して前記放電切替経路に任意の電荷が流入する間、前記放電抵抗をグランドに接続する放電スイッチと、を備える。
このような構成では、バッテリスイッチがオン状態からオフ状態に切り替えられると、放電抵抗がグランドに接続されることで、第１コンデンサが放電抵抗により放電される。その結果、揮発性メモリに加わる電圧が急速に低下するため、揮発性メモリのデータが素早く消去される。よって、バッテリスイッチが連続的に切り替え操作された場合において、揮発性メモリに対するバッテリの電力遮断後、当該電力が再投入される前に、揮発性メモリのデータを完全に消去することができる。これにより、揮発性メモリのデータが部分的に消失した状態で電力を再投入されることを抑制でき、揮発性メモリにおける不完全なデータ消失状態という不具合の発生を抑制できる。
【０００８】
本発明の一態様に係るメモリモジュールは、前記電力供給経路に設けられ、かつ、前記第１コンデンサから前記バッテリへの電流の逆流を防止するダイオードと、前記ダイオードの上流側において、前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第２コンデンサと、をさらに備えることが好ましい。
このような構成では、第２コンデンサに蓄積された電荷を利用して放電スイッチが好適にオン動作することができる。
【０００９】
本発明の一態様に係るメモリモジュールにおいて、前記放電スイッチは、前記放電切替経路に接続された制御端子を有し、かつ、前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続された半導体スイッチであってもよい。
【００１０】
本発明の一態様に係るメモリモジュールにおいて、前記放電スイッチは、前記放電切替経路に設けられた発光ダイオードと、前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続され、前記発光ダイオードから光信号を受光するフォトトランジスタと、を有してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許