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公開番号
2024177366
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-12-19
出願番号
2024173995,2023093938
出願日
2024-10-03,2011-02-17
発明の名称
半導体装置
出願人
株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類
G11C
11/405 20060101AFI20241212BHJP(情報記憶)
要約
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも
制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワ
イドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジス
タのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわた
って情報を保持することが可能である。また、信号線の電位変化のタイミングを、書き込
みワード線の電位変化のタイミングより遅らせる。これによって、データの書き込みミス
を防ぐことが可能である。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
書き込みワード線と、読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、信号線と、複数のメモリセルでなるメモリセルアレイと、第1の駆動回路と、第2の駆動回路と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第1のゲート電極、第1のソース電極、第1のドレイン電極、及び第1のチャネル形成領域を含む第1のトランジスタと、
第2のゲート電極、第2のソース電極、第2のドレイン電極、及び第2のチャネル形成領域を含む第2のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第2のチャネル形成領域は酸化物半導体を含み、
前記第1のゲート電極と、前記第2のドレイン電極と、前記容量素子の電極の一方と、は電気的に接続され、
前記容量素子は前記第2のトランジスタがオフすることにより前記容量素子の電極間の電圧を保持するように構成され、
前記第1の駆動回路は、前記ビット線を介して、前記第1のドレイン電極と電気的に接続され、また、前記信号線を介して、前記第2のソース電極と電気的に接続され、
前記第2の駆動回路は、前記読み出しワード線を介して前記容量素子の電極の他方と電気的に接続され、また、前記書き込みワード線を介して、前記第2のゲート電極と電気的に接続され、
前記第2の駆動回路は、前記書き込みワード線に入力される信号よりも前記信号線に入力される信号を遅らせる機能を有する半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
開示する発明は、半導体素子を利用した半導体装置およびその駆動方法に関するものであ
る。
続きを表示(約 1,700 文字)
【背景技術】
【0002】
半導体素子を利用した記憶装置は、電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性の
ものと、電力の供給がなくなっても記憶内容は保持される不揮発性のものとに大別される
。
【0003】
揮発性記憶装置の代表的な例としては、DRAM(Dynamic Random Ac
cess Memory)がある。DRAMは、記憶素子を構成するトランジスタを選択
してキャパシタに電荷を蓄積することで、情報を記憶する。
【0004】
上述の原理から、DRAMでは、情報を読み出すとキャパシタの電荷は失われるため、情
報の読み出しの度に、再度の書き込み動作が必要となる。また、記憶素子を構成するトラ
ンジスタにおいてはオフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)等によっ
て、トランジスタが選択されていない状況でも電荷が流出、または流入するため、データ
の保持期間が短い。このため、所定の周期で再度の書き込み動作(リフレッシュ動作)が
必要であり、消費電力を十分に低減することは困難である。また、電力の供給がなくなる
と記憶内容が失われるため、長期間の記憶の保持には、磁性材料や光学材料を利用した別
の記憶装置が必要となる。
【0005】
揮発性記憶装置の別の例としてはSRAM(Static Random Access
Memory)がある。SRAMは、フリップフロップなどの回路を用いて記憶内容を
保持するため、リフレッシュ動作が不要であり、この点においてはDRAMより有利であ
る。しかし、フリップフロップなどの回路を用いているため、記憶容量あたりの単価が高
くなるという問題がある。また、電力の供給がなくなると記憶内容が失われるという点に
ついては、DRAMと変わるところはない。
【0006】
不揮発性記憶装置の代表例としては、フラッシュメモリがある。フラッシュメモリは、ト
ランジスタのゲート電極とチャネル形成領域との間にフローティングゲートを有し、当該
フローティングゲートに電荷を保持させることで記憶を行うため、データの保持期間は極
めて長く(半永久的)、揮発性記憶装置で必要なリフレッシュ動作が不要であるという利
点を有している(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
しかし、書き込みの際に生じるトンネル電流によって記憶素子を構成するゲート絶縁層が
劣化するため、所定回数の書き込みによって記憶素子が機能しなくなるという問題が生じ
る。この問題の影響を緩和するために、例えば、各記憶素子の書き込み回数を均一化する
手法が採られるが、これを実現するためには、複雑な周辺回路が必要になってしまう。そ
して、このような手法を採用しても、根本的な寿命の問題が解消するわけではない。つま
り、フラッシュメモリは、情報の書き換え頻度が高い用途には不向きである。
【0008】
また、フローティングゲートに電荷を注入させるため、または、その電荷を除去するため
には、高い電圧が必要であり、また、そのための回路も必要である。さらに、電荷の注入
、または除去のためには比較的長い時間を要し、書き込み、消去の高速化が容易ではない
という問題もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
特開昭57-105889号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
上述の問題に鑑み、開示する発明の一態様では、電力が供給されない状況でも記憶内容の
保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する
ことを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
(【0011】以降は省略されています)
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