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公開番号2024087022
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-28
出願番号2024070353,2022079908
出願日2024-04-24,2018-01-31
発明の名称ガラス
出願人日本電気硝子株式会社
代理人
主分類C03C 3/091 20060101AFI20240621BHJP(ガラス;鉱物またはスラグウール)
要約【課題】p-Si・TFTの製造工程で熱収縮量が小さく、しかも耐失透性や溶融性が高いガラスを創案する。
【解決手段】本発明のガラスは、ガラス組成として、モル%で、SiO₂ 67～73%、Al₂O₃ 10～15%、B₂O₃ 0～3%未満、Li₂O+Na₂O+K₂O 0～0.5%、MgO 0～8.5%、CaO 3.5～12%、SrO 0～2.5%、BaO 1～6%を含有し、歪点(℃)をAl₂O₃の含有量(モル%)で除した値が51以上であることを特徴とする。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ
２
６７～７３％、Ａｌ
２
Ｏ
３
１０～１５％、Ｂ
２
Ｏ
３
０～３％未満、Ｌｉ
２
Ｏ＋Ｎａ
２
Ｏ＋Ｋ
２
Ｏ０～０．５％、ＭｇＯ０～８．５％、ＣａＯ３．５～１２％、ＳｒＯ０～２．５％、ＢａＯ１～６％を含有し、歪点（℃）をＡｌ
２
Ｏ
３
の含有量（モル％）で除した値が５１以上であることを特徴とするガラス。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ
２
６７～７３％、Ａｌ
２
Ｏ
３
１０～１５％、Ｂ
２
Ｏ
３
０～１．３％、Ｌｉ
２
Ｏ＋Ｎａ
２
Ｏ＋Ｋ
２
Ｏ０～０．５％、ＭｇＯ０～３．２％、ＣａＯ３．５～１２％、ＳｒＯ０～２％、ＢａＯ３．５～６％を含有し、ＣａＯ－（ＳｒＯ＋ＢａＯ）が３．１％以上、モル比ＣａＯ／Ａｌ
２
Ｏ
３
が１．０５以下、モル比ＳｒＯ／ＢａＯが０．０３～０．５０であることを特徴とする請求項１に記載のガラス。
【請求項３】
ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ
２
６７～７３％、Ａｌ
２
Ｏ
３
１２～１５％、Ｂ
２
Ｏ
３
０～１．８％未満、Ｌｉ
２
Ｏ＋Ｎａ
２
Ｏ＋Ｋ
２
Ｏ０～０．５％未満、ＭｇＯ０～６％、ＣａＯ５％以上、ＳｒＯ０～２％、ＢａＯ３．５％以上を含有し、ＣａＯ－（ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．７％以上、モル比ＳｒＯ／ＢａＯが０．３８以下、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ
２
Ｏ
３
が１．０９～１．７０、歪点（℃）をＡｌ
２
Ｏ
３
の含有量（モル％）で除した値が５５以上であることを特徴とする請求項１に記載のガラス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスに関し、特に、有機ＥＬディスプレイの基板、ポリイミド基板上に有機ＥＬ素子を作製する際に用いられるキャリアガラス等に好適なガラスに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイ等の電子デバイスは、薄型で動画表示に優れ、消費電力が少ないため、携帯電話のディスプレイ等に使用されている。また、ポリイミド基板を用いた有機ＥＬディスプレイは、軽量で柔軟性を兼ね備えるため、様々なディスプレイへの応用が進んでいる。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイの基板には、ガラス板が広く使用されている。そして、ポリイミド基板上に有機ＥＬ素子を作製する際に用いられるキャリアガラスにもガラス板が使用されている。これらの用途のガラス板には、主に以下の特性が要求される。
（１）熱処理工程で成膜された半導体物質中にアルカリイオンが拡散する事態を防止するため、アルカリ金属酸化物の含有量が少ないこと。
（２）ガラス板を低廉化するため、生産性に優れること、特に耐失透性や溶融性に優れること。
（３）ｐ－Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程において、熱収縮量を低減するため、歪点が高いこと。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特表２００９－５２５９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記要求特性（３）について詳述すると、ｐ－Ｓｉ・ＴＦＴの成膜工程には４００～６００℃の熱処理工程が存在し、この熱処理工程でガラス板に熱収縮と呼ばれる微小な寸法変化が生じる。熱収縮量が大きいと、ＴＦＴの画素ピッチにズレが生じて、表示不良の原因となる。有機ＥＬディスプレイの場合、数ｐｐｍ程度の寸法収縮でも表示不良となる虞がある。なお、ガラス板が受ける熱処理温度が高い程、熱収縮が大きくなる。
【０００６】
またポリイミド基板上に有機ＥＬ素子を作製する際に用いられるキャリアガラスの場合でも、有機ＥＬ素子をガラス板上に作製する場合と同様の温度の熱処理工程を経由する。そして、ガラス板の熱収縮量が大きいと、その熱収縮がポリイミド基板に伝わるため、画素ピッチにズレを惹起させる。
【０００７】
上記から分かるように、これらの用途では、熱収縮し難いガラス板が有利になる。熱収縮量を低減する方法として、ガラス板を成形した後、アニール点付近でアニール処理を行う方法がある。しかし、アニール処理は長時間を要するため、ガラス板の製造コストが高騰してしまう。
【０００８】
他の方法として、ガラス板の歪点を高める方法がある。歪点が高い程、ｐ－Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程で熱収縮が生じ難くなる。例えば、特許文献１には、高歪点のガラス板が開示されている。
【０００９】
しかしながら、高歪点のガラスは、一般的に難溶性のＳｉＯ
２
やＡｌ
２
Ｏ
３
を多量に含むため、耐失透性や溶融性（特にバッチ溶解性）が低く、安価で高品位のガラスを安定して製造することが困難である。よって、高歪点のガラスは、上記要求特性（２）を満たすことが困難である。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は、ｐ－Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程で熱収縮量が小さく、しかも耐失透性や溶融性が高いガラスを創案することである。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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