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公開番号2024145889
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-15
出願番号2023058456
出願日2023-03-31
発明の名称石英ガラス
出願人三菱ケミカル株式会社
代理人個人,個人
主分類C03C 3/06 20060101AFI20241004BHJP(ガラス;鉱物またはスラグウール)
要約【課題】エッチング処理に伴うパーティクルの発生を抑制するエッチング耐性に優れた石英ガラスを提供する。
【解決手段】ガス種CHF₃、ICPパワー200W、圧力1.8Pa、流量30sccmの条件で4時間エッチングした時に発生するパーティクルをEDS法により分析した際、測定領域が0.96mm²の範囲での、Al及びClの検出信号強度がいずれも30cps/eV以下である、石英ガラス。前記石英ガラス中の金属不純物量が0.1ppm以下であることが好ましい。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
ガス種ＣＨＦ
３
、ＩＣＰパワー２００Ｗ、圧力１．８Ｐａ、流量３０ｓｃｃｍの条件で４時間エッチングした時に発生するパーティクルをＥＤＳ法により分析した際、測定領域が０．９６ｍｍ
２
の範囲での、Ａｌ及びＣｌの検出信号強度がいずれも３０ｃｐｓ／ｅＶ以下である、石英ガラス。
続きを表示（約 100 文字）【請求項２】
前記石英ガラス中の金属不純物量が０．１ｐｐｍ以下である、請求項１に記載の石英ガラス。
【請求項３】
前記石英ガラスが非晶質である、請求項１に記載の石英ガラス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、石英ガラスに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造のドライエッチングプロセスには、耐熱、耐食性の観点から石英ガラス部材が用いられているが、エッチング対象と同じように、石英ガラス部材自体も、フルオロカーボン系エッチングガスの作用を受けてエッチングされる。石英ガラス部材がエッチングを受けると、その際に発生するパーティクルが処理対象の半導体チップ上に付着したり装置内の汚染を引き起こしたりして、半導体製造プロセスの歩留まりを下げる要因となっている。
【０００３】
パーティクルに対しては、「装置・プロセス条件による発生パーティクル量の制御」と「石英ガラス部材への耐エッチング特性の付与」の２種類の対応が知られている（特許文献１、非特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、このような対応をとっても、パーティクルは発生し続け、歩留まり向上の妨げとなっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００７－０４５６９９号公報
特開２００４－１４２９９６号公報
【非特許文献】
【０００６】
Particle reduction and control in plasma etching equipment, T. Moriya, H. Nakayama, H. Nagaike, Y. Kobayashi, M. Shimada and K. Okuyama, IEEE Trans. Semicond. Manufact., 18, 477 (2005)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、エッチング処理に伴うパーティクルの発生を抑制するエッチング耐性に優れた石英ガラスを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、フルオロカーボン系エッチングガスによるシリカのエッチングメカニズムの理解のもと、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、エッチング時に発生するパーティクルの組成が特定の範囲内であることで、上記課題が解決できることを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明は以下の通りである。
【０００９】
［１］ガス種ＣＨＦ
３
、ＩＣＰパワー２００Ｗ、圧力１．８Ｐａ、流量３０ｓｃｃｍの条件で４時間エッチングした時に発生するパーティクルをＥＤＳ法により分析した際、測定領域が０．９６ｍｍ
２
の範囲での、Ａｌ及びＣｌの検出信号強度がいずれも３０ｃｐｓ／ｅＶ以下である、石英ガラス。
【００１０】
［２］前記石英ガラス中の金属不純物量が０．１ｐｐｍ以下である、［１］の石英ガラス。
（【００１１】以降は省略されています）

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