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公開番号2025177462
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-05
出願番号2024084317
出願日2024-05-23
発明の名称半導体試験装置および半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人高田・高橋国際特許事務所
主分類H01L 21/683 20060101AFI20251128BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】複数のサイズのリム付き半導体ウエハをセットすることができる半導体試験装置および、その半導体試験装置を用いた半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本開示に係る半導体試験装置は、リムを有した半導体ウエハが上面に搭載される円盤状のチャックトップと、コンタクトプローブと、を備え、前記チャックトップの前記上面には、前記チャックトップの外縁と同心円状に形成された円環状のリム落とし込み溝と、前記リム落とし込み溝よりも内側に形成され、半導体ウエハを吸着するように構成された第1吸着孔と、前記リム落とし込み溝よりも外側に形成され、半導体ウエハを吸着するように構成された第2吸着孔と、が形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
リムを有した半導体ウエハが上面に搭載される円盤状のチャックトップと、
コンタクトプローブと、
を備え、
前記チャックトップの前記上面には、
前記チャックトップの外縁と同心円状に形成された円環状のリム落とし込み溝と、
前記リム落とし込み溝よりも内側に形成され、半導体ウエハを吸着するように構成された第１吸着孔と、
前記リム落とし込み溝よりも外側に形成され、半導体ウエハを吸着するように構成された第２吸着孔と、
が形成されていることを特徴とする半導体試験装置。
続きを表示（約 890 文字）【請求項２】
前記チャックトップの前記上面のうち、前記リム落とし込み溝よりも内側には、前記第１吸着孔および前記第２吸着孔とは独立した圧力系統に繋がる第１凹部が形成され、
前記第１凹部には、前記第１凹部の内部の圧力を検出するように構成された圧力計が接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体試験装置。
【請求項３】
前記第１凹部には、近接センサまたは光学センサが設けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体試験装置。
【請求項４】
前記チャックトップの前記上面のうち、前記リム落とし込み溝よりも外側には、前記第１吸着孔および前記第２吸着孔とは独立した圧力系統に繋がる第２凹部が形成され、
前記第２凹部には、前記第２凹部の内部の圧力を検出するように構成された圧力計が接続されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体試験装置。
【請求項５】
前記第２凹部には、近接センサまたは光学センサが設けられることを特徴とする請求項４に記載の半導体試験装置。
【請求項６】
前記リム落とし込み溝を埋めるスペーサを備えることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体試験装置。
【請求項７】
前記スペーサは少なくとも表面が導電性であることを特徴とする請求項６に記載の半導体試験装置。
【請求項８】
前記リム落とし込み溝の底部には、前記スペーサを吸着するように構成された第３吸着孔が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体試験装置。
【請求項９】
前記リム落とし込み溝の底部から前記リム落とし込み溝の内部に突出して、前記スペーサを持ち上げるように構成されたリフトアップピンを備えることを特徴とする請求項６に記載の半導体試験装置。
【請求項１０】
前記リム落とし込み溝の幅は、底部側よりも上面側の方が広いことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体試験装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体試験装置および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、リム構造を持つ半導体ウエハを吸着できる半導体ウエハプロセス用吸着プレートが開示されている。この吸着プレートは、ウエハ裏面内周部のウエハ凹部底面の平坦面に密着する凸部表面と、ウエハ裏面外周の環状補強リブを収納する外周凹部を備える。凸部表面の外周から２ｍｍ以上５ｍｍ以内の円周上には、複数の減圧用吸着孔が対称配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－２１６４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、半導体ウエハをセットするチャックトップは、１つの半導体ウエハのサイズの専用として作製される。つまり、複数のサイズの半導体ウエハを１つのチャックトップにセットする事は想定されていない場合が多い。ここで、例えば１２インチ半導体ウエハ対応のチャックトップに８インチ半導体ウエハを乗せることは可能である。しかし、ウエハ外周に内周よりも突出したリムを有したウエハの場合は、想定されたサイズよりも小さいウエハをチャックトップに載せても、リムの影響で正常に半導体ウエハを吸着することが出来ない。
【０００５】
特許文献１では、リムを有した半導体ウエハに対応するチャックトップが開示されている。しかし、特許文献１においても、特定のサイズの半導体ウエハをチャックトップにセットすることが前提とされている。つまり、チャックトップで想定している半導体ウエハより小さい半導体ウエハのセットは不可能である。このため、異なるサイズの半導体ウエハをセットする為には、チャックトップ全体を交換するか、専用の設備を新規導入する必要がある。これにより、大きな手間およびコストがかかるといった課題があった。
【０００６】
本開示は、上述の課題を解決するためになされたもので、複数のサイズのリム付き半導体ウエハをセットすることができる半導体試験装置および、その半導体試験装置を用いた半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の開示に係る半導体試験装置は、リムを有した半導体ウエハが上面に搭載される円盤状のチャックトップと、コンタクトプローブと、を備え、前記チャックトップの前記上面には、前記チャックトップの外縁と同心円状に形成された円環状のリム落とし込み溝と、前記リム落とし込み溝よりも内側に形成され、半導体ウエハを吸着するように構成された第１吸着孔と、前記リム落とし込み溝よりも外側に形成され、半導体ウエハを吸着するように構成された第２吸着孔と、が形成されている。
【０００８】
第２の開示に係る半導体試験装置は、主面と、前記主面から突出した凸部と、を有するチャックトップと、円環状であり、前記凸部を囲むように前記主面に配置され、交換可能であるスペーサリングと、コンタクトプローブと、を備え、前記スペーサリングの外縁を形成する側面と、リムを有した半導体ウエハの前記リムが対向するように、前記凸部の上面と前記スペーサリングの上面に前記半導体ウエハが搭載される。
【０００９】
第１の開示に係る半導体装置の製造方法は、円盤状であり、チャックトップの外縁と同心円状に形成された円環状のリム落とし込み溝と、前記リム落とし込み溝よりも内側に形成された第１吸着孔と、前記リム落とし込み溝よりも外側に形成された第２吸着孔と、が上面に形成された前記チャックトップの前記上面に、リムを有した半導体ウエハを搭載し、前記チャックトップの前記上面に前記半導体ウエハを搭載した状態で、コンタクトプローブにより前記半導体ウエハの電気特性を測定し、前記チャックトップの前記上面に前記半導体ウエハを搭載した状態において、前記リムは、前記半導体ウエハのサイズに応じて、前記リム落とし込み溝に配置、または、前記チャックトップの前記外縁を形成する側面と対向するように配置され、前記リムが前記リム落とし込み溝に配置された状態では、前記第１吸着孔が前記半導体ウエハを吸着し、前記リムが前記チャックトップの前記側面と対向するように配置された状態では、前記第２吸着孔が前記半導体ウエハを吸着する。
【００１０】
第２の開示に係る半導体装置の製造方法は、主面と、前記主面から突出した凸部と、を有するチャックトップの前記主面に、前記凸部を囲むように円環状のスペーサリングを配置し、前記スペーサリングの外縁を形成する側面と、リムを有した半導体ウエハの前記リムが対向するように、前記凸部の上面と前記スペーサリングの上面に前記半導体ウエハを搭載し、前記凸部の上面と前記スペーサリングの上面に前記半導体ウエハを搭載した状態で、コンタクトプローブにより前記半導体ウエハの電気特性を測定し、前記スペーサリングは、前記半導体ウエハのサイズに合わせて交換される。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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