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公開番号2025067925
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2025015070,2020149281
出願日2025-01-31,2020-09-04
発明の名称樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250417BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】一態様において、樹脂マスク除去性を大きく損なうことなく、銅腐食を抑制できる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、水溶性アミン(成分A)、第4級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも1種のアルカリ剤(成分B)、炭酸イオン(成分C)及び水(成分D)を含有し、成分Cの濃度が0.3mol/L以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
水溶性アミン（成分Ａ）、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）、炭酸イオン（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ｃの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
水溶性アミン（成分Ａ）と、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）と、炭酸塩（成分Ｃ´）と、水（成分Ｄ）とを配合してなり、
成分Ｃ´の濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
【請求項３】
成分Ａが、下記式（Ｉ）で表されるアミンである、請求項１又は２に記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
TIFF
2025067925000004.tif
28
159
式（Ｉ）中、Ｒ
１
は水素原子、水酸基、炭素数１～６の炭化水素基、炭素数１～６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１～６のアミノアルキル基であり、Ｒ
２
及びＲ
３
はそれぞれ同一又は異なり、水素原子、炭素数１～６の炭化水素基、炭素数１～６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１～６のアミノアルキル基であり、Ｒ
１
、Ｒ
２
及びＲ
３
は同時に水素原子とはならない。
【請求項４】
成分Ｄの含有量が５０質量％以上９５質量％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】
水溶性アミン（成分Ａ）、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）、炭酸イオン（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｃの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以上である洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法。
【請求項６】
水溶性アミン（成分Ａ）と、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）と、炭酸塩（成分Ｃ´）と、水（成分Ｄ）とを配合してなり、成分Ｃ´の濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以上である洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法。
【請求項７】
水溶性アミン（成分Ａ）、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）、炭酸イオン（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ａのアミノ基をカチオン化させた洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法。
【請求項８】
水溶性アミン（成分Ａ）と、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）と、炭酸塩（成分Ｃ´）と、水（成分Ｄ）とを配合してなり、成分Ａのアミノ基をカチオン化させた洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法。
【請求項９】
銅含有金属層が、銅めっき層である、請求項５から８のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１０】
樹脂マスクが、硬化したレジスト層である、請求項５から９のいずれかに記載の洗浄方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物、これを用いる基板の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。
【０００３】
新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、剥離・除去等の洗浄に使用する洗浄剤として、アルカリ剤と水とを含む樹脂マスク剥離用洗浄剤が知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、はんだバンプの加熱処理後の樹脂マスク層の除去の促進とはんだ腐食の抑制とを両立でき、はんだ接続信頼性を向上させうる洗浄剤として、特定の第四級アンモニウム水酸化物、水溶性アミン、酸又はそのアンモニウム塩、及び、水を含有する樹脂マスク層用洗浄剤組成物が記載されている。そして、実施例には酸のアンモニウム塩として、炭酸アンモニウムを用いたことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１５－７９２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
プリント基板等に微細配線を形成する上で、樹脂マスクの残存はもちろんのこと、微細配線やバンプ形成に用いられるはんだやめっき液等に含まれる助剤等の残存を低減するため、洗浄剤組成物には高い洗浄性が要求される。
ここで、樹脂マスクとは、光や電子線等によって現像液に対する溶解性等の物性が変化するレジストを用いて形成されるものである。レジストは、光や電子線との反応方法から、ネガ型とポジ型に大きく分けられている。ネガ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が低下する特性を有し、ネガ型レジストを含む層（以下、「ネガ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が樹脂マスクとして使用される。ポジ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が増大する特性を有し、ポジ型レジストを含む層（以下、「ポジ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が除去され、未露光部が樹脂マスクとして使用される。このような特性を有する樹脂マスクを使用することで、金属配線、金属ピラーやハンダバンプといった回路基板の微細な接続部を形成することができる。
【０００７】
しかしながら、配線が微細化するにつれて、微細な隙間にある樹脂マスクを除去することが困難になってきており、洗浄剤組成物には、高い樹脂マスク除去性が要求される。さらに、配線や接続端子の多くに使用される銅の腐食はパッケージ基板の品質及び価値の低下を招くことから、洗浄剤組成物には高い腐食の防止能が要求される。特許文献１に開示の技術では、高い樹脂マスク除去性やはんだの腐食抑制効果を有しているが、銅の腐食抑制効果は十分ではない。
【０００８】
そこで、本開示は、一態様において、樹脂マスク除去性（剥離性）を大きく損なうことなく、銅腐食を抑制できる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物及び基板の洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示は、一態様において、水溶性アミン（成分Ａ）、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）、炭酸イオン（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｃの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。
【００１０】
本開示は、一態様において、水溶性アミン（成分Ａ）と、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカリ金属水酸化物から選ばれる少なくとも１種のアルカリ剤（成分Ｂ）と、炭酸塩（成分Ｃ´）と、水（成分Ｄ）とを配合してなり、成分Ｃ´の濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。
（【００１１】以降は省略されています）

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