特許ウォッチ

公開番号2025057546
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023167253
出願日2023-09-28
発明の名称回路装置、電気光学装置及び電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G09G 3/36 20060101AFI20250402BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】容量性負荷を高速に駆動するアンプ回路を低消費電力にできる回路装置等を提供すること。
【解決手段】回路装置100は、第1電圧を出力するD/A変換回路111と、第1耐圧のトランジスターにより構成される第1アンプ回路121と、第1耐圧より低い第2耐圧のトランジスターにより構成される第2アンプ回路122と、第2アンプ回路122の出力端子と第1アンプ回路121の出力端子との間に配置される出力キャパシターCQと、第2アンプ回路122の反転入力端子と第1アンプ回路121の出力端子との間に配置される第1フィードバックキャパシターCfaと、第2アンプ回路122の反転入力端子と所定電位ノードとの間に配置される第2フィードバックキャパシターCfbと、を含む。第1アンプ回路121には、第1電圧が入力される。第2アンプ回路122の非反転入力端子には、第1電圧より低い第2電圧が、入力される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
入力データをＤ／Ａ変換することで第１電圧を出力するＤ／Ａ変換回路と、
前記第１電圧が入力され、第１耐圧のトランジスターにより構成される第１アンプ回路と、
前記入力データのＤ／Ａ変換電圧に対応し且つ前記第１電圧より低い第２電圧が非反転入力端子に入力され、前記第１耐圧より低い第２耐圧のトランジスターにより構成される第２アンプ回路と、
前記第２アンプ回路の出力端子と前記第１アンプ回路の出力端子との間に配置される出力キャパシターと、
前記第２アンプ回路の反転入力端子と前記第１アンプ回路の出力端子との間に配置される第１フィードバックキャパシターと、
前記第２アンプ回路の反転入力端子と所定電位ノードとの間に配置される第２フィードバックキャパシターと、
を含むことを特徴とする回路装置。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
請求項１に記載された回路装置において、
前記第２アンプ回路は、前記入力データの変化タイミングから遅れて、ディセーブル状態からイネーブル状態に設定されることを特徴とする回路装置。
【請求項３】
請求項１に記載された回路装置において、
前記Ｄ／Ａ変換回路の出力ノードと前記第２アンプ回路の非反転入力端子との間に配置される第１分圧キャパシターと、
前記第２アンプ回路の非反転入力端子と前記所定電位ノードとの間に配置される第２分圧キャパシターと、
を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項４】
請求項３に記載された回路装置において、
前記第１分圧キャパシターと前記第２分圧キャパシターの分圧比は、前記第１フィードバックキャパシターと前記第２フィードバックキャパシターの分圧比と同じであることを特徴とする回路装置。
【請求項５】
請求項１に記載された回路装置において、
前記入力データをＤ／Ａ変換することで前記第２電圧を出力する第２Ｄ／Ａ変換回路を含み、
前記Ｄ／Ａ変換回路は、前記第１耐圧のトランジスターで構成され、
前記第２Ｄ／Ａ変換回路は、前記第２耐圧のトランジスターで構成されることを特徴とする回路装置。
【請求項６】
請求項５に記載された回路装置において、
前記Ｄ／Ａ変換回路は、ｎビット（ｎは１以上の整数）の前記入力データのうち上位ｍビット（ｍは１以上でｎ－１以下の整数）をＤ／Ａ変換し、
前記第２Ｄ／Ａ変換回路は、前記ｎビットの前記入力データをＤ／Ａ変換することを特徴とする回路装置。
【請求項７】
請求項６に記載された回路装置において、
前記第１アンプ回路は、前記上位ｍビットのＬＳＢに対応した前記第１電圧の変化幅よりも広い不感帯を有することを特徴とする回路装置。
【請求項８】
請求項３に記載された回路装置において、
一端が前記第２アンプ回路の非反転入力端子に接続される第１～第ｑ調整用キャパシターと、
ｎビット（ｎは１以上の整数）の前記入力データのうち下位ｑビット（ｑは１以上でｎ－１以下の整数）に対応する第１～第ｑ電圧を第１～第ｑ調整用キャパシターの他端に出力する駆動回路と、
を含み、
前記Ｄ／Ａ変換回路は、前記ｎビットの前記入力データのうち上位ｎ－ｑビットをＤ／Ａ変換することを特徴とする回路装置。
【請求項９】
請求項３に記載された回路装置において、
一端が前記第２アンプ回路の反転入力端子に接続される第１～第ｑ調整用キャパシターと、
ｎビット（ｎは１以上の整数）の前記入力データのうち下位ｑビット（ｑは１以上でｎ－１以下の整数）の反転ビットに対応する第１～第ｑ電圧を第１～第ｑ調整用キャパシターの他端に出力する駆動回路と、
を含み、
前記Ｄ／Ａ変換回路は、前記ｎビットの前記入力データのうち上位ｎ－ｑビットをＤ／Ａ変換することを特徴とする回路装置。
【請求項１０】
請求項１に記載された回路装置において、
前記入力データに対応する第１～第ｎキャパシター駆動電圧（ｎは２以上の整数）を第１～第ｎキャパシター駆動用ノードに出力するキャパシター駆動回路と、
前記第１アンプ回路の出力端子と、前記第１～第ｎキャパシター駆動用ノードとの間に配置される第１～第ｎキャパシターを有するキャパシター回路と、
を含むことを特徴とする回路装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置、電気光学装置及び電子機器等に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、容量駆動回路とアンプ回路とを含み、電気光学パネルを駆動するドライバーが開示されている。アンプ回路は、容量駆動回路により電気光学パネルを駆動する容量駆動が開始された後に、階調データに対応するデータ電圧をデータ電圧出力端子に出力する電圧駆動を行う。これにより、電気光学パネルのソース線スイッチがオフからオンになった後のデータ線の電圧低下が、アンプ回路により補われるので、容量駆動におけるデータ電圧の精度低下が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－８０８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶パネルの形式によっては、その駆動に高い電圧が必要であることから、そのような液晶パネルを駆動する駆動回路には、高耐圧のトランジスターで構成された演算増幅器が用いられている。しかしながら、高耐圧のトランジスターは移動度が低いため、演算増幅器の増幅率と周波数応答特性の両立が難しいという課題がある。例えば、電気光学パネルが高解像化すると、１画素の駆動時間が短くなるため、目標電圧に速く収束させる必要がある。収束時間を短くするためには演算増幅器の周波数応答特性を高くする必要があるが、演算増幅器の増幅率を保ったまま周波数応答特性を高くすると演算増幅器の消費電力が大きくなってしまう。なお、上記のような課題は、アンプ回路が液晶パネルを駆動する場合に限らず、アンプ回路が容量性負荷を駆動する場合に同様に生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、入力データをＤ／Ａ変換することで第１電圧を出力するＤ／Ａ変換回路と、前記第１電圧が入力され、第１耐圧のトランジスターにより構成される第１アンプ回路と、前記入力データのＤ／Ａ変換電圧に対応し且つ前記第１電圧より低い第２電圧が非反転入力端子に入力され、前記第１耐圧より低い第２耐圧のトランジスターにより構成される第２アンプ回路と、前記第２アンプ回路の出力端子と前記第１アンプ回路の出力端子との間に配置される出力キャパシターと、前記第２アンプ回路の反転入力端子と前記第１アンプ回路の出力端子との間に配置される第１フィードバックキャパシターと、前記第２アンプ回路の反転入力端子と所定電位ノードとの間に配置される第２フィードバックキャパシターと、を含む回路装置に関係する。
【０００６】
また、本開示の他の態様は、上記の回路装置と、電気光学パネルと、を含む電気光学装置に関係する。
【０００７】
また、本開示の更に他の態様は、上記の回路装置を含む電子機器に関係する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
回路装置の第１構成例。
回路装置における電圧関係を説明する図。
第１構成例における信号波形例。
回路装置の第２構成例。
回路装置の第３構成例。
第３構成例における信号波形例。
第１アンプ回路の不感帯を説明する図。
回路装置の第４構成例。
回路装置の第５構成例。
第５構成例における信号波形例。
第２駆動回路の第２詳細構成例。
第２詳細構成例の第２駆動回路を用いたときの第１信号波形例。
第２詳細構成例の第２駆動回路を用いたときの第２信号波形例。
第２詳細構成例の第２駆動回路を用いたときの第３信号波形例。
第２詳細構成例の第２駆動回路を用いたときの第４信号波形例。
回路装置の第６構成例。
電気光学装置の構成例。
ドライバーとしての回路装置の詳細構成例。
電子機器の構成例。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが必須構成要件であるとは限らない。
【００１０】
１．第１構成例
図１は、回路装置の第１構成例である。回路装置１００は、Ｄ／Ａ変換回路１１１と第１駆動回路１３１と第２駆動回路１３２と分圧回路１４０とを含む。回路装置１００は、例えば、半導体基板に複数の回路素子が集積された集積回路装置である。
（【００１１】以降は省略されています）

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