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公開番号2025041081
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-26
出願番号2023148156
出願日2023-09-13
発明の名称磁気記録媒体及び磁気記憶装置
出願人株式会社レゾナック・ハードディスク
代理人弁理士法人ITOH
主分類G11B 5/66 20060101AFI20250318BHJP(情報記憶)
要約【課題】磁性層中への拡散酸素原子を抑制し、磁性粒子の粒径を小さくして、飽和磁化を高め、磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させる磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板上10に、少なくとも下地層20、磁気記録層30をこの順で有する磁気記録媒体1であって、磁気記録層30は、非磁性基板側から第1の磁性層30Aと第2の磁性層30Bを含み、第1の磁性層30A及び第2の磁性層30Bは、L1₀型構造を有する磁性粒子と、粒界部を含むグラニュラ構造を有し、第1の磁性層30Aの粒界部は、窒化アルミニウムを含み、第2の磁性層30Bの粒界部は、六方晶窒化ホウ素を含み、第1の磁性層30Aにおける窒化アルミニウムの含有量は、15体積%～35体積%の範囲内であり、第2の磁性層30Bの粒界部の、X線光電子分光法によって観察されるB1sのスペクトルのピークが、191.6eV以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも下地層、磁気記録層をこの順で有する磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は、前記非磁性基板側から第１の磁性層と第２の磁性層を含み、
前記第１の磁性層及び第２の磁性層は、Ｌ１
０
型構造を有する磁性粒子と、粒界部を含むグラニュラ構造を有し、
前記第１の磁性層の粒界部は、窒化アルミニウムを含み、
前記第２の磁性層の粒界部は、六方晶窒化ホウ素を含み、
前記第１の磁性層における前記窒化アルミニウムの含有量は、１５体積％～３５体積％の範囲内であり、
前記第２の磁性層の粒界部の、Ｘ線光電子分光法によって観察されるＢ１ｓのスペクトルのピークが、１９１．６ｅＶ以下である磁気記録媒体。
続きを表示（約 240 文字）【請求項２】
前記第１の磁性層の厚さが、０．２５ｎｍ～０．７ｎｍの範囲内である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第２の磁性層の厚さが、５ｎｍ～１２ｎｍの範囲内である請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記Ｌ１
０
型構造を有する磁性粒子が、ＦｅＰｔ合金粒子である請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の磁気記録媒体を有する磁気記憶装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体に近接場光又はマイクロ波を照射して局所的に加熱することで、保磁力を低下させて記録する熱アシスト記録方式又はマイクロ波アシスト記録方式が、２Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ
２
程度の高い面記録密度を実現することができる次世代記録方式として注目されている。このようなアシスト記録方式の磁気ヘッドを用いると、室温における保磁力が数十ｋＯｅである磁気記録媒体に容易に記録することができる。このため、磁性層に含まれる磁性粒子として、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が高い磁性粒子を用いることができ、その結果、熱安定性を維持したまま、磁性粒子を微細化することができる。
【０００３】
上記［０００２］記載の通り、アシスト記録方式用磁気記録媒体の磁性層には、Ｋｕが高い磁性粒子を用いることができる。Ｋｕが高い磁性粒子は、熱安定性を維持したまま微細化することができ、室温における保磁力を高くできる。
【０００４】
Ｋｕが高い磁性粒子としては、例えば、Ｆｅ－Ｐｔ合金粒子（Ｋｕ：最大で７×１０
６
Ｊ／ｍ
３
）、Ｃｏ－Ｐｔ合金粒子（Ｋｕ：最大で５×１０
６
Ｊ／ｍ
３
）等のＬ１
０
型構造を有する磁性粒子が知られている。
【０００５】
Ｌ１
０
型構造を有する磁性粒子を用いた磁性層としては、例えば、非特許文献１に、Ｌ１
０
型構造を有するＦｅＰｔ磁性粒子の周囲を六方晶窒化ホウ素の層状物で覆ったグラニュラ構造の磁性層が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
Ｂ．Ｓ．Ｄ．Ｃｈ．Ｓ．Ｖａｒａｐｒａｓａｄｅｔａｌ．，ＡＩＰＡｄｖａｎｃｅｓ，１３, ０３５００２（２０２３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させることが望まれている。磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させるためには、磁性層に含まれる磁性粒子の粒径をさらに小さくすると共に、磁性粒子の異方性をさらに高めることが重要である。
【０００８】
このような磁性層として、Ｌ１
０
型構造で（００１）方向に配向したＦｅＰｔ磁性粒子と、その粒界部を六方晶窒化ホウ素としたグラニュラ構造の磁性層（以下、単に、「ＦｅＰｔ－ｈＢＮグラニュラ磁性層」という。）が提案されている。
【０００９】
六方晶窒化ホウ素は、（００１）面が平行に積み重なった層状構造であるが、その（００１）面がＦｅＰｔ磁性粒子の側面を取り囲むように形成され易く、ＦｅＰｔ磁性粒子の間に粒界部として析出できるため、ＦｅＰｔ磁性粒子の粒径を小さくすることができる。また、六方晶窒化ホウ素は、ＦｅＰｔ磁性粒子との反応性が低いので、磁性粒子の規則化を阻害しない。
【００１０】
しかしながら、従来の方法では、このようなＦｅＰｔ－ｈＢＮグラニュラ磁性層を安定的に成膜するのは難しかった。すなわち、ＦｅＰｔ－ｈＢＮグラニュラ磁性層は、例えばスパッタリング法などにより成膜されるが、窒化ホウ素を六方晶化するためには、高い基板温度と、高エネルギー密度のプラズマ空間が必要となる。本発明者らが鋭意検討したところ、この六方晶化に必要な高エネルギー環境下に磁性層を曝した場合、下地層や基板に含まれる酸素原子がＦｅＰｔ－ｈＢＮグラニュラ磁性層に拡散してしまうことがわかった。前記拡散酸素原子は、ＦｅＰｔ粒子の粗大化及び飽和磁化Ｍｓ等の静磁気特性悪化を誘発し、結果磁気記録媒体の電磁変換特性、特に面記録密度の低下要因となる。
（【００１１】以降は省略されています）

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