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公開番号2025031742
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-07
出願番号2024219604,2023104984
出願日2024-12-16,2018-01-12
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250228BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】、表示品位が良好な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置された表示部を走査方向の上流側と下流側
で領域Aと領域Bに分割し、それぞれに画像信号を供給する信号配線を設ける。領域Aと
領域Bは、両者の境界を示す境界線が屈曲するように隣接する。境界線を屈曲させること
で、境界部分に生じる分割縞を軽減する。例えば、任意の列において、領域Aの信号配線
に電気的に接続する画素の総数と、領域Bの信号配線に電気的に接続する画素の総数を異
ならせる。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
複数の画素を含む表示部と、複数の走査線と、複数の第１信号線と、複数の第２信号線と、を含む表示装置であって、
前記複数の画素の少なくとも一は、表示素子と、トランジスタと、を含み、
前記複数の第１信号線および前記複数の第２信号線は走査方向に延在し、
前記複数の第１信号線は走査方向の上流側に設けられ、
前記複数の第２信号線は走査方向の下流側に設けられ、
前記複数の画素は、
前記複数の第１信号線のいずれか一と電気的に接続された第１画素と、
前記複数の第２信号線のいずれか一と電気的に接続された第２画素と、を含み、
前記複数の走査線は、
第１走査線と、第２走査線と、第３走査線と、を含み、
前記第１走査線は、
前記複数の第１信号線および前記複数の第２信号線のうち前記複数の第１信号線のみと重なる領域を含み、
前記第２走査線は、
前記複数の第１信号線および前記複数の第２信号線のうち前記複数の第２信号線のみと重なる領域を含み、
前記第３走査線は、
前記複数の第１信号線の少なくとも一と重なる領域と、前記複数の第２信号線の少なくとも一と重なる領域と、
を含むことを特徴とする表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関する。または、
本明細書等で開示する発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、
組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、表示装置および表示装置の作
製方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【０００２】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影装置、照明装置、電気
光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置および電子機器などは、半導体装
置と言える場合がある。もしくは、これらは半導体装置を有すると言える場合がある。
【背景技術】
【０００３】
各画素に表示素子を駆動するためのトランジスタを有するアクティブマトリクス型の表示
装置が知られている。例えば、表示素子として液晶素子を用いたアクティブマトリクス型
の液晶表示装置や、表示素子として有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃ
ｅ）素子などの発光素子を用いたアクティブマトリクス型の発光表示装置などが知られて
いる。これらのアクティブマトリクス型の表示装置は、単純マトリクス型の表示装置に比
べて画面の大型化や高精細化が容易であり、消費電力の低減などの面で有利である。
【０００４】
また、アクティブマトリクス型表示装置においては、画面サイズが対角３０インチ以上と
大型化する傾向にあり、対角６０インチ以上さらには、対角１２０インチ以上の画面サイ
ズも視野に入れた開発が行われている。加えて、画面の解像度も、フルハイビジョン（画
素数１９２０×１０８０、または「２Ｋ」などとも言われる。）、ウルトラハイビジョン
（画素数３８４０×２１６０、または「４Ｋ」などとも言われる。）、スーパーハイビジ
ョン（画素数７６８０×４３２０、または「８Ｋ」などとも言われる。）と高精細化の傾
向にある。
【０００５】
画面サイズの大型化や高精細化は、表示部内の配線抵抗を増大させる傾向にある。特許文
献１では、非晶質シリコントランジスタを用いた液晶表示装置において、配線抵抗の増大
を抑えるために、銅（Ｃｕ）を使用して低抵抗の配線層を形成する技術が開示されている
。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００４－１６３９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
配線抵抗の増大は、信号線の終端への信号伝達の遅れ、信号波形のなまり、電源線の電圧
降下などを引き起こし、結果として、表示ムラや階調不良などの表示品位の低下、消費電
力の増加などが生じてしまう。また、信号線に生じる寄生容量の増大も、表示品位の低下
、消費電力の増加などの一因となる。例えば、非晶質シリコントランジスタは電界効果移
動度が低いため、非晶質シリコントランジスタを用いた表示装置では配線抵抗の増大に伴
う画像信号の書き込み不足が生じ易い。
【０００８】
よって、画面サイズの大型化または高精細化に伴い、配線抵抗のさらなる低減が求められ
ている。同様に、信号線に生じる寄生容量の低減が求められている。
【０００９】
本発明の一態様は、表示品位が良好な表示装置または電子機器などを提供することを課題
の一つとする。または、消費電力の少ない表示装置または電子機器などを提供することを
課題の一とする。または、生産性の良好な表示装置または電子機器などを提供することを
課題の一とする。または、信頼性が良好な表示装置または電子機器などを提供することを
課題の一つとする。または、新規な表示装置または電子機器などを提供することを課題の
一つとする。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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