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公開番号2025017318
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-05
出願番号2024096462
出願日2024-06-14
発明の名称基板処理装置及び基板処理方法
出願人ユ-ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
代理人弁理士法人前田特許事務所
主分類C23C 16/455 20060101AFI20250129BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】マルチステーションチャンバー内において複数枚の基板に対して互いに独立して工程を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】それぞれ独立して工程が行われる第1の工程ステーション、第2の工程ステーション、第3の工程ステーション及び第4の工程ステーションを備え、複数枚の基板に対する工程を行うことが可能なマルチステーションチャンバーと、前記第1の工程ステーション、前記第2の工程ステーション、前記第3の工程ステーション及び前記第4の工程ステーションに複数のガスを区分してそれぞれ供給するためのガス供給部と、前記第1の工程ステーション、前記第2の工程ステーション、前記第3の工程ステーション及び前記第4の工程ステーションにそれぞれ供給されるガスを切り替えて前記第1乃至第4の工程ステーションに前記複数のガスが順次に供給されるように前記ガス供給部を制御する制御部と、を備える基板処理装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
それぞれ独立して工程が行われる第１の工程ステーション、第２の工程ステーション、第３の工程ステーション及び第４の工程ステーションを備え、複数枚の基板に対する工程を行うことが可能なマルチステーションチャンバーと、
前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションに複数のガスを区分してそれぞれ供給するためのガス供給部と、
前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションにそれぞれ供給されるガスを切り替えて前記第１乃至第４の工程ステーションに前記複数のガスが順次に供給されるように前記ガス供給部を制御する制御部と、
を備える、基板処理装置。
続きを表示（約 2,600 文字）【請求項２】
前記ガス供給部は、
前記マルチステーションチャンバーに第１の工程ガスを供給する第１のガス供給部と、
前記マルチステーションチャンバーに前記第１の工程ガスとは異なる第２の工程ガスを供給する第２のガス供給部と、
前記マルチステーションチャンバーに第１のパージガスを供給する第１のパージ供給部と、
前記マルチステーションチャンバーに第２のパージガスを供給する第２のパージ供給部と、
を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１の工程ガス、前記第２の工程ガス、前記第１のパージガス及び前記第２のパージガスがそれぞれ前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションのうちの互いに異なる工程ステーションに区分されて供給されるように前記第１のガス供給部、前記第２のガス供給部、前記第１のパージ供給部及び前記第２のパージ供給部を制御する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の工程ステーションは、前記第１の工程ステーションの第１の方向に配置され、
前記第４の工程ステーションは、前記第１の工程ステーションの前記第１の方向と垂直な第２の方向に配置され、
前記第３の工程ステーションは、前記第１の工程ステーションの前記第１の方向と前記第２の方向との間の対角方向に配置される、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションの順に前記第１の工程ガスを供給するように前記第１のガス供給部を制御し、
前記第４の工程ステーション、前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション及び前記第３の工程ステーションの順に前記第１のパージガスを供給するように前記第１のパージ供給部を制御し、
前記第３の工程ステーション、前記第４の工程ステーション、前記第１の工程ステーション及び前記第２の工程ステーションの順に前記第２の工程ガスを供給するように前記第２のガス供給部を制御し、
前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション、前記第４の工程ステーション及び前記第１の工程ステーションの順に前記第２のパージガスを供給するように前記第２のパージ供給部を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１のガス供給部は、前記第１の工程ガスを蓄えて前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションに選択的に供給するために前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションにそれぞれ接続される第１のガスリザーバーを備え、
前記第２のガス供給部は、前記第２の工程ガスを蓄えて前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションに選択的に供給するために前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションにそれぞれ接続される第２のガスリザーバーを備え、
前記第１のパージ供給部は、前記第１のパージガスを蓄えて前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションに選択的に供給するために前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションにそれぞれ接続される第１のパージリザーバーを備え、
前記第２のパージ供給部は、前記第２のパージガスを蓄えて前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションに選択的に供給するために前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションにそれぞれ接続される第２のパージリザーバーを備える、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１のガスリザーバー及び前記第２のガスリザーバーは、前記第１のパージリザーバー及び前記第２のパージリザーバーとは大きさが異なる、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１のパージリザーバーと前記第２のパージリザーバーは、前記第１のガスリザーバー及び前記第２のガスリザーバーよりもさらに小さい、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１のパージリザーバーと前記第２のパージリザーバーは、大きさが同一である、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１のガス供給部は、前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションのそれぞれと前記第１のガスリザーバーとの間にそれぞれ配設される複数の第１のガス弁をさらに備え、
前記第２のガス供給部は、前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションのそれぞれと前記第２のガスリザーバーとの間にそれぞれ配設される複数の第２のガス弁をさらに備え、
前記第１のパージ供給部は、前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションのそれぞれと前記第１のパージリザーバーとの間にそれぞれ配設される複数の第１のパージ弁をさらに備え、
前記第２のパージ供給部は、前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションのそれぞれと前記第２のパージリザーバーとの間にそれぞれ配設される複数の第２のパージ弁をさらに備える、請求項６に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、マルチステーションチャンバー内において複数枚の基板に対して互いに独立して工程を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、処理空間内に処理しようとする基板を位置付けた後、化学気相蒸着（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）法又は原子層蒸着（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）法などを用いて処理空間内に注入された工程ガスに含まれている反応粒子を基板の上に蒸着する装置であり、１枚の基板に対して処理工程が行える枚葉式（ＳｉｎｇｌｅＷａｆｅｒＴｙｐｅ）と、複数枚の基板に対して同時に処理工程が行えるバッチ式（ＢａｔｃｈＴｙｐｅ）と、が挙げられる。
【０００３】
一般に、バッチ式基板処理装置は、縦型（ｖｅｒｔｉｃａｌ）構造の工程チューブに複数枚の基板を多段状に収容して処理工程を行い、このようなバッチ式基板処理装置は、基板の蒸着面と垂直に工程ガスが吹き付けられず、側方向に吹き付けられて噴射ノズルとの距離に応じて蒸着率が異なってくるという不具合が生じてしまう虞がある。
【０００４】
また、枚葉式基板処理装置の場合には、１つのチャンバーにおいて基板を１枚ずつしか処理することができないため、工程歩留まりが低いという欠点がある。
【０００５】
これらの理由から、１つのチャンバーにおいて複数枚の基板に対して基板の蒸着面と垂直に工程ガスを吹き付けながら工程を進めることのできる基板処理装置が切望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
大韓民国登録特許第１０－２０２８２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、複数の工程ステーションに複数のガスを区分してそれぞれ供給することにより、それぞれの工程ステーションにおいて互いに異なる工程を行う基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、それぞれ独立して工程が行われる第１の工程ステーション、第２の工程ステーション、第３の工程ステーション及び第４の工程ステーションを備え、複数枚の基板に対する工程を行うことが可能なマルチステーションチャンバーと、前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションに複数のガスを区分してそれぞれ供給するためのガス供給部と、前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションにそれぞれ供給されるガスを切り替えて前記第１乃至第４の工程ステーションに前記複数のガスが順次に供給されるように前記ガス供給部を制御する制御部と、を備えていてもよい。
【０００９】
前記ガス供給部は、前記マルチステーションチャンバーに第１の工程ガスを供給する第１のガス供給部と、前記マルチステーションチャンバーに前記第１の工程ガスとは異なる第２の工程ガスを供給する第２のガス供給部と、前記マルチステーションチャンバーに第１のパージガスを供給する第１のパージ供給部と、前記マルチステーションチャンバーに第２のパージガスを供給する第２のパージ供給部と、を備えていてもよい。
【００１０】
前記制御部は、前記第１の工程ガス、前記第２の工程ガス、前記第１のパージガス及び前記第２のパージガスがそれぞれ前記第１の工程ステーション、前記第２の工程ステーション、前記第３の工程ステーション及び前記第４の工程ステーションのうちの互いに異なる工程ステーションに区分されて供給されるように前記第１のガス供給部、前記第２のガス供給部、前記第１のパージ供給部及び前記第２のパージ供給部を制御することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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