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公開番号2025014849
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023117761
出願日2023-07-19
発明の名称基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高温のプロセスで用いることができる基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理容器の内部に設置され、前記基板を載置する基板載置台であって、前記基板載置台は、前記基板を載置する載置面に吸着電極を内蔵した誘電体層を備えた基材から成る静電チャックと、前記静電チャックの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る加熱プレートと、前記加熱プレートの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る冷却プレートと、を有し、前記加熱プレートの前記冷却プレートに対応する面を第1の面とし、前記冷却プレートの前記加熱プレートに対応する面を第2の面とし、前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間において、前記第1の面及び前記第2の面に沿った方向に延在する隙間空間を有し、少なくとも、前記隙間空間に露出する前記第1の面及び前記隙間空間に露出する前記第2の面のいずれか一方または両方にアルマイト皮膜を有する、基板載置台。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板に処理を施す処理容器の内部に設置され、前記基板を載置する基板載置台であって、
前記基板載置台は、
前記基板を載置する載置面に吸着電極を内蔵した誘電体層を備えた基材から成る静電チャックと、
前記静電チャックの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る加熱プレートと、
前記加熱プレートの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る冷却プレートと、を有し、
前記加熱プレートの前記冷却プレートに対応する面を第１の面とし、
前記冷却プレートの前記加熱プレートに対応する面を第２の面とし、
前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間において、前記第１の面及び前記第２の面に沿った方向に延在する隙間空間を有し、
少なくとも、前記隙間空間に露出する前記第１の面及び前記隙間空間に露出する前記第２の面のいずれか一方または両方にアルマイト皮膜を有する、
基板載置台。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
前記隙間空間において、前記第１の面と前記第２の面との距離は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下である、
請求項１に記載の基板載置台。
【請求項３】
前記加熱プレートは、加熱素子を有し、
前記冷却プレートは、熱媒体を流通させる熱媒体流路を有する、
請求項１に記載の基板載置台。
【請求項４】
前記熱媒体流路と接続される送り配管及び戻り配管には、第１のシール部材が配置される、
請求項３に記載の基板載置台。
【請求項５】
前記加熱プレートは、支持部材を介して前記冷却プレートに支持される、
請求項１に記載の基板載置台。
【請求項６】
前記隙間空間を取り囲む前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間において、第２のシール部材が配置される、
請求項１に記載の基板載置台。
【請求項７】
前記隙間空間には、大気または伝熱ガスが充填される、
請求項６に記載の基板載置台。
【請求項８】
基板を処理する基板処理装置であって、
内部において前記基板に処理を施す処理容器と、
前記処理容器の内部に設置され、前記基板を載置する基板載置台とを備え、
前記基板載置台は、
前記基板を載置する載置面に吸着電極を内蔵した誘電体層を備えた基材から成る静電チャックと、
前記静電チャックの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る加熱プレートと、
前記加熱プレートの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る冷却プレートと、を有し、
前記加熱プレートの前記冷却プレートに対応する面を第１の面とし、
前記冷却プレートの前記加熱プレートに対応する面を第２の面とし、
前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間において、前記第１の面及び前記第２の面に沿った方向に延在する隙間空間を有し、
少なくとも、前記隙間空間に露出する前記第１の面及び前記隙間空間に露出する前記第２の面のいずれか一方または両方にアルマイト皮膜を有する、
基板処理装置。
【請求項９】
前記加熱プレートは、加熱素子を有し、
前記冷却プレートは、熱媒体を流通させる熱媒体流路を有し、
前記熱媒体流路と接続される送り配管及び戻り配管には、第１のシール部材が配置される、
請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を処理容器の内部において処理する基板処理方法であって、
前記処理容器の内部に前記基板を載置する基板載置台を備え、
前記基板載置台は、
前記基板を載置する載置面に吸着電極を内蔵した誘電体層を備えた基材から成る静電チャックと、
前記静電チャックの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る加熱プレートと、
前記加熱プレートの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る冷却プレートと、を有し、
前記加熱プレートの前記冷却プレートに対応する面を第１の面とし、前記冷却プレートの前記加熱プレートに対応する面を第２の面とし、前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間において、前記第１の面及び前記第２の面に沿った方向に延在する隙間空間を有し、少なくとも、前記隙間空間に露出する前記第１の面及び前記隙間空間に露出する前記第２の面のいずれか一方または両方にアルマイト皮膜を有し、
前記加熱プレートにより前記静電チャックを加熱する工程と、
前記隙間空間を介した熱交換を通じて前記冷却プレートにより前記加熱プレートを介して前記静電チャックから抜熱する工程と、
前記静電チャックを介して前記基板の温度を調整する工程と、を有する、
基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、熱媒体が内部を通流する熱交換ジャケットと、熱交換ジャケットの平坦な熱交換面の温度分布の不均一を緩和する均熱プレートと、吸着電極を絶縁物中に埋め込んでなる静電チャックと、で構成される基板ホールダにおいて、１７０℃程度に加熱された弗化炭素系熱媒体が熱交換ジャケットに輸送され、均熱プレートを介して静電チャックを均一に加熱することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平０５－２９３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、高温プロセスに用いることができる基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板に処理を施す処理容器の内部に設置され、前記基板を載置する基板載置台であって、前記基板載置台は、前記基板を載置する載置面に吸着電極を内蔵した誘電体層を備えた基材から成る静電チャックと、前記静電チャックの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る加熱プレートと、前記加熱プレートの下方に接続されたアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る冷却プレートと、を有し、前記加熱プレートの前記冷却プレートに対応する面を第１の面とし、前記冷却プレートの前記加熱プレートに対応する面を第２の面とし、前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間において、前記第１の面及び前記第２の面に沿った方向に延在する隙間空間を有し、少なくとも、前記隙間空間に露出する前記第１の面及び前記隙間空間に露出する前記第２の面のいずれか一方または両方にアルマイト皮膜を有する、基板載置台が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、本開示は、高温プロセスに用いることができる基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
プラズマ処理装置の一例を示す縦断面図。
第１実施形態に係る基板載置台の断面模式図の一例。
第１実施形態に係る基板載置台の部分拡大断面模式図の一例。
アルマイト処理と放射率との関係を示す表の一例。
参考例に係る基板載置台の断面模式図の一例。
第２実施形態に係る基板載置台の断面模式図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［プラズマ処理装置］
プラズマ処理装置１００（基板処理装置）について、図１を用いて説明する。図１は、プラズマ処理装置１００の一例を示す縦断面図である。
【００１０】
図１に示すプラズマ処理装置１００は、フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display、以下、「ＦＰＤ」という）用の平面視矩形の基板Ｇ（以下、単に「基板」という）に対して、各種の基板処理方法を実行する誘導結合型プラズマ（Inductive Coupled Plasma: ＩＣＰ）処理装置である。基板の材料としては、主にガラスが用いられ、用途によっては透明の合成樹脂などが用いられることもある。ここで、基板処理には、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いた成膜処理や、エッチング処理等が含まれる。ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display: ＬＣＤ）やエレクトロルミネセンス（Electro Luminescence: ＥＬ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel;ＰＤＰ）等が例示される。基板は、その表面に回路がパターニングされる形態の他、支持基板も含まれる。また、ＦＰＤ用基板の平面寸法は世代の推移と共に大規模化しており、プラズマ処理装置１００によって処理される基板Ｇの平面寸法は、例えば、第６世代の１５００ｍｍ×１８００ｍｍ程度の寸法から、第１０．５世代の３０００ｍｍ×３４００ｍｍ程度の寸法までを少なくとも含む。また、基板Ｇの厚みは０．２ｍｍ乃至数ｍｍ程度である。
（【００１１】以降は省略されています）

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