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公開番号2025012478
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023115337
出願日2023-07-13
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/02325 20210101AFI20250117BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】端面発光素子からのレーザ光を受光素子が受光しやすくなること。
【解決手段】半導体発光装置10は、基板表面21を含む基板20と、基板表面21に実装され、基板表面21に対してZ方向と交差するX方向を向く第1素子端面33、第1素子端面33とは反対方向を向く第2素子端面34を含み、第1素子端面33および第2素子端面34から光が放射されるように構成された端面発光素子30と、基板表面21上に設けられ、第2素子端面34と対向している搭載面71を有する受光サブマウント70と、搭載面71に搭載され、受光素子表面41に設けられ第2素子端面34と対向する受光部43を含む受光素子40と、を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板表面を含む基板と、
前記基板表面に実装され、前記基板表面に対して垂直な厚さ方向と交差する第１方向を向く第１素子端面、前記第１素子端面とは反対方向を向く第２素子端面を含み、前記第１素子端面および前記第２素子端面から光が放射されるように構成された端面発光素子と、
前記基板表面上に設けられ、前記第２素子端面と対向している搭載面を有する受光サブマウントと、
前記搭載面に搭載され、受光素子表面に設けられ前記第２素子端面と対向する受光部を含む受光素子と、
を備えた、
半導体発光装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記受光サブマウントは、絶縁性を有する、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記受光サブマウントは、前記搭載面が前記基板表面に対して垂直となるように形成されている、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記受光サブマウントは、前記搭載面が前記基板表面から前記厚さ方向に離れるにつれて前記第２素子端面から離れるように形成されている、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記基板表面に対する前記搭載面の角度は、６０度以上９０度より小さい、
請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記基板は、前記基板表面と反対側を向く基板裏面を含み、
前記基板裏面に設けられた第１裏面電極および第２裏面電極を含み、
前記受光素子は、前記第１裏面電極と前記第２裏面電極との間に電気的に接続されている、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記受光素子は、前記受光素子表面に設けられた第１受光電極と、前記受光素子表面と反対側を向く受光素子裏面と、前記受光素子裏面に設けられた第２受光電極と、を含む、
請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記受光素子は、前記受光素子表面と反対側を向く受光素子裏面と、前記受光素子裏面に設けられた第１受光電極および第２受光電極と、を含む、
請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記受光サブマウントは、前記搭載面に設けられ、前記第１受光電極と電気的に接続された第１搭載電極と、前記第２受光電極と電気的に接続された第２搭載電極と、を含む、
請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記基板表面に設けられ、前記第１裏面電極と電気的に接続された第１表面電極と、
前記基板表面に設けられ、前記第２裏面電極と電気的に接続された第２表面電極と、
を含み、
前記第１搭載電極は、前記第１表面電極と電気的に接続され、
前記第２搭載電極は、前記第２表面電極と電気的に接続されている、
請求項９に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関するものである。
続きを表示（約 3,100 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、光源として発光ダイオードを備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－４１８６６号公報
【０００４】
［概要］
ＬＥＤ素子を用いる場合、光源の高出力化に対応することが困難である。そこで、ＬＥＤ素子に代えて、例えば端面発光型のレーザ素子によって高出力化に対応することが考えられる。また、半導体発光装置では、ＬＥＤ素子から出射される光の一部を受光する受光素子を備え、受光素子の受光量に基づいてＬＥＤ素子から出射される光の強度を制御する構成の採用が進められている。このような半導体発光装置に対してＬＥＤ素子に代えてレーザ素子が用いられる場合、レーザ素子はＬＥＤ素子よりも指向角が狭いため、レーザ素子から出射されたレーザ光の一部を受光素子が受光することは難しい。
【０００５】
本開示の一態様である半導体発光装置は、基板表面を含む基板と、前記基板表面に実装され、前記基板表面に対して垂直な厚さ方向と交差する第１方向を向く第１素子端面、前記第１素子端面とは反対方向を向く第２素子端面を含み、前記第１素子端面および前記第２素子端面から光が放射されるように構成された端面発光素子と、前記基板表面上に設けられ、前記第２素子端面と対向している搭載面を有する受光サブマウントと、前記搭載面に搭載され、受光素子表面に設けられ前記第２素子端面と対向する受光部を含む受光素子と、を備えた。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図２は、図１の２－２線で切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図３は、図１の半導体発光装置の概略裏面図である。
図４は、図２の４－４線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図５は、第２実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図６は、図５の６－６線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図７は、第３実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図８は、図７の８－８線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図９は、図７の半導体発光装置の概略裏面図である。
図１０は、図７の１０－１０線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図１１は、第４実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図１２は、図１１の１２－１２線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図１３は、第５実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図１４は、図１３の１４－１４線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図１５は、図１３の半導体発光装置の概略裏面図である。
図１６は、第６実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図１７は、図１６の１７－１７線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図１８は、第７実施形態に係る半導体発光装置の概略断面図である。
図１９は、図１８の１９－１９線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２０は、第８実施形態に係る半導体発光装置の概略断面図である。
図２１は、図２０の２１－２１線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２２は、第９実施形態に係る半導体発光装置の概略断面図である。
図２３は、図２２の２３－２３線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２４は、変更例に係る半導体発光装置の概略断面図である。
図２５は、変更例に係る半導体発光装置の概略断面図である。
図２６は、変更例に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図２７は、図２６の２７－２７線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２８は、変更例に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図２９は、図２８の２９－２９線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図３０は、変更例に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図３１は、図３０の３１－３１線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図３２は、変更例に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図３３は、図３２の３３－３３線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図３４は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図３５は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図３６は、第１０実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図３７は、図３６の３７－３７線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図３８は、図３６の半導体発光装置の概略裏面図である。
図３９は、第１１実施形態に係る半導体発光装置の概略平面図である。
図４０は、図３９の４０－４０線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図４１は、図３９の半導体発光装置の概略裏面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示の半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
（第１実施形態）
図１～図４を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、第１実施形態に係る半導体発光装置１０の概略平面図である。図２は、図１の２－２線で切断した半導体発光装置１０の概略断面図である。図３は、図１の半導体発光装置１０の概略裏面図である。図４は、図３の４－４線に沿って切断した半導体発光装置１０の概略断面図である。なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、たとえば図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に対象物を視ることをいう。
【００１０】
（半導体発光装置の概略構成）
図１および図２に示されるように、半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された端面発光素子３０と、基板２０上に配置された受光素子４０と、を含む。半導体発光装置１０は、受光素子４０が搭載された受光サブマウント７０を含む。半導体発光装置１０は、端面発光素子３０が搭載された発光サブマウント６０を含んでいてよい。また、半導体発光装置１０は、端面発光素子３０の少なくとも一部と受光素子４０の少なくとも一部を収容するカバー部材８０と、を含んでいてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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