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公開番号2025009521
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023112579
出願日2023-07-07
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/28 20060101AFI20250110BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の表面に設けられた形状と、半導体装置の表面に設けられた形状以外の部分とを区別しやすくすること。
【解決手段】半導体装置10は、半導体素子30と、半導体素子30を封止する封止樹脂20と、を含む。半導体素子30は、封止樹脂20から露出する露出面33を含む。露出面33には、複数の凹部34が形成されている。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
を含み、
前記半導体素子は、前記封止樹脂から露出する露出面を含み、
前記露出面には、複数の凹部が形成されている
半導体装置。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記複数の凹部によってパターンが形成される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記パターンは、前記半導体装置に関する情報を含む標印である
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂は、封止表面と、前記封止表面とは反対側を向く封止裏面とを有し、
前記半導体素子は、前記封止表面と同じ側を向く素子表面と、前記封止裏面と同じ側を向く素子裏面とを有し、
前記素子裏面は、前記封止裏面から露出する前記露出面を含む
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記露出面は、前記封止裏面と面一、または前記封止裏面よりも前記封止表面寄りに位置している
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記封止樹脂は、封止表面と、前記封止表面とは反対側を向く封止裏面とを有し、
前記半導体素子は、前記封止表面と同じ側を向く素子裏面と、前記封止裏面と同じ側を向く素子表面とを有し、
前記素子裏面は、前記封止表面から露出する前記露出面を含む
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記露出面は、前記封止表面と面一、または前記封止表面よりも前記封止裏面寄りに位置している
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記露出面は、矩形状に形成されている
請求項４または６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体素子の厚さ方向から視て、互いに直交する方向を第１方向および第２方向として、
前記封止樹脂は、前記厚さ方向から視て前記第１方向の両端面を構成する第１封止側面および第２封止側面、前記第２方向の両端面を構成する第３封止側面および第４封止側面を有し、
前記露出面の各辺は、前記厚さ方向から視て、前記第１方向および前記第２方向の双方に対して傾斜している
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の凹部は、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記露出面の各辺に沿う方向に形成されている
請求項８に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、を備え、封止樹脂の表面に標印が設けられた半導体装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－４７１１２号公報
【０００４】
［概要］
封止樹脂の表面に標印を設ける場合、封止樹脂の表面状態の影響によって、標印が設けられた部分と、標印が設けられていない部分との区別がつきにくくなるおそれがある。なお、封止樹脂の表面状態によっては、標印に限られず、封止樹脂の表面に設けられた形状と、封止樹脂の表面に設けられた形状以外の部分との区別がつきにくくなるおそれがある。
【０００５】
一様態の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を含み、前記半導体素子は、前記封止樹脂から露出する露出面を含み、前記露出面には、複数の凹部が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態の半導体装置の概略斜視図である。
図２は、図１の半導体装置の概略平面図である。
図３は、図１の半導体装置における封止樹脂の概略平面図である。
図４は、図１の半導体装置の概略底面図である。
図５は、図２のＦ５－Ｆ５線で半導体装置を切断した概略断面図である。
図６は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図７は、図６に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図８は、図７に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図９は、図８に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図１０は、図９に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図１１は、図１０に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図１２は、図１１に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図１３は、図１２に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図１４は、図１３に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図１５は、第２実施形態の半導体装置の概略底面図である。
図１６は、図１５のＦ１６－Ｆ１６線で半導体装置を切断した概略断面図である。
図１７は、第３実施形態の半導体装置の概略平面図である。
図１８は、図１７のＦ１８－Ｆ１８線で半導体装置を切断した概略断面図である。
図１９は、図１８に示す半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図２０は、図１９に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図２１は、図２０に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図２２は、図２１に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図２３は、図２２に続く半導体装置の製造方法を説明する概略断面図である。
図２４は、変更例の半導体装置の概略側面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
＜第１実施形態＞
［半導体装置の構成］
図１～図５を参照して、第１実施形態の半導体装置１０について説明する。
【００１０】
図１は、半導体装置１０の概略斜視構造を示している。図２は、半導体装置１０の内部を示す概略平面構造を示している。図３は、図１の半導体装置１０の概略平面構造を示している。図４は、図１の半導体装置１０の概略底面構造を示している。図５は、図２のＦ５－Ｆ５線で半導体装置１０を切断した概略断面構造を示している。なお、図１および図２では、図面の理解を容易にするため、半導体装置１０の内部構造を図示するように後述する封止樹脂２０を二点鎖線で示している。また、図面を容易に理解するため、図１および図２では、後述する判別溝２７を省略している。また、図２では内部導電層４８を省略している。図４では外部導電層４９を省略している。
（【００１１】以降は省略されています）

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