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公開番号2025011643
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023113870
出願日2023-07-11
発明の名称基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H05H 1/46 20060101AFI20250117BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】電極板を冷却する基板処理装置を提供する。
【解決手段】電極板と、前記電極板を支持し、液体の伝熱媒体が貯留される第1伝熱媒体室を有する電極支持体と、第2伝熱媒体室及び冷却水流路を有し、前記電極支持体の上方に配置されるシールドボックスと、前記第1伝熱媒体室及び前記第2伝熱媒体室と連通する連通管と、を備える、基板処理装置。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
電極板と、
前記電極板を支持し、液体の伝熱媒体が貯留される第１伝熱媒体室を有する電極支持体と、
第２伝熱媒体室及び冷却水流路を有し、前記電極支持体の上方に配置されるシールドボックスと、
前記第１伝熱媒体室及び前記第２伝熱媒体室と連通する連通管と、を備える、
基板処理装置。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記第１伝熱媒体室は、上面に開口を有し、
前記第２伝熱媒体室は、下面に開口を有し、
前記連通管は、一端が前記第１伝熱媒体室の開口と接続され、他端が前記第２伝熱媒体室の開口と接続される、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記電極支持体は、電源からＤＣ信号が印加され、
前記シールドボックスは、接地され、
前記連通管は、絶縁材料で構成される、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記伝熱媒体は、非導電性の伝熱媒体である、
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記伝熱媒体は、ブラインである、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記冷却水流路を通流する冷却水は、水である、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記電極支持体を加熱するヒータをさらに備える、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２伝熱媒体室の圧力を調整する調圧弁をさらに備える、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２伝熱媒体室の上面は、テーパ面を有し、
前記テーパ面は、前記第２伝熱媒体室の外周側が高く、前記第２伝熱媒体室の中心側が低くなるように傾斜する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記テーパ面が最も低く形成される位置の下方に前記連通管が配置される、
請求項９に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、天板を支持する支持体に流路が形成され、チラーユニットと流路との間で伝熱媒体が循環するプラズマ処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－１９２７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、電極板を冷却する基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、電極板と、前記電極板を支持し、液体の伝熱媒体が貯留される第１伝熱媒体室を有する電極支持体と、第２伝熱媒体室及び冷却水流路を有し、前記電極支持体の上方に配置されるシールドボックスと、前記第１伝熱媒体室及び前記第２伝熱媒体室と連通する連通管と、を備える、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、電極板を冷却する基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例。
シャワーヘッドの温度調整機構を説明する断面模式図の一例。
シャワーヘッドの温度調整機構を説明する断面模式図の他の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【０００９】
［プラズマ処理システム］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置（基板処理装置）１の構成例を説明するための図の一例である。
【００１０】
プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
（【００１１】以降は省略されています）

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