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公開番号2024179587
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2023098551
出願日2023-06-15
発明の名称弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサ、および電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20241219BHJP(基本電子回路)
要約【課題】クラックの発生を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイス100は、上面11と下面12とを有する基板10と、基板10を上面11から下面12に貫通するビア配線32と、上面11上に設けられ、平面視にてビア配線32に重なりかつ輪郭がビア配線32の上面11における輪郭より内側に位置する孔24を有する圧電層20と、圧電層20上に設けられ、ビア配線32に接続された弾性波素子50とを備える。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
第１面と前記第１面と反対の第２面とを有する基板と、
前記基板を前記第１面から前記第２面に貫通するビア配線と、
前記第１面上に設けられ、平面視にて前記ビア配線に重なりかつ輪郭が前記ビア配線の前記第１面における輪郭より内側に位置する孔を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記ビア配線に接続された弾性波素子と、を備える弾性波デバイス。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記基板はシリコンまたはサファイアにより形成される、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記ビア配線は銅、金、または銀により形成される、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記絶縁層は圧電層を含み、
前記弾性波素子は前記圧電層上に設けられた櫛型電極を含む、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記基板と前記圧電層の間に設けられた中間層を含む、請求項４に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記中間層は、酸化アルミニウム層、酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒化アルミニウム層、酸窒化アルミニウム層、シリコン層、酸化チタン層、およびポリシリコン層のうちの少なくとも１層を含む、請求項５に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１面上に前記絶縁層を囲んで設けられた枠体と、前記枠体上に設けられたリッドと、を含み、前記絶縁層と前記リッドとの間に前記弾性波素子を封止する封止部と、
前記第２面上に設けられ、前記ビア配線に接続する端子と、を備える、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記封止部は、前記絶縁層と前記リッドとの間の空隙に前記弾性波素子を封止する、請求項７に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記孔の直径は、前記ビア配線の前記第１面における直径の０．９倍以下である、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の弾性波デバイスを備えるフィルタ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサ、および電子部品に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
基板上に設けられた弾性波素子が基板を貫通するビア配線に電気的に接続された構成が知られている（例えば特許文献１、２）。また、弾性波素子を空隙内に封止する構成が知られている（例えば特許文献１－５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－２０５５００号広報
特開２０２２－４４３２３号広報
特開２０１６－１５２６１２号広報
特開２０１４－１４３６４０号公報
特開２０１３－１１５６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板上に絶縁層が設けられ、絶縁層上に弾性波素子が設けられた構成では、弾性波素子と基板を貫通するビア配線との電気的な接続を可能とするために、ビア配線上の絶縁層を除去することが行われる。この場合、弾性波素子等の形成領域を大きく確保するために、絶縁層を除去する領域は小さいことが好ましい。しかしながら、絶縁層の除去領域を小さくした場合に、基板とビア配線の線膨張係数の差によって絶縁層にクラックが発生することがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、クラックの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１面と前記第１面と反対の第２面とを有する基板と、前記基板を前記第１面から前記第２面に貫通するビア配線と、前記第１面上に設けられ、平面視にて前記ビア配線に重なりかつ輪郭が前記ビア配線の前記第１面における輪郭より内側に位置する孔を有する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、前記ビア配線に接続された弾性波素子と、を備える弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記基板はシリコンまたはサファイアにより形成される構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記ビア配線は銅、金、または銀により形成される構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記絶縁層は圧電層を含み、前記弾性波素子は前記圧電層上に設けられた櫛型電極を含む構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記絶縁層は、前記基板と前記圧電層の間に設けられた中間層を含む構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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