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公開番号2025047349
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023155798
出願日2023-09-21
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250326BHJP(基本電子回路)
要約【課題】バンプ形成のための貫通穴の穴幅を、ルーフ層で広く確保しつつ、機能素子の封止性を損なうことなく、支持層で可及的に小さくできる新たな構造の提供。
【解決手段】デバイスチップ2の一面2aにおいて機能素子3の形成領域を除いた領域に形成された支持層4と、デバイスチップ2と支持層4と共働して機能素子3を気密封止する内部空間10を形成する第1ルーフ層8と、第1ルーフ層8上に形成される第2ルーフ層9と、支持層4を貫通する第1穴部12と、第1ルーフ層8を貫通する第2穴部13と、第2ルーフ層9を貫通する第3穴部14とからなる貫通穴11と、貫通穴11内に形成されるバンプ6とを備える。第2穴部13の形成領域は内部空間10の形成領域と重なり合わず、かつ、第3穴部14の形成領域は内部空間10の形成領域と重なり合う。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
一面に少なくともＩＤＴ電極を含む機能素子及び配線を備えてなるデバイスチップと、
前記一面において前記機能素子の形成領域を除いた領域に形成された支持層と、
前記支持層上に形成されて前記デバイスチップと前記支持層と共働して前記機能素子を気密封止する内部空間を形成する第１ルーフ層と、
前記第１ルーフ層上に形成される第２ルーフ層と、
前記支持層を貫通する第１穴部と、前記第１ルーフ層を貫通する第２穴部と、前記第２ルーフ層を貫通する第３穴部とからなると共に穴底に前記配線の一部を位置させる貫通穴と、
前記貫通穴内に形成されるバンプとを備えてなり、
しかも、前記デバイスチップの前記一面に直交する向きから見た状態において、前記第２穴部の形成領域は前記内部空間の形成領域と重なり合わず、かつ、前記第３穴部の形成領域は前記内部空間の形成領域と重なり合うようにしてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 150 文字）【請求項２】
前記第３穴部の形成領域の面積を、前記第２穴部の形成領域の面積よりも大きくさせてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記バンプにおける前記第３穴部内に位置される部分下に、前記内部空間の一部を位置させるようにしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造を有する弾性波(Surface Acoustic Wave/SAW)デバイスがある（特許文献１参照）。
【０００３】
ＷＬＰ構造を有する弾性波デバイスの要部を図７及び図８に示す。図中符号１００はデバイスチップ、符号１０１はＩＤＴ電極を含む機能素子、符号１０２は支持層（ウォール）、符号１０３はルーフ層（カバー）、符号１０４はバンプである。
ＷＬＰ構造の弾性波デバイスは、前記デバイスチップ１００の一面上に合成樹脂製の前記支持層１０２と前記ルーフ層１０３とにより形成された内部空間１０５（キャビティ）を備えるようになっており、この内部空間１０５内に前記機能素子１０１が位置されるようになっている。
前記バンプ１０４は、前記支持層１０２と前記ルーフ層１０３とを貫通する貫通穴１０６を利用して形成される。貫通穴１０６は穴底に前記機能素子１０１に接続された配線１０７の一部が位置されるように形成され、これにより、バンプ１０４を通じて機能素子１０１と外部とが接続されるようになっている。
【０００４】
ここで、前記ルーフ層１０３においては、前記貫通穴１０６の穴軸に直交する仮想の直線上での貫通穴１０６の穴幅１０６ａ（穴の広さ）は、この穴幅１０６ａを最も小さくする箇所においても少なくとも１００μｍ確保することが必要とされる。前記穴幅１０６ａは１００μｍ未満であると、前記貫通穴１０６内へのクリーム半田などの前記バンプの構成材料の充填性が阻害されるためである。
一方、前記ルーフ層１０３における貫通穴１０６の前記穴幅１０６ａが１００μｍ以上確保されていれば、前記支持層１０２における貫通穴１０６の穴幅１０６ｂは１００μｍ未満であっても格別の支障はない。
前記支持層１０２における貫通穴１０６の穴幅１０６ｂを支障なく小さくできれば、デバイスチップ１００における機能素子１０１の形成領域を増加させることが可能となる。しかし、単純に支持層１０２における貫通穴１０６の穴幅１０６ｂを小さくさせ、その分機能素子１０１の形成領域を増加させるようにすると、図９に示されるように、ルーフ層１０３における貫通穴１０６を前記内部空間１０５に連通させてしまうこととなり、機能素子１０１の封止性が阻害される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００２－２１７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスにおいて、バンプ形成のための貫通穴の穴幅を、前記ルーフ層において広く確保しつつ、機能素子の封止性を損なうことなく、支持層において可及的に小さくすることが可能な新たな構造を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、一面に少なくともＩＤＴ電極を含む機能素子及び配線を備えてなるデバイスチップと、
前記一面において前記機能素子の形成領域を除いた領域に形成された支持層と、
前記支持層上に形成されて前記デバイスチップと前記支持層と共働して前記機能素子を気密封止する内部空間を形成する第１ルーフ層と、
前記第１ルーフ層上に形成される第２ルーフ層と、
前記支持層を貫通する第１穴部と、前記第１ルーフ層を貫通する第２穴部と、前記第２ルーフ層を貫通する第３穴部とからなると共に穴底に前記配線の一部を位置させる貫通穴と、
前記貫通穴内に形成されるバンプとを備えてなり、
しかも、前記デバイスチップの前記一面に直交する向きから見た状態において、前記第２穴部の形成領域は前記内部空間の形成領域と重なり合わず、かつ、前記第３穴部の形成領域は前記内部空間の形成領域と重なり合うようにしてなる、ものとした。
【０００８】
前記第３穴部の形成領域の面積を、前記第２穴部の形成領域の面積よりも大きくさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００９】
また、前記バンプにおける前記第３穴部内に位置される部分下に、前記内部空間の一部を位置させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明にかかる弾性波デバイスにあっては、前記第１ルーフ層と前記第２ルーフ層とを備え、第１ルーフ層において内部空間を形成し、第２ルーフ層に貫通穴を構成する第３穴部を形成し、この第３穴部の形成領域を内部空間の形成領域と重なり合わせるようにすることから、前記第３穴部においては貫通穴へのバンプの構成材料の充填性を損なわないようにその穴幅を広く確保しつつ、支持層を貫通する第１穴部においては機能素子の封止性を損なうことなくその穴幅を可及的に小さくすることができる。これにより、デバイスチップの一面上における機能素子の形成領域を合理的に増加させることができ、弾性波デバイスの設計自由度を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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