TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025056651
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-08
出願番号2023166252
出願日2023-09-27
発明の名称積層セラミック電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250401BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 絶縁特性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 積層セラミック電子部品は、誘電体層及び内部電極層が交互に積層された略直方体形状の積層体と、前記積層体の積層方向に対する略直交方向に向いた前記積層体の端面に設けられた外部電極とを有し、前記内部電極層の一端は、前記端面に引き出され、前記外部電極は、前記端面に引き出された前記内部電極層の一端と接続され、前記積層体は、前記内部電極層及び前記誘電体層の間に設けられた金属膜と、前記金属膜及び前記内部電極層の間に設けられ、前記誘電体層の主成分とは異なる複数の誘電体粒子を含む誘電体部とを備え、前記誘電体部の酸素欠陥量は、前記誘電体層の酸素欠陥量より少ないことを特徴とする。
【選択図】図5

特許請求の範囲【請求項1】
誘電体層及び内部電極層が交互に積層された略直方体形状の積層体と、
前記積層体の積層方向に対する略直交方向に向いた前記積層体の端面に設けられた外部電極とを有し、
前記内部電極層の一端は、前記端面に引き出され、
前記外部電極は、前記端面に引き出された前記内部電極層の一端と接続され、
前記積層体は、前記内部電極層及び前記誘電体層の間に設けられた金属膜と、前記金属膜及び前記内部電極層の間に設けられ、前記誘電体層の主成分とは異なる複数の誘電体粒子を含む誘電体部とを備え、
前記誘電体部の酸素欠陥量は、前記誘電体層の酸素欠陥量より少ないことを特徴とする積層セラミック電子部品。
続きを表示(約 350 文字)【請求項2】
前記誘電体層の主成分のセラミック材料の誘電率は、前記誘電体粒子の誘電率より大きいことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項3】
前記誘電体層の主成分のセラミック材料の平均粒径は、前記誘電体粒子の平均粒径以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項4】
前記金属膜の主成分は、ニッケル、錫、金、及び銅の何れかであることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項5】
前記金属膜は、前記誘電体層の表面のうち、前記誘電体層に隣接する2つの前記内部電極層に挟まれる領域のみに設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、積層セラミック電子部品に関する。
続きを表示(約 1,000 文字)【背景技術】
【0002】
例えば特許文献1には、積層セラミックコンデンサの誘電体層の主成分セラミックにドナー元素を添加することにより酸素欠陥の移動を抑制して絶縁抵抗を確保することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2018-133501号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、誘電体層にドナー元素を添加すると静電容量に影響することがあるため、ドナー元素の添加量が制限され、効果的に絶縁特性を確保することができないおそれがある。
【0005】
そこで本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、絶縁特性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の積層セラミック電子部品は、誘電体層及び内部電極層が交互に積層された略直方体形状の積層体と、前記積層体の積層方向に対する略直交方向に向いた前記積層体の端面に設けられた外部電極とを有し、前記内部電極層の一端は、前記端面に引き出され、前記外部電極は、前記端面に引き出された前記内部電極層の一端と接続され、前記積層体は、前記内部電極層及び前記誘電体層の間に設けられた金属膜と、前記金属膜及び前記内部電極層の間に設けられ、前記誘電体層の主成分とは異なる複数の誘電体粒子を含む誘電体部とを備え、前記誘電体部の酸素欠陥量は、前記誘電体層の酸素欠陥量より少ないことを特徴とする。
【0007】
上記の積層セラミック電子部品において、前記誘電体層の主成分のセラミック材料の誘電率は、前記誘電体粒子の誘電率より大きくてもよい。
【0008】
上記の積層セラミック電子部品において、前記誘電体層の主成分のセラミック材料の平均粒径は、前記誘電体粒子の平均粒径以上であってもよい。
【0009】
上記の積層セラミック電子部品において、前記金属膜の主成分は、ニッケル、錫、金、及び銅の何れかであってもよい。
【0010】
上記の積層セラミック電子部品において、前記金属膜は、前記誘電体層の表面のうち、前記誘電体層に隣接する2つの前記内部電極層に挟まれる領域のみに設けられていてもよい。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

太陽誘電株式会社
コイル部品
16日前
太陽誘電株式会社
積層セラミック電子部品
5日前
太陽誘電株式会社
弾性波デバイス、フィルタ、および弾性波デバイスの製造方法
4日前
太陽誘電株式会社
電子部品、弾性波デバイス、フィルタ、およびマルチプレクサ
6日前
日星電気株式会社
平型電線
6日前
個人
汎用型電気プラグ
16日前
キヤノン株式会社
通信装置
10日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
株式会社FLOSFIA
半導体装置
3日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
株式会社GSユアサ
蓄電設備
5日前
株式会社村田製作所
電池
4日前
トヨタ自動車株式会社
二次電池
5日前
株式会社村田製作所
電池
3日前
株式会社村田製作所
電池
3日前
株式会社村田製作所
電池
3日前
日星電気株式会社
ケーブルの接続構造
3日前
富士通株式会社
冷却モジュール
11日前
オムロン株式会社
回路部品
11日前
住友電装株式会社
コネクタ
3日前
日本電気株式会社
光学モジュール
10日前
ローム株式会社
半導体装置
4日前
TDK株式会社
コイル部品
10日前
株式会社東京精密
ワーク保持装置
9日前
住友電装株式会社
コネクタ
4日前
オムロン株式会社
スイッチング素子
4日前
富士電機株式会社
回路遮断器
11日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
株式会社村田製作所
二次電池
4日前
芝浦メカトロニクス株式会社
基板処理装置
4日前
三菱電機株式会社
半導体装置
11日前
オムロン株式会社
電磁継電器
11日前
続きを見る