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公開番号2025081940
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-28
出願番号2023195052
出願日2023-11-16
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20250521BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】装置の表面温度の上昇を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、半導体素子10と、半導体素子10を覆う封止樹脂40と、封止樹脂40の少なくとも一部を覆う保護層50とを備える。保護層50は、封止樹脂40の第1方向zの一方側に位置する部分を含む。保護層50の熱伝導率は、封止樹脂40の熱伝導率よりも低い。半導体素子10は、第1方向zの一方側を向く第1面10Aと、第1面10Aの上に設けられた第1電極11とを有する。第1方向zに視て、保護層50は、第1面10Aに重なっている。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂の少なくとも一部を覆う保護層と、を備え、
前記保護層は、前記封止樹脂の第１方向の一方側に位置する部分を含み、
前記保護層の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも低い、半導体装置。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記半導体素子は、前記第１方向の一方側を向く第１面と、前記第１面の上に設けられた第１電極と、を有し、
前記第１方向に視て、前記保護層は、前記第１面に重なっている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護層は、樹脂を含む材料からなる、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護層には、空隙部が設けられている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記保護層は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向く第２面を有し、
前記空隙部は、前記第２面で開口している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記保護層には、前記第１方向に貫通する開口部が設けられている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１方向に視て、前記開口部は、前記第１面に重なっている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記保護層の前記第１方向の寸法は、前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さい、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向く頂面を有し、
前記保護層は、前記頂面の少なくとも一部を覆っている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する方向を向く側面を有し、
前記保護層は、前記側面の少なくとも一部を覆っている、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１半導体素子と、各々が当該第１半導体素子に導通する第１リードおよび第２リードとを備える半導体装置の一例が開示されている。第１半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子である。第１リードは、第１半導体素子が導電接合されたパッドと、当該パッドに連結された第１端子とを含む。当該半導体装置においては、第１端子および第２リードに直流電圧を印加させ、かつ第１半導体素子を駆動することによって、直流電力を交流電力に変換することができる。
【０００３】
特許文献１に開示されている半導体装置は、第１半導体素子を覆う封止樹脂をさらに備える。ここで、当該半導体装置の使用の際、第１半導体素子から熱が発生する。第１半導体素子から発生した熱は、封止樹脂の表面に到達する。第１半導体素子からの発熱量が著しく多い場合、人の指が封止樹脂の表面に接触すると、指の火傷が懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－１４４９０号公報
【０００５】
［概要］
本開示は上記事情に鑑み、装置の表面温度の上昇を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂の少なくとも一部を覆う保護層とを備える。前記保護層は、前記封止樹脂の第１方向の一方側に位置する部分を含む。前記保護層の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも低い。
【０００７】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２は、図１に対応する平面図であり、保護層の図示を省略しており、かつ封止樹脂を透過している。
図３は、図１に示す半導体装置の底面図である。
図４は、図１に示す半導体装置の正面図である。
図５は、図１に示す半導体装置の左側面図である。
図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図９は、図７の部分拡大図である。
図１０は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図７に対応している。
図１１は、図１０の部分拡大図であり、封止樹脂の頂面およびその近傍を示している。
図１２は、図１０の部分拡大図であり、封止樹脂の底面およびその近傍を示している。
図１３は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図１４は、図１３に示す半導体装置の断面図であり、図７に対応している。
図１５は、図１３に示す半導体装置の断面図であり、図８に対応している。
図１６は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図１７は、図１６に示す半導体装置の断面図であり、図７に対応している。
図１８は、図１６に示す半導体装置の断面図であり、図８に対応している。
図１９は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２０は、図１９に示す半導体装置の断面図であり、図７に対応している。
図２１は、図１９に示す半導体装置の断面図であり、図８に対応している。
図２２は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２３は、図２２に示す半導体装置の断面図であり、図７に対応している。
図２４は、図２２に示す半導体装置の断面図であり、図８に対応している。
図２５は、本開示の第７実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２６は、図２５に対応する平面図であり、保護層の図示を省略しており、かつ封止樹脂を透過している。
図２７は、図２５に示す半導体装置の底面図である。
図２８は、図２５に示す半導体装置の正面図である。
図２９は、図２６のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。
図３０は、図２６のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。
図３１は、図２６のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。
【０００９】
［詳細な説明］
本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。
【００１０】
〔第１実施形態〕
図１～図９に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、表面実装型のパッケージである。半導体装置Ａ１０は、入力電圧に対して等しい電圧を出力する機能を果たすボルテージトラッカである。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３、第４端子２４、第５端子２５、接合層２９、第１導通部材３１、第２導通部材３２、第３導通部材３３、封止樹脂４０および保護層５０を備える。ここで、図２は、理解の便宜上、保護層５０の図示を省略しており、かつ封止樹脂４０を透過している。図２では、透過した封止樹脂４０を想像線（二点鎖線）で示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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