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公開番号2025082486
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-29
出願番号2023195843
出願日2023-11-17
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H01L 21/3205 20060101AFI20250522BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】パッドの認識間違いを防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】金属層を有する半導体素子と、金属層を部分的に覆う絶縁膜と、金属層のうち絶縁膜から露出した第1部位である電極パッド4012と、金属層のうち絶縁膜から露出した第2部位である放熱用パッド4011と、電極パッド4012に接合されたワイヤ51と、放熱用パッド4011に接合された金属塊6とを含み、電極パッド4012は、平面視において第1形状であると認識されるパターンで形成されており、放熱用パッド4011は、平面視において第1形状とは異なる第2形状であると認識されるパターンで形成されている、半導体装置を提供する。
【選択図】図26
特許請求の範囲【請求項１】
金属層を有する半導体素子と、
前記金属層を部分的に覆う絶縁膜と、
前記金属層のうち前記絶縁膜から露出した第１部位である電極パッドと、
前記金属層のうち前記絶縁膜から露出した第２部位である放熱用パッドと、
前記電極パッドに接合されたワイヤと、
前記放熱用パッドに接合された金属塊とを含み、
前記電極パッドは、平面視において第１形状であると認識されるパターンで形成されており、
前記放熱用パッドは、平面視において前記第１形状とは異なる第２形状であると認識されるパターンで形成されている、半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記ワイヤおよび前記金属塊のいずれか一方の配置基準となる配置基準部が形成されており、
前記配置基準部のパターンに基づいて前記第２形状が前記第１形状とは異なる形状であると認識可能である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配置基準部は、前記電極パッドまたは前記放熱用パッドの端縁の一部によって形成された端縁マークを含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第１方向および第２方向の少なくとも一方において互いに対向する一対の前記端縁マークが形成されている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配置基準部は、前記電極パッドまたは前記放熱用パッドの周囲に近接した位置に独立して配置され、前記金属層のうち前記絶縁膜から露出した部位である離間マークを含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
第１方向および第２方向の少なくとも一方において、前記電極パッドまたは前記放熱用パッドを挟んで互いに対向する一対の前記離間マークが形成されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
電極パッドは、平面視において、第１幾何学的形状に形成されており、
前記放熱用パッドは、平面視において、前記第１幾何学的形状とは異なる第２幾何学的形状に形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電極パッドは、平面視において、第１多角形状に形成されており、
前記放熱用パッドは、平面視において、前記第１多角形状とは異なる第２多角形状に形成されている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記電極パッドは、平面視において、多角形状に形成されており、
前記放熱用パッドは、平面視において、円形状に形成されている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記電極パッドは、平面視において、第１幾何学的形状に形成されており、
前記放熱用パッドは、平面視において、前記第１幾何学的形状に形成されており、
前記第１幾何学的形状に設定した基準線と第１方向に沿う第２基準線との間の角度が、前記電極パッドおよび前記放熱用パッドで互いに異なっている、請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 3,100 文字）【背景技術】
【０００２】
様々な産業機器や自動車における電流制御に、スイッチング素子が用いられている。特許文献１には、従来のスイッチング素子の一例が開示されている。スイッチング素子は、電流を遮断する際に生じる起電力によって、エネルギーが生じる。アクティブクランプは、このエネルギーをスイッチング素子で吸収する機能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－２１２９３０号公報
【０００４】
［概要］
本開示の一実施形態は、金属層を有する半導体素子と、前記金属層を部分的に覆う絶縁膜と、前記金属層のうち前記絶縁膜から露出した第１部位である電極パッドと、前記金属層のうち前記絶縁膜から露出した第２部位である放熱用パッドと、前記電極パッドに接合されたワイヤと、前記放熱用パッドに接合された金属塊とを含み、前記電極パッドは、平面視において第１形状であると認識されるパターンで形成されており、前記放熱用パッドは、平面視において前記第１形状とは異なる第２形状であると認識されるパターンで形成されている、半導体装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
図１は、本開示の一実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２は、本開示の一実施形態に係る半導体装置を示す部分平面図である。
図３は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の半導体素子を示す回路図である。
図４は、本開示の一実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。
図５は、本開示の一実施形態に係る半導体装置を示す側面図である。
図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の半導体素子を示す平面図である。
図９は、半導体素子の部分拡大断面図である。
図１０は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の金属塊を示す平面図である。
図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。
図１２は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分断面図である。
図１３は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分断面図である。
図１４は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分断面図である。
図１５は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分断面図である。
図１６は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分断面図である。
図１７は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分断面図である。
図１８は、第１電極の第１パターンを示す模式的な平面図である。
図１９は、第１電極の第２パターンを示す模式的な平面図である。
図２０は、第１電極の第３パターンを示す模式的な平面図である。
図２１は、第１電極の第４パターンを示す模式的な平面図である。
図２２は、第１電極の第５パターンを示す模式的な平面図である。
図２３は、第１電極の第６パターンを示す模式的な平面図である。
図２４は、第１電極の第７パターンを示す模式的な平面図である。
図２５は、第１電極の第８パターンを示す模式的な平面図である。
図２６は、第１電極のパターンの組み合わせを示す模式的な平面図である。
図２７は、第１電極のパターンの組み合わせを示す模式的な平面図である。
図２８は、第１電極のパターンの組み合わせを示す模式的な平面図である。
図２９は、第１電極のパターンの組み合わせを示す模式的な平面図である。
図３０は、第１電極のパターンの組み合わせを示す模式的な平面図である。
図３１は、第１電極のパターンの組み合わせを示す模式的な平面図である。
図３２は、第１電極のパターンの組み合わせを示す模式的な平面図である。
図３３は、本開示の一実施形態に係る半導体素子の変形例を示す平面図である。
図３４は、第１領域の第１変形例を示す模式的な平面図である。
図３５は、第１領域の第２変形例を示す模式的な平面図である。
図３６は、第１領域の第３変形例を示す模式的な平面図である。
図３７は、第１領域の第４変形例を示す模式的な平面図である。
【０００６】
［詳細な説明］
次に、本開示の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【０００７】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
【０００８】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
【０００９】
［半導体装置Ａ１の全体構造］
図１～図１１は、本開示の一実施形態に係る半導体装置Ａ１を示している。この形態の半導体装置Ａ１は、第１リード１、複数の第２リード２、複数の第３リード３、半導体素子４、複数の第１ワイヤ５１、複数の第２ワイヤ５２、複数の金属塊６および封止樹脂８を備えている。
【００１０】
図１は、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図２は、半導体装置Ａ１を示す部分平面図である。図４は、半導体装置Ａ１を示す正面図である。図５は、半導体装置Ａ１を示す側面図である。図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、半導体素子４を示す平面図である。図９は、半導体素子４の部分拡大断面図である。図１０は、金属塊６を示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。これらの図において、ｚ方向は、本開示の「厚さ方向」に相当する。ｘ方向は、本開示の「第１方向」に相当する。ｙ方向は、本開示の「第２方向」に相当する。
（【００１１】以降は省略されています）

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