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公開番号2025100771
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2025068435,2022519951
出願日2025-04-17,2021-04-30
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250626BHJP()
要約【課題】信頼性が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、第1主面101a、及び、第1主面101aと背向する第2主面101bを有する半導体層101と、第1主面101aに形成された第1電極層102と、第2主面101bに形成された第2電極層103と、第1電極層102の端部を覆う絶縁膜104と、第1電極層102の端部以外の少なくとも一部を覆うめっき層105と、絶縁膜104を覆うモールド層106とを備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面、及び、前記第１主面と背向する第２主面を有する半導体層と、
前記第１主面に形成された第１電極層と、
前記第２主面に形成された第２電極層と、
前記第１電極層の端部を覆う絶縁膜と、
前記第１電極層の前記端部以外の少なくとも一部を覆うめっき層と、
前記絶縁膜を覆うモールド層とを備える、半導体装置。
続きを表示（約 890 文字）【請求項２】
平面視において、前記モールド層は、前記半導体層の外周部に沿う環状である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記めっき層の表面と、前記モールド層の表面とは面一である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記めっき層と前記モールド層とは、直接接触する、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体層は、ＳｉＣによって形成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、トランジスタとして機能し、
前記第２電極層は、前記トランジスタのドレイン電極であり、
前記第１電極層は、前記トランジスタのソース電極、及び、前記ソース電極と絶縁された前記トランジスタのゲート電極を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置は、前記第１電極層および前記第２電極層をそれぞれアノードおよびカソードとするショットキーバリアダイオードとして機能する、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体層の側面と、前記モールド層の側面とは面一である、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記めっき層の表面には、前記めっき層を形成する金属材料と異なる金属材料で形成された金属層が形成されている、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体層の第１主面に第１電極層を形成する工程と、
前記半導体層の、前記第１主面と背向する第２主面に第２電極層を形成する工程と、
前記第１電極層の端部を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記第１電極層の前記端部以外の少なくとも一部を覆うめっき層を形成する工程と、
前記絶縁膜を覆うモールド層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この出願は、２０２０年５月８日に日本国特許庁に提出された特願２０２０－０８２７２８号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＳｉＣ半導体基板を用いた縦型半導体素子に関する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－７９９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態は、信頼性が向上された半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、第１主面、および、前記第１主面と背向する第２主面を有する半導体層と、前記第１主面に形成された第１電極層と、前記第２主面に形成された第２電極層と、前記第１電極層の端部を覆う絶縁膜と、前記第１電極層の前記端部以外の少なくとも一部を覆うめっき層と、前記絶縁膜を覆うモールド層とを含む、半導体装置を提供する。
【０００６】
本発明の一実施形態は、半導体層の第１主面に第１電極層を形成する工程と、前記半導体層の、前記第１主面と背向する第２主面に第２電極層を形成する工程と、前記第１電極層の端部を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記第１電極層の前記端部以外の少なくとも一部を覆うめっき層を形成する工程と、前記絶縁膜を覆うモールド層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法を提供する。
【０００７】
本発明の一実施形態は、主面を有する半導体層と、前記主面の上に配置された主面電極と、前記主面電極の一部を露出させるように前記主面電極を部分的に被覆する絶縁膜と、前記主面電極を露出させるように前記絶縁膜を被覆するモールド層と、前記主面電極に電気的に接続されるように前記主面電極の上に配置されたパッド電極と、を含む、半導体装置を提供する。
【０００８】
本発明の一実施形態は、主面を有する半導体層と、前記主面の上に配置された主面電極と、前記主面電極の内方部を露出させるように前記主面電極の周縁部を被覆する感光性樹脂層と、前記主面電極の内方部を露出させるように前記感光性樹脂層を挟んで前記主面電極の周縁部を被覆する熱硬化性樹脂層と、前記主面電極の内方部の上に配置されたパッド電極と、を含む、半導体装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２は、図１に示す半導体装置の断面図である。
図３は、図１に示す半導体装置の外周部の詳細構成を示す図である。
図４は、図１に示す半導体装置の半導体層の詳細構成を示す図である。
図５Ａは、図１に示す半導体装置の製造方法を示す第１断面図である。
図５Ｂは、図１に示す半導体装置の製造方法を示す第２断面図である。
図５Ｃは、図１に示す半導体装置の製造方法を示す第３断面図である。
図５Ｄは、図１に示す半導体装置の製造方法を示す第４断面図である。
図５Ｅは、図１に示す半導体装置の製造方法を示す第５断面図である。
図５Ｆは、図１に示す半導体装置の製造方法を示す第６断面図である。
図６は、第２実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図７は、図８に示す半導体装置の断面図である。
図８は、図８に示す半導体装置の外周部の詳細構成を示す図である。
図９は、第３実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図である。
図１０は、図９に示す半導体パッケージの一例を示す図である。
図１１は、第３実施形態に係る半導体パッケージの他の例を示す図である。
図１２は、めっき層上にニッケル層が形成された構造を有する半導体装置の断面図である。
図１３は、２層構造のめっき層を含む半導体装置の断面図である。
図１４は、一変形例に係る半導体装置の平面図である。
図１５Ａは、一変形例に係るダイシング工程を示す第１断面図である。
図１５Ｂは、一変形例に係るダイシング工程を示す第２断面図である。
図１５Ｃは、一変形例に係るダイシング工程を示す第３断面図である。
図１６Ａは、他の変形例に係るダイシング工程を示す第１断面図である。
図１６Ｂは、他の変形例に係るダイシング工程を示す第２断面図である。
図１６Ｃは、他の変形例に係るダイシング工程を示す第３断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態が具体的に説明される。以下で説明される実施形態は、いずれも包括的または具体的な例を示す。以下の実施形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置、構成要素の接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施形態における構成要素のうち独立請求項に記載されていない構成要素は、任意の構成要素として説明される。
（【００１１】以降は省略されています）

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