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公開番号2025096480
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-26
出願番号2025064426,2024226031
出願日2025-04-09,2020-09-25
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H10D 8/60 20250101AFI20250619BHJP()
要約【課題】有機絶縁層の開口から露出する電極の上にNiめっき層が形成される構造において、Niめっき層の信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、側面を有するチップと、前記チップの上に形成された電極と、前記電極を被覆する無機絶縁層と、前記無機絶縁層を被覆し、第2開口を有し、前記第1開口および前記第2開口の間の領域において前記無機絶縁層の内周縁を露出させる有機絶縁層と、前記第1開口内において前記電極を被覆し、前記第2開口内において前記無機絶縁層の前記内周縁を被覆する金属層と、を含む。前記有機絶縁層は、前記無機絶縁層の第1外壁よりも内方に位置する第2外壁を有している。前記第2外壁は、前記側面から内方に間隔を空けて前記側面に沿って形成されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
側面を有するチップと、
前記チップの上に形成された電極と、
前記電極を被覆し、第１開口から前記電極を露出させる無機絶縁層と、
前記無機絶縁層を被覆し、前記第１開口の開口端から間隔を空けて形成された開口端を有する第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口の間の領域において前記無機絶縁層の内周縁を露出させる有機絶縁層と、
前記第１開口内において前記電極を被覆し、前記第２開口内において前記無機絶縁層の前記内周縁を被覆する金属層と、を含み、
前記有機絶縁層は、前記無機絶縁層の第１外壁よりも内方に位置する第２外壁を有しており、
前記第２外壁は、前記側面から内方に間隔を空けて前記側面に沿って形成されている、半導体装置。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記無機絶縁層の前記第１外壁が、前記側面から内方に間隔を空けて形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属層は、前記第２開口の開口端から前記無機絶縁層側に間隔を空けて形成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２開口内において前記金属層の外面を被覆する外面めっき層をさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記外面めっき層は、前記金属層の厚さ未満の厚さを有している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属層は、Ｎｉめっき層を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記無機絶縁層の前記内周縁は、前記無機絶縁層の厚さを超える幅を有している、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記有機絶縁層の前記第２外壁は、前記無機絶縁層側に窪んだ湾曲状に形成されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記チップは、ＳｉＣチップからなる、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記チップに形成されたトランジスタをさらに含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１（図４）は、半導体基板、アルミニウム膜（電極）、ポリイミド膜（有機絶縁層）およびＮｉめっき膜（Ｎｉめっき層）を備えた半導体装置を開示している。アルミニウム膜は、半導体基板の上に形成されている。ポリイミド膜は、アルミニウム膜の上に形成され、アルミニウム膜を露出させる開口を有している。Ｎｉめっき膜は、ポリイミド膜の開口から露出するアルミニウム膜の上に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１８／１６７９２５Ａ１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機絶縁層は、Ｎｉに対する密着性が低い性質を有している。したがって、有機絶縁層の開口から露出する電極の上に金属層を形成した場合、金属層は、有機絶縁層との間で電極に向かって延びる間隙を形成する。その結果、電極に対する金属層の接続が不十分となり、金属層の信頼性が低下する。
【０００５】
本発明の一実施形態は、有機絶縁層の開口から露出する電極の上に金属層が形成される構造において、金属層の信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は、チップと、前記チップの上に形成された電極と、前記電極を被覆し、前記電極を露出させる第１開口を有する無機絶縁層と、前記無機絶縁層を被覆し、前記第１開口から間隔を空けて前記第１開口を取り囲む第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口の間の領域において前記無機絶縁層の内周縁を露出させる有機絶縁層と、前記第１開口内において前記電極を被覆し、前記第２開口内において前記無機絶縁層の前記内周縁を被覆するＮｉめっき層と、を含む、半導体装置を提供する。
【０００７】
この半導体装置によれば、Ｎｉめっき層が、有機絶縁層と比較してＮｉに対する密着性が高い無機絶縁層の内周縁を被覆している。これにより、間隙の形成領域を電極から遠ざけることができると同時に、電極に向かって延びる間隙の形成を抑制できる。無機絶縁層の内周縁が露出しない構造と比較した場合、有機絶縁層との間における間隙の形成領域を低減できる。よって、Ｎｉめっき層の信頼性を向上できる。
【０００８】
本発明の一実施形態は、チップと、前記チップの上に形成された電極と、前記電極を被覆し、前記電極を露出させる第１開口を有する無機絶縁層と、前記無機絶縁層を被覆し、前記第１開口から間隔を空けて前記第１開口を取り囲む第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口の間の領域において前記無機絶縁層の内周縁を露出させる有機絶縁層と、前記第１開口内において前記電極を被覆し、前記第２開口内において前記無機絶縁層の前記内周縁を被覆する金属層と、を含む、半導体装置を提供する。
【０００９】
この半導体装置によれば、金属層が、有機絶縁層と比較して当該金属層に密着性が高い無機絶縁層の内周縁を被覆している。これにより、間隙の形成領域を電極から遠ざけることができると同時に、電極に向かって延びる間隙の形成を抑制できる。無機絶縁層の内周縁が露出しない構造と比較した場合、有機絶縁層との間における間隙の形成領域を低減できる。よって、金属層の信頼性を向上できる。
【００１０】
本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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