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公開番号2025079288
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-21
出願番号2024045525
出願日2024-03-21
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250514BHJP()
要約【課題】活性領域の端部のコンタクト部によるキャリアの引き抜きを容易とし、耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】活性領域101、及び活性領域101よりも外側に設けられた耐圧領域102を有する半導体装置において、活性領域101及び耐圧領域102に亘って設けられた第1導電型の半導体層12と、活性領域101の耐圧領域102側の端部103において、半導体層12の上面側に設けられた第2導電型の半導体領域18と、半導体領域18の上面側に設けられたコンタクト部5と、を備え、コンタクト部5は、平面視において、活性領域101の耐圧領域102側の端部103に沿った第1方向に延伸する第1ストライプ部51aと、第1ストライプ部51aに接続され、第1方向に互いに離隔する複数の第1接続部52aを備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
活性領域、及び前記活性領域よりも外側に設けられた耐圧領域を有する半導体装置において、
前記活性領域及び前記耐圧領域に亘って設けられた第１導電型の半導体層と、
前記活性領域の前記耐圧領域側の端部において、前記半導体層の上面側に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上面側に設けられたコンタクト部と、
を備え、
前記コンタクト部は、
平面視において、前記活性領域の前記耐圧領域側の端部に沿った第１方向に延伸する第１ストライプ部と、
前記第１ストライプ部に接続され、前記第１方向に互いに離隔する複数の第１接続部と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 930 文字）【請求項２】
前記複数の第１接続部が前記第１ストライプ部よりも内側に設けられている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の第１接続部が前記第１ストライプ部よりも外側に設けられている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１ストライプ部よりも内側に前記第１ストライプ部から離隔して設けられ、前記複数の第１接続部に接続され、前記第１方向に延伸する第２ストライプ部を更に備える
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２ストライプ部よりも内側に設けられ、前記第２ストライプ部に接続され、前記第１方向で互いに離隔する複数の第２接続部を更に備える
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２ストライプ部よりも内側に前記第２ストライプ部から離隔して設けられ、前記複数の第２接続部に接続され、前記第１方向に延伸する第３ストライプ部を更に備える
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１ストライプ部よりも外側に設けられ、前記第１ストライプ部に接続され、前記第１方向で互いに離隔する複数の第２接続部を更に備える
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記平面視において、前記活性領域の角部が曲線形状を有し、
前記第１～第３ストライプ部の前記第１方向の長さが、前記曲線形状に沿って変化する
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記コンタクト部は、前記第２ストライプ部よりも外側に設けられ、前記第２ストライプ部に接続され、前記曲線形状に沿って前記第１方向に直交する第２方向の長さが変化する複数の第３接続部を更に備える
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記平面視において、前記活性領域の角部が曲線形状を有し、
前記曲線形状に沿って前記複数の第１接続部の前記第１方向に直交する第２方向の長さが変化する
請求項３に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、活性領域内に耐圧領域に接する活性終端部を備え、活性終端部に第２ｐ型領域と複数のトレンチコンタクト部を設けている構成と、トレンチコンタクト部内に埋め込まれた導電体がソース電極と一体に形成されている構成と、トレンチコンタクト部にバリアメタル層を介してプラグメタルを埋め込まれる構成が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、素子形成領域と耐圧保持領域との間に外側領域を備え、外側領域にはｐ
＋
型終端領域が設けられ、エミッタ引き回し部用の第３コンタクト凹部が形成されている構成と、第３コンタクト凹部の底部に沿ってｐ
＋
型終端領域より不純物濃度が高いｐ
＋
型コンタクト領域を備え、エミッタ引き回し部により素子形成領域外の領域で生じたアバランシェ電流を回収し、回収されたアバランシェ電流は、エミッタ接続部を介してエミッタパッドから取り出される構成が開示されている。
【０００４】
特許文献３には、第４ドーピング領域を２×１０
１３
ｃｍ
－３
～５×１０
１３
ｃｍ
－３
の不純物濃度、２μｍ～４μｍの深さで形成し、第６ドーピング領域を１×１０
１５
ｃｍ
－３
～５×１０
１５
ｃｍ
－３
の不純物濃度、０．５μｍ～１．５μｍの深さで形成した構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２０－１７０８０７号公報
特開２０１８－１２０９９０号公報
特表２０１９－５２１５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１及び２に記載のように、活性領域の耐圧領域に接する端部に設けたコンタクト部によりキャリアを引き抜く構成において、コンタクト部の外側に電流集中が生じ、耐量を向上させ難いという課題がある。
【０００７】
本開示は、活性領域の端部のコンタクト部によるキャリアの引き抜きを容易とし、耐量を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本開示の一態様は、活性領域、及び活性領域よりも外側に設けられた耐圧領域を有する半導体装置において、活性領域及び耐圧領域に亘って設けられた第１導電型の半導体層と、活性領域の耐圧領域側の端部において、半導体層の上面側に設けられた第２導電型の半導体領域と、半導体領域の上面側に設けられたコンタクト部と、を備え、コンタクト部は、平面視において、活性領域の耐圧領域側の端部に沿った第１方向に延伸する第１ストライプ部と、第１ストライプ部に接続され、第１方向に互いに離隔する複数の第１接続部と、を備える半導体装置であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、活性領域の端部のコンタクト部によるキャリアの引き抜きを容易とし、耐量を向上させることができる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図１の領域Ａを拡大した第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２のＡ－Ａ´線に沿った第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
図２のＢ－Ｂ´線に沿った第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
図２のＣ－Ｃ´線に沿った第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
図２の領域Ｄを拡大した第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図６のＡ－Ａ´線に沿った第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
図６のＢ－Ｂ´線に沿った第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第１比較例に係る半導体装置の一部の平面図である。
図９に対応する第１比較例に係る半導体装置の斜視図である。
第２比較例に係る半導体装置の一部の平面図である。
図１１に対応する第２比較例に係る半導体装置の斜視図である。
図６に対応する第１実施形態に係る半導体装置の斜視図である。
第２実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
図１４のＡ－Ａ´線に沿った第２実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第３実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
図１６のＡ－Ａ´線に沿った第３実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第４実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
第５実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
図１９の領域Ａを拡大した第５実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２０のＡ－Ａ´線に沿った第５実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第６実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
第７実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
第７実施形態に係る半導体装置の他の一部の断面図である。
第８実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
ダイオードの逆回復特性を示すグラフである。
第９実施形態に係る半導体装置のコンタクト領域のドーズ量と逆回復電流の変化率の関係を示すグラフである。
第１０実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
図２７のＡ－Ａ´線に沿った断面図である。
図２７のＢ－Ｂ´線に沿った断面図である。
図２７のＣ－Ｃ´線に沿った断面図である。
図２７のＤ－Ｄ´線に沿った断面図である。
第１１実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
第１１実施形態に係る半導体装置の他の一部の断面図である。
第１２実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
第１２実施形態に係る半導体装置の他の一部の断面図である。
第１３実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
第１３実施形態に係る半導体装置の他の一部の断面図である。
第１４実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
第１５実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
第１６実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
第１７実施形態に係る半導体装置の一部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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