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公開番号2025073339
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-13
出願番号2023184027
出願日2023-10-26
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250502BHJP()
要約【課題】ポリイミドが青色光によって劣化することを防ぎ、信頼性の低下を防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】活性領域と活性領域の周囲を囲む終端領域とを有する半導体装置において、終端領域は、第1導電型の半導体基板41と、半導体基板41の表面に設けられた膜厚dの第1導電型の第1半導体領域42と、第1半導体領域42の表面に設けられた絶縁膜19と、絶縁膜19の表面に選択的に設けられたポリイミド膜34と、を備え、ポリイミド膜34は、半導体装置10の端部Tから距離0.66d以上離して設けられている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
活性領域と前記活性領域の周囲を囲む終端領域とを有する半導体装置において、
前記終端領域は、
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた膜厚ｄの第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の表面に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に選択的に設けられたポリイミド膜と、
を備え、
前記ポリイミド膜は、前記半導体装置の端部から距離０．６６ｄ以上離して設けられていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 250 文字）【請求項２】
前記半導体装置は、側面が垂直からθ度傾いており、
前記ポリイミド膜は、前記半導体装置の端部から距離０．６６ｄ＋ｄｔａｎθ以上離して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、側面が垂直からθ度傾いており、
前記半導体基板の膜厚をＤとすると、
前記ポリイミド膜は、前記半導体装置の端部から距離０．６６ｄ＋Ｄｔａｎθ以上離して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＳｉＣエピタキシャル層上に端部絶縁膜およびパッシベーション膜を設け、パッシベーション膜がダイシング領域の端部から離れているＳｉＣ半導体装置が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－９３２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、還流電流が内蔵ダイオードに流れることで青色光が発生し、半導体装置を覆うポリイミドが半導体装置の端部から放出された青色光を吸収することで、ポリイミドの組成が変化し密着性等が悪化し半導体装置の信頼性が低下する場合がある。
【０００５】
本開示は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ポリイミドが青色光によって劣化することを防ぎ、信頼性の低下を防ぐことができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、本開示の目的を達成するため、本開示にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。半導体装置は活性領域と前記活性領域の周囲を囲む終端領域とを有する。前記終端領域は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた膜厚ｄの第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の表面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の表面に選択的に設けられたポリイミド膜と、を備える。前記ポリイミド膜は、前記半導体装置の端部から距離０．６６ｄ以上離して設けられている。
【０００７】
上述した開示によれば、層間絶縁膜を通過し、青色光が半導体装置の表面より放出したとしてもポリイミド膜に吸収されることはない。このため、青色光によりポリイミド膜の組成が変化して、ポリイミド膜と層間絶縁膜との密着性等が悪化することなく、半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
【発明の効果】
【０００８】
本開示にかかる半導体装置によれば、ポリイミドが青色光によって劣化することを防ぎ、信頼性の低下を防ぐことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態にかかる半導体装置のエッジ終端領域を示す断面図である。
実施の形態にかかる半導体装置のダイシング面角度と半導体装置の端部からポリイミド膜までの距離との関係を示すグラフである。
実施の形態にかかる半導体装置のエッジ終端領域の構造を示す断面図である。
実施の形態にかかる半導体装置の活性領域の構造を示す断面図である。
従来の半導体装置のエッジ終端領域を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜本開示の実施形態の概要＞
上述した課題を解決し、本開示の目的を達成するため、本開示にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。半導体装置は活性領域と前記活性領域の周囲を囲む終端領域とを有する。前記終端領域は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた膜厚ｄの第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の表面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の表面に選択的に設けられたポリイミド膜と、を備える。前記ポリイミド膜は、前記半導体装置の端部から距離０．６６ｄ以上離して設けられている。
（【００１１】以降は省略されています）

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