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公開番号2025078395
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-20
出願番号2023190937
出願日2023-11-08
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人扶桑国際特許事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250513BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】寄生インダクタンスを低減しつつ、主端子の配線の自由度を改善する。
【解決手段】半導体装置は、第1主面51b1(並びに、第3主面51a1)を含む第1リードフレーム51と、第1リードフレーム51に間隙Gを空けて正対しており、第1リードフレーム51の第1主面51b1側に設けられた第2主面52b1を含む第2リードフレーム52と、間隙Gに設けられ、第1主面51b1(並びに、第3主面51a1)に近接対向する外面57b1(並びに、外面57c1)と第2主面52b1に近接対向する外面57d1とを含む導電部材57と、を含む。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面を含む第１主端子と、
前記第１主端子に間隙を空けて正対しており、前記第１主端子の前記第１主面側に設けられた第２主面を含む第２主端子と、
前記間隙に設けられ、前記第１主面に近接対向する第１外面と前記第２主面に近接対向する第２外面とを含む導電部材と、
を有する半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記導電部材の前記第１外面と前記第１主端子の前記第１主面との間と、前記導電部材の前記第２外面と前記第２主端子の前記第２主面との間とが封止部材によりそれぞれ封止されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１主端子の前記第１主面と前記第２主端子の前記第２主面とは対向している箇所をそれぞれ含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１主端子は、一端部側の第１外部接続部と、前記第１主面の前記第１外部接続部の反対側に設けられ、前記第１主面に直交し、前記導電部材側に折れ曲がった第３主面と、をさらに含んでいる、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電部材は、前記第３主面に近接対向する第３外面をさらに含む、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導電部材は、筒状を成し、貫通方向が前記第１主端子に対する通電方向に対して直交する貫通孔を取り囲む、前記第１外面及び前記第２外面を含む複数の外面を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導電部材の前記第１外面と前記第１主端子の前記第１主面との間と前記導電部材の前記第２外面と前記第２主端子の前記第２主面との間とが封止部材により封止されて、前記貫通孔は前記封止部材が充填されている、
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導電部材は、ブロック状を成し、前記第１外面を含む複数の外面で囲まれている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
おもて面に第１低電位側電極及び裏面に第１高電位側電極が設けられた第１半導体チップと前記第１半導体チップの前記第１高電位側電極が接合された第１絶縁回路基板とを含み、前記第１主端子が前記第１高電位側電極に電気的に接続されている第１半導体ユニットと、
おもて面に第２低電位側電極及び裏面に第２高電位側電極が設けられ、前記第２高電位側電極と前記第１低電位側電極とが電気的に接続されている第２半導体チップと前記第２半導体チップの前記第２高電位側電極が接合された第２絶縁回路基板とを含み、前記第２主端子が前記第２低電位側電極に電気的に接続されている第２半導体ユニットと、
を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２半導体ユニットは、さらに、前記第２半導体チップの前記第２高電位側電極及び前記第１半導体チップの前記第１低電位側電極に電気的に接続されている第３主端子を含んでいる、
請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置に含まれるＰ端子は、Ｘ－Ｙ面に平行な第１平板部及び第２平板部と、Ｚ－Ｘ面に平行で、第１平板部及び第２平板部を接続する第３平板部とを含んでいる。第１平板部及び第２平板部の間に金属板が配置されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－０７０９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、寄生インダクタンスを低減しつつ、主端子の配線の自由度が改善された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１主面を含む第１主端子と、前記第１主端子に間隙を空けて正対しており、前記第１主端子の前記第１主面側に設けられた第２主面を含む第２主端子と、前記間隙に設けられ、前記第１主面に近接対向する第１外面と前記第２主面に近接対向する第２外面とを含む導電部材と、を有する半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【０００６】
開示の技術によれば、寄生インダクタンスを低減しつつ、主端子の配線の自由度を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１の実施の形態の半導体装置の外観図である。
第１の実施の形態の半導体装置（蓋無し）の平面図である。
第１の実施の形態の半導体装置の断面図である。
第１の実施の形態の半導体装置に含まれる半導体ユニットの平面図である。
第１の実施の形態の半導体装置に含まれるリードフレームの斜視図である。
第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの平面図である。
第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの断面図である。
第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの断面図（電源電圧の供給時）である。
参考例の半導体装置の断面図である。
第２の実施の形態（実施例２－１）の半導体装置の断面図である。
第２の実施の形態（実施例２－２）の半導体装置の断面図である。
第３の実施の形態の半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。以下の説明において、「おもて面」及び「上面」とは、図の半導体装置において、上側（＋Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「上」とは、図の半導体装置において、上側（＋Ｚ方向）の方向を表す。「裏面」及び「下面」とは、図の半導体装置１において、下側（－Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「下」とは、図の半導体装置１において、下側（－Ｚ方向）の方向を表す。必要に応じて他の図面でも上記と同様の方向性を意味する。「高位」及び「上位」とは、図の半導体装置１において、上側（＋Ｚ方向）の位置を表す。同様に、「低位」及び「下位」とは、図の半導体装置において、下側（－Ｚ方向）の位置を表す。「おもて面」、「上面」、「上」と「裏面」、「下面」、「下」と「側面」とは、相対的な位置関係を特定する便宜的な表現に過ぎず、本発明の技術的思想を限定するものではない。例えば、「上」及び「下」は、必ずしも地面に対する鉛直方向を意味しない。つまり、「上」及び「下」の方向は、重力方向に限定されない。また、以下の説明において「主成分」とは、８０ｖｏｌ％以上含む場合を表す）。また、「略同一」とは、±１０％以内の範囲であればよい。また、「垂直」並びに「直交」、「平行」とは、±１０°以内の範囲であればよい。
【０００９】
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態の半導体装置の外観について、図１を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態の半導体装置の外観図である。半導体装置１は、後述する半導体ユニット２ａ，２ｂがケース３に収納されている。半導体装置１の裏面（ケース３の裏側）には、平面視で矩形状の放熱ベース板１７が設けられている（図３を参照）。
【００１０】
ケース３は、側壁３ａ～３ｄと端子口３２ａ，３２ｂとを含んでいる。ケース３は、さらに、平面視で４つの角部に締結孔５をそれぞれ含んでいる。また、ケース３は、蓋４が取り付けられている。
（【００１１】以降は省略されています）

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