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公開番号2025076960
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-16
出願番号2023188948
出願日2023-11-02
発明の名称発光装置の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H10H 20/854 20250101AFI20250509BHJP()
要約【課題】バリスタ電圧の低電圧化とESD耐性の向上とを両立する発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本開示の一実施形態に係る光源の製造方法は、一対の電極を有する基体を準備する工程と、3.0以下の比誘電率を有する樹脂と、バリスタ粒子とを含む保護部材を準備する工程と、前記一対の電極を接続するように前記保護部材を配置して硬化する工程と、硬化された前記保護部材に、最大電流を3mA以上5mA以下に制限した電圧を印加する、又はJEDEC JESD22-A114に準拠して8kV以上10kV以下の電圧を印加することにより通電する工程と、前記一対の電極に発光素子を電気的に接続する工程と、を含み、前記保護部材を準備する工程において、前記保護部材の全体に対して前記バリスタ粒子を70重量%以上含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
一対の電極を有する基体を準備する工程と、
３．０以下の比誘電率を有する樹脂と、バリスタ粒子とを含む保護部材を準備する工程と、
前記一対の電極を接続するように前記保護部材を配置して硬化する工程と、
硬化された前記保護部材に、最大電流を３ｍＡ以上５ｍＡ以下に制限した電圧を印加する、又はＪＥＤＥＣＪＥＳＤ２２－Ａ１１４に準拠して８ｋＶ以上１０ｋＶ以下の電圧を印加することにより通電する工程と、
前記一対の電極に発光素子を電気的に接続する工程と、を含み、
前記保護部材を準備する工程において、前記保護部材の全体に対して前記バリスタ粒子を７０重量％以上含む発光装置の製造方法。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
前記保護部材を準備する工程において、前記保護部材に対して０．５重量％以上２．５重量％以下の絶縁性フィラーを含む前記保護部材を準備し、
前記絶縁性フィラーは、酸化亜鉛、及び酸化ケイ素から選択された少なくとも１種以上を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護部材を準備する工程において、前記保護部材に対して０．５重量％以上２．５重量％以下の絶縁性フィラーを含む前記保護部材を準備し、
前記絶縁性フィラーは、多孔質粒子、及び中空粒子から選択された少なくとも１種以上を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護部材を準備する工程において、前記バリスタ粒子は、酸化亜鉛を主成分とするセラミックスであり、さらにビスマス、コバルト、アンチモン、及びマンガンから選択された少なくとも１種以上を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護部材を準備する工程において、前記樹脂に対して４重量ｐｐｍ以上の白金系硬化触媒を含む前記保護部材を準備する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護部材を準備する工程において、ジメチルシリコーンを含む前記樹脂を含む前記保護部材を準備する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記発光素子を電気的に接続する工程において、前記発光素子の定格電流は、１０ｍＡ以上１５００ｍＡ以下である請求項１に発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記基体を準備する工程において、前記一対の電極間の距離は、３０μｍ以上７０μｍ以下である請求項１に記載の発光装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
回路基板に半導体発光素子を実装した半導体発光装置が知られている。例えば、特許文献１には、セラミック基体を焼結することによって酸化亜鉛層を含むバリスタとセラミック基体とを一体的に形成した基体に、ＬＥＤチップを実装したＬＥＤパッケージが開示されている。
【０００３】
また、例えば特許文献２には、電極と電極間に配置された静電気に対する保護部材とを備えた回路基板に、半導体発光素子をフリップチップ実装する半導体発光装置の製造方法であって、保護部材としてバリスタ粒子とシリコーン樹脂等のバインダーとを混錬したペーストを、印刷法等によって回路基板の電極間に塗布することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第５６９８４２４号公報
特開２０１２－１０９５０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の半導体発光装置の製造方法では、バリスタ電圧の低電圧化に伴い、比較的大きなＥＳＤ（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃＤｉｓｃｈａｒｇｅ）が付加された場合に破壊し易くなり、バリスタ電圧の低電圧化とＥＳＤ耐性の向上との両立を図ることが困難である。
【０００６】
本開示の一実施形態は、バリスタ電圧の低電圧化とＥＳＤ耐性の向上とを両立する発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、一対の電極を有する基体を準備する工程と、３．０以下の比誘電率を有する樹脂と、バリスタ粒子とを含む保護部材を準備する工程と、前記一対の電極を接続するように前記保護部材を配置して硬化する工程と、硬化された前記保護部材に、最大電流を３ｍＡ以上５ｍＡ以下に制限した電圧を印加する、又はＪＥＤＥＣＪＥＳＤ２２－Ａ１１４に準拠して８ｋＶ以上１０ｋＶ以下の電圧を印加することにより通電する工程と、前記一対の電極に発光素子を電気的に接続する工程と、を含み、前記保護部材を準備する工程において、前記保護部材の全体に対して前記バリスタ粒子を７０重量％以上含む。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施形態によれば、バリスタ電圧の低電圧化とＥＳＤ耐性の向上とを両立する発光装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。
第１実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。
第１実施形態に係る発光装置の概略正面図である。
図３のＩＶ－ＩＶ断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の概略背面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法における基体の正面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法における基体の背面図（その１）である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法における基体の背面図（その２）である。
第２実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。
第２実施形態に係る発光装置から反射部材及び透光性部材を取り除いた状態の概略平面図である。
第２実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
第２実施形態に係る発光装置の概略側面図である。
実施例５及び６の発光装置の初期の電圧－電流特性である。
実施例５及び６の発光装置の作製後の電圧－電流特性である。
実施例５及び６の発光装置の追加ＨＢＭ試験後の電圧－電流特性である。
実施例７の発光装置の回路構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる。しかし、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一若しくは同等の部分又は部材を示す。
（【００１１】以降は省略されています）

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