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公開番号2025078320
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-20
出願番号2023190794
出願日2023-11-08
発明の名称面発光レーザ装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/183 20060101AFI20250513BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】内部の応力を低減すること。
【解決手段】第1光反射層40は、Alを含む材料により構成されているとともにZ軸向に交互に配置された複数の第1反射層41および複数の第2反射層42を含む。第1反射層41のAl組成比β1は、第2反射層42のAl組成比β2よりも高い。第1反射層41と第2反射層42の積層構造は、通過層531と重なる位置に設けられている。第1光反射層40は、Z軸方向と直交する方向の端面である発光部側面512と、平面視で発光部側面512と絶縁膜73の開口731の端部との間に設けられた第1領域441を含む。第1領域441は、AlおよびZnを含み、Al組成比が第1反射層41よりも低い。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
光生成層と、
Ａｌを含む材料によって構成され、前記光生成層の厚さ方向から前記光生成層を挟んで配置された第１光反射層および第２光反射層と、
前記第１光反射層の第１面上に設けられ、前記第１光反射層の前記第１面の一部を露出する開口を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上と前記第１光反射層とにまたがって設けられ、前記第１光反射層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２光反射層と電気的に接続された第２電極と、
前記第２光反射層と前記第２電極との間に配置され、電流が通過可能に構成された通過層と、前記通過層を囲む酸化物層と、を含む電流狭窄層と、
を含み、
前記第１光反射層は、Ａｌを含む材料により構成されているとともに前記厚さ方向に交互に配置された複数の第１反射層および複数の第２反射層を含み、前記第１反射層のＡｌ組成比は、前記第２反射層のＡｌ組成比よりも高く、
前記第１反射層と前記第２反射層の積層構造は、前記通過層と重なる位置に設けられており、
前記第１光反射層は、
前記厚さ方向と直交する方向の端面である側面と、
前記厚さ方向から見て前記側面と前記絶縁膜の前記開口の端との間に設けられ、ＡｌおよびＺｎを含み、Ａｌ組成比が前記第１反射層よりも低い第１領域と、
を含む、面発光レーザ装置。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記第１領域の内側端部は、前記厚さ方向から視て、前記絶縁膜の前記開口の端より前記第１光反射層の前記側面寄りに位置している、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項３】
前記第１領域の内側端部は、前記酸化物層に向かうに従って前記第１光反射層の前記側面に近づく、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項４】
前記酸化物層は、前記絶縁膜の前記開口の端よりも内部まで延びている、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項５】
前記第１領域の内側端部と前記絶縁膜の前記開口との距離は、前記絶縁膜の前記開口と前記酸化物層の内端との距離よりも長い、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項６】
前記第１領域の内側端部と前記絶縁膜の前記開口との距離は、前記絶縁膜の前記開口と前記酸化物層の内端との距離よりも短い、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項７】
前記第１領域の内側端部と前記絶縁膜の前記開口との距離は、前記絶縁膜の前記開口と前記酸化物層の内端との距離と等しい、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項８】
前記第１領域は、前記第１反射層よりも低濃度の第１層と、前記第２反射層よりも高濃度の第２層との積層構造となっている、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項９】
前記第１光反射層は、前記光生成層による光が通過する第２領域を含み、
前記第１領域のキャリア濃度は、前記第２領域のキャリア濃度と異なる、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項１０】
前記第１領域における層間の界面は、前記第２領域の界面よりもぼやけている、
請求項９に記載の面発光レーザ装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、面発光レーザ装置に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、面発光レーザ装置を開示している。この面発光レーザ装置は、化合物半導体材料により構成される基板と、基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む。ｎ型半導体層はｎ型光反射層を含み、ｐ型半導体層はｐ型光反射層を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－２１８７９号公報
【０００４】
［概要］
ところで、面発光レーザ装置では、内部に生じる応力が面発光レーザ装置の特性に影響する場合がある。このため、内部の応力の抑制が求められる。
【０００５】
本開示の一態様である面発光レーザ装置は、光生成層と、Ａｌを含む材料によって構成され、前記光生成層の厚さ方向から前記光生成層を挟んで配置された第１光反射層および第２光反射層と、前記第１光反射層の頂面上に設けられ、前記第１光反射層の上面の一部を露出する開口を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上と前記第１光反射層とにまたがって設けられ、前記第１光反射層と電気的に接続された第１電極と、前記第２光反射層と電気的に接続された第２電極と、前記第２光反射層と前記第２電極との間に配置され、電流が通過可能に構成された通過層と、前記通過層を囲む酸化物層と、を含む電流狭窄層と、を含み、前記第１光反射層は、Ａｌを含む材料により構成されているとともに前記厚さ方向に交互に配置された複数の第１反射層および複数の第２反射層を含み、前記第１反射層のＡｌ組成比は、前記第２反射層のＡｌ組成比よりも高く、前記第１反射層と前記第２反射層の積層構造は、前記通過層と重なる位置に設けられており、前記第１光反射層は、前記厚さ方向と直交する方向の端面である側面と、前記厚さ方向から見て前記側面と前記絶縁膜の前記開口の端との間に設けられ、ＡｌおよびＺｎを含み、Ａｌ組成比が前記第１反射層よりも低い第１領域と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、一実施形態の面発光レーザ装置の概略平面図である。
図２は、図１のＦ２－Ｆ２線に沿って切った面発光レーザ装置の断面図である。
図３は、図２の面発光レーザ装置の一部を拡大して示す概略断面図である。
図４は、図１の面発光レーザ装置の一部を拡大して示す概略平面図である。
図５は、第１光反射層および第２光反射層の層構成を示す概略断面図である。
図６は、絶縁膜、第１領域、第１電極、および電流狭窄層の関係を説明する概略断面図である。
図７は、比較例の面発光レーザ装置を示す概略断面図である。
図８は、光反射層における反射層を説明する説明図である。
図９は、光反射層における反射層を説明する説明図である。
図１０は、図１の面発光レーザ装置の製造工程の一例を示す概略断面図である。
図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１３は、図１２に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１４は、図１３に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１６は、変更例の面発光レーザ装置の概略平面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示の面発光レーザ装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、所望の選択肢の「１つ以上」を意味する。一例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が２つであれば「１つの選択肢のみ」または「２つの選択肢の双方」を意味する。他の例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が３つ以上であれば「１つの選択肢のみ」または「２つ以上の任意の選択肢の組み合わせ」を意味する。
【００１０】
（面発光レーザ装置の概略構成）
図１は、一実施形態の面発光レーザ装置１０の概略平面図である。図２は、図１のＦ２－Ｆ２線に沿って切った面発光レーザ装置１０の断面図である。図３は、図２の面発光レーザ装置１０の一部を拡大して示す概略断面図である。図４は、図２の面発光レーザ装置１０の一部を拡大して示す概略断面図である。図４は、図１の面発光レーザ装置１０の一部を拡大して示す概略平面図であり、発光部５１、第１電極７１の接続部７１１および開口７１２、電流狭窄層５３の通過層５３１、第１領域４４１の関係を示す概略平面図である。図５は、第１光反射層および第２光反射層の層構成を示す概略断面図である。図６は、絶縁膜７３、第１領域４４１、第１電極７１、および電流狭窄層５３の関係を説明する概略断面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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