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公開番号2025080150
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-23
出願番号2023193198
出願日2023-11-13
発明の名称半導体集積回路装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類G11C 7/10 20060101AFI20250516BHJP(情報記憶)
要約【課題】外部電源の投入の際に、不揮発性素子に書き込まれたデータの読み出し処理が正常に開始されていないことを検出できるようにした半導体集積回路装置を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路装置100は、不揮発性記憶素子115と、外部電源が投入されたときに、不揮発性記憶素子115に外部電源の電圧を設定値まで昇圧して供給する内部昇圧電源回路111と、内部昇圧電源回路111の電圧値が予め定められた値を超えたことを検知して出力するモニタ回路112と、外部電源の投入後に所定時間が経過したことを検知して出力するタイマ回路113と、モニタ回路112とタイマ回路113の少なくともいずれかの出力に応じて、不揮発性記憶素子115の記憶データの読み出し開始を指示する初期制御回路114と、を備え、初期制御回路114は、外部端子122に対してモニタ回路112とタイマ回路113の動作状態を出力する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
不揮発性記憶素子と、
外部電源が投入されたときに、前記外部電源の電圧を設定値まで昇圧して前記不揮発性記憶素子に供給する内部昇圧電源回路と、
前記内部昇圧電源回路の電圧値が予め定められた値を超えたことを検知して検知結果を出力するモニタ回路と、
前記外部電源の投入後に所定時間が経過したことを検知して検知結果を出力するタイマ回路と、
前記モニタ回路と前記タイマ回路の少なくともいずれかの出力に応じて、前記不揮発性記憶素子の記憶データの読み出し開始を指示する初期制御回路と、を備え、
前記初期制御回路は、前記モニタ回路と前記タイマ回路の動作状態を示す信号を外部端子に対して出力する、半導体集積回路装置。
続きを表示（約 400 文字）【請求項２】
前記初期制御回路は、前記モニタ回路の出力と前記タイマ回路の出力との否定論理和の演算結果を前記モニタ回路と前記タイマ回路の動作状態を示す信号として前記外部端子に対して出力する、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
外部電源が投入されたときに、前記外部電源の電圧値の上昇に伴ってＨレベルとなり、前記外部電源の電圧値が予め定められた電圧値を超えた際にＬレベルとなるパワーオンリセット信号を出力するパワーオンリセット回路を備えており、
前記パワーオンリセット回路が前記パワーオンリセット信号を出力した際に、
前記内部昇圧電源回路が前記外部電源の電圧の昇圧動作を開始し、
前記モニタ回路が前記内部昇圧電源回路の電圧値の検知を開始し、
前記タイマ回路が前記所定時間の経過の計時を開始する、請求項１又は２記載の半導体集積回路装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置、特に、電源投入時に不揮発性記憶素子に書き込まれたデータを読み出す回路を備えた半導体集積回路装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置は、内部に不揮発性記憶素子を備えており、外部電源の投入時に、当該不揮発性記憶素子に書き込まれたデータを読み出して、内部電源電圧回路のトリミング値等として使用し、当該内部電源電圧回路の電圧値を調整している。
【０００３】
不揮発性素子に書き込まれたデータの読み出し処理は、内部昇圧電源の電圧が設定値に到達したか否かをモニタ回路で検出し、設定値に到達した場合に当該モニタ回路によって生成されるトリガ信号が不揮発性素子に入力されることにより開始される。
【０００４】
しかしながら、何らかの理由でモニタ回路からトリガ信号が生成されない場合、例えば内部昇圧電源の電圧が設定値に到達しない場合、不揮発性素子に書き込まれたデータの読み出し処理が正常に行われない。そのため、半導体集積回路装置が、外部電源の投入時に待機状態となったまま動作しない可能性がある。
【０００５】
下記特許文献１記載の発明は、内部昇圧回路の昇圧電圧が所定電位に達したか検出する電圧検出回路と、タイマとを設け、昇圧電圧が所定電位に達した場合、又はタイマで所定時間経過した場合に、メモリセルに電圧を印加する半導体記憶装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００２－０２５２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１記載の発明では、タイマが正常に動作しない場合には、メモリセルへの電圧の供給が開始されず、半導体集積回路が正常に動作しないという課題がある。
【０００８】
本発明は、上記の事情を踏まえ、外部電源の投入の際に、不揮発性素子に書き込まれたデータの読み出し処理が正常に開始されていないことを検出できるようにした半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路装置は、不揮発性記憶素子と、外部電源が投入されたときに、前記外部電源の電圧を設定値まで昇圧して前記不揮発性記憶素子に供給する内部昇圧電源回路と、前記内部昇圧電源回路の電圧値が予め定められた値を超えたことを検知して検知結果を出力するモニタ回路と、前記外部電源の投入後に所定時間が経過したことを検知して検知結果を出力するタイマ回路と、前記モニタ回路と前記タイマ回路の少なくともいずれかの出力に応じて、前記不揮発性記憶素子の記憶データの読み出し開始を指示する初期制御回路と、を備え、前記初期制御回路は、前記モニタ回路と前記タイマ回路の動作状態を示す信号を外部端子に対して出力する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施形態の半導体集積回路装置の概略図である。
図２（Ａ）は、内部昇圧電源回路が出力する昇圧電圧が予め定められた値を超えたことをモニタ回路が検知した場合の動作を示す図、図２（Ｂ）は内部昇圧電源回路が出力する昇圧電圧が予め定められた値を超えなかった場合であって、タイマ回路が所定時間経過したことを検知した場合の動作を示す図、図２（Ｃ）は内部昇圧電源回路が出力する昇圧電圧が予め定められた値を超えなかった場合であって、且つタイマ回路がタイムアウト信号を出力しなかった場合の動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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