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公開番号2025088286
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-11
出願番号2023202893
出願日2023-11-30
発明の名称積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250604BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ショート率を抑え、信頼性劣化を抑制することができる積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、一般式ABO₃で表せられるペロブスカイト構造を有する主相と、バリウム、クロム、およびクロム以外の遷移金属元素を有する偏析相と、を有し、前記偏析相におけるバリウムに対する前記クロムおよび前記クロム以外の遷移金属元素の和のモル比が7.0以上である誘電体層と、前記誘電体層を挟んで設けられ、互いに対向する複数の内部電極層と、前記複数の内部電極層に電気的に接続される外部電極と、を有する。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
一般式ＡＢＯ
３
で表せられるペロブスカイト構造を有する主相と、バリウム、クロム、およびクロム以外の遷移金属元素を有する偏析相と、を有し、前記偏析相におけるバリウムに対する前記クロムおよび前記クロム以外の遷移金属元素の和のモル比が７．０以上である誘電体層と、
前記誘電体層を挟んで設けられ、互いに対向する複数の内部電極層と、
前記複数の内部電極層に電気的に接続される外部電極と、を有する積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
前記偏析相における前記バリウムに対する前記クロムのモル比は、２．０以上である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記偏析相の結晶系は、直方晶である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記偏析相の空間群は、Ｃｍｃｅである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記クロム以外の遷移金属元素は、チタン、バナジウム、マンガン、鉄、またはニッケルの少なくとも一つである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記クロム以外の遷移金属元素は、チタンおよびニッケルである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記主相は、Ａサイトにバリウムまたはカルシウムの少なくとも一つを含み、Ｂサイトにチタンまたはジルコニウムの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
一般式ＡＢＯ
３
で表せられるペロブスカイト構造を有する主相と、バリウム、クロムおよびクロム以外の遷移金属元素を有する偏析相と、を有し、前記偏析相におけるバリウムに対する前記クロムおよび前記クロム以外の遷移金属元素の和のモル比が７．０以上である、誘電体磁器組成物。
【請求項９】
前記偏析相におけるバリウムに対するクロムのモル比は、２．０以上である、請求項８に記載の誘電体磁器組成物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話を代表とする高周波通信用システムなどにおいて、ノイズを除去することなどを目的として、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Multi-Layer ceramic capacitor）などの積層セラミック電子部品が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２００８／０７２４４８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、積層セラミックコンデンサの小型大容量化のために、誘電体層の薄膜化、高積層化が行われている。しかしながら、誘電体層を薄層化すると、誘電体層の誘電体粒子や内部電極層の金属粒子の焼結、粒成長に伴った構造欠陥が生じやすくなり、ショート率の増加や、寿命低下による信頼性劣化を引き起こすことがある。
【０００５】
そこで、例えば、クロムを含む酸化物である偏析粒子を誘電体層中に作ることで、内部電極層の金属粒子の粒成長を抑制する技術が公開されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
しかしながら、クロムを含む偏析粒子の詳細な組成について何ら記載が無く、上記の偏析粒子の組成によっては信頼性が著しく劣化してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ショート率を抑え、信頼性劣化を抑制することができる積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る積層セラミック電子部品は、一般式ＡＢＯ
３
で表せられるペロブスカイト構造を有する主相と、バリウム、クロム、およびクロム以外の遷移金属元素を有する偏析相と、を有し、前記偏析相におけるバリウムに対する前記クロムおよび前記クロム以外の遷移金属元素の和のモル比が７．０以上である誘電体層と、前記誘電体層を挟んで設けられ、互いに対向する複数の内部電極層と、前記複数の内部電極層に電気的に接続される外部電極と、を有する。
【０００９】
上記積層セラミック電子部品において、前記偏析相における前記バリウムに対する前記クロムのモル比は、２．０以上であってもよい。
【００１０】
上記積層セラミック電子部品において、前記偏析相の結晶系は、直方晶であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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