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公開番号2025096986
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-30
出願番号2023213025
出願日2023-12-18
発明の名称電子部品、フィルタ、及びマルチプレクサ
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01L 23/02 20060101AFI20250623BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止部への亀裂の発生が抑制された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、支持基板10と、支持基板10上に設けられた素子と、支持基板10とで素子が露出する空隙を挟んで支持基板10上に設けられたリッド30と、支持基板10とリッド30との間に位置し、支持基板10を素子側から見たとき素子の周囲に設けられた環状構造であり、支持基板10とリッド30の間隔Dの1/2以上の厚さを有する金属層42と、金属層42と支持基板10との間に位置し、導電率が金属層42より低く、金属層42より薄く、かつ金属層42よりヤング率が大きい金属層41とを備える。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた素子と、
前記基板とで前記素子が露出する空隙を挟んで前記基板上に設けられたリッドと、
前記基板と前記リッドとの間に位置し、前記基板を前記素子側から見たとき前記素子の周囲に設けられた環状構造であり、前記基板と前記リッドの間隔の１／２以上の厚さを有する第１金属層と、
前記第１金属層と前記基板との間に位置し、導電率が前記第１金属層より低く、前記第１金属層より薄く、かつ前記第１金属層よりヤング率が大きい第２金属層と、を備える電子部品。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
前記第２金属層の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数より大きくかつ前記第１金属層の線膨張係数より小さい、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２金属層の厚さは、前記第１金属層の厚さの１／２００以上且つ１／１０以下である、請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記基板と前記第２金属層との間に位置し、前記第１金属層との間の線膨張係数の差が前記第１金属層と前記第２金属層の線膨張係数の差より大きい第３金属層をさらに備える、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記基板はシリコン又はサファイアであり、
前記第１金属層は銅であり、
前記第２金属層はニッケルであり、
前記第３金属層はチタンである、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１金属層と前記リッドとの間に位置するはんだ層と、前記第１金属層と前記はんだ層との間に位置し、前記第１金属層と前記はんだ層との間の拡散を抑制するバリア層と、をさらに備える、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項７】
前記素子は弾性波素子である、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項８】
請求項７に記載の電子部品を含むフィルタ。
【請求項９】
請求項８に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、フィルタ、及びマルチプレクサに関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
基板上に素子が設けられ、素子を囲むように枠体が設けられ、枠体上にリッドを設けることで、素子を空隙内に封止する電子部品が知られている（例えば特許文献１、２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－３１７５６８号公報
特開２００６－１８５９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
素子を囲む枠体が複数の金属層により形成されることがある。この場合に、熱応力によって金属層間に亀裂が生じることがある。亀裂が生じると、封止性の劣化に繋がる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、亀裂の発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた素子と、前記基板とで前記素子が露出する空隙を挟んで前記基板上に設けられたリッドと、前記基板と前記リッドとの間に位置し、前記基板を前記素子側から見たとき前記素子の周囲に設けられた環状構造であり、前記基板と前記リッドの間隔の１／２以上の厚さを有する第１金属層と、前記第１金属層と前記基板との間に位置し、導電率が前記第１金属層より低く、前記第１金属層より薄く、かつ前記第１金属層よりヤング率が大きい第２金属層と、を備える電子部品である。
【０００７】
上記構成において、前記第２金属層の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数より大きくかつ前記第１金属層の線膨張係数より小さい構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２金属層の厚さは、前記第１金属層の厚さの１／２００以上且つ１／１０以下である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記基板と前記第２金属層との間に位置し、前記第１金属層との間の線膨張係数の差が前記第１金属層と前記第２金属層の線膨張係数の差より大きい第３金属層をさらに備える構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記基板はシリコン又はサファイアであり、前記第１金属層は銅であり、前記第２金属層はニッケルであり、前記第３金属層はチタンである構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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