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公開番号2025094799
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-25
出願番号2023210558
出願日2023-12-13
発明の名称弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/17 20060101AFI20250618BHJP(基本電子回路)
要約【課題】特性を向上させることが可能な弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、基板と、基板上に空隙30を挟み設けられた下部電極12と、下部電極12上に設けられた圧電膜14と、圧電膜14上に設けられた上部電極16と、空隙30と下部電極12との間に設けられ、第18族元素の濃度が1×10¹⁹原子/cm³以上の絶縁膜20とを備える。
【選択図】図3

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に空隙を挟み設けられた下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に設けられた上部電極と、
前記空隙と前記下部電極との間に設けられ、第１８族元素の濃度が１×１０
１９
原子／ｃｍ
３
以上の絶縁膜と、
を備える弾性波デバイス。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
前記絶縁膜における前記第１８族元素の濃度は、前記圧電膜における前記第１８族元素の濃度より高い請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第１８族元素は、アルゴンである請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜またはアルゴン以外の不純物を含む酸化シリコン膜である請求項３に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記圧電膜は、窒化アルミニウム膜または不純物を含む窒化アルミニウム膜である請求項４に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記空隙は、前記圧電膜の厚さ方向の断面視においてアーチ状である請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記基板と前記絶縁膜とは接する請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に空隙を挟み設けられた下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に設けられた上部電極と、
前記空隙と前記下部電極との間に設けられ、内部応力が圧縮応力である絶縁膜と、
を備える弾性波デバイス。
【請求項９】
請求項１から５および８のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるフィルタ。
【請求項１０】
請求項９に記載のフィルタを備えるマルチプレクサ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
圧電薄膜共振器等の弾性波デバイスでは、圧電膜と圧電膜を挟む下部電極および上部電極とを有する積層膜が設けられている。基板と積層膜との間に空隙が設けられている。空隙と下部電極との間に絶縁膜を設けることが知られている（例えば特許文献１、２）。基板と下部電極との間の空隙をドーム状とすることが知られている（例えば特許文献３）。酸化シリコン等の絶縁膜にアルゴンを添加することで絶縁膜が圧縮応力となることが知られている（例えば特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２００６／１３４７４４号
特開２０２１－１４１５８０号公報
特開２００７－１２４１６６号公報
特開平７－１７２８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１および２のような、断面形状が略台形の空隙を有する弾性波デバイスでは、圧電膜が撓むまたは振動したときに、積層膜が基板に接触しないように空隙を厚くする。このため、空隙を形成するための犠牲層を厚くすることになる。犠牲層が厚くなると、犠牲層と圧電膜との結晶性の違いから圧電膜の結晶性が低下してしまう。そこで、特許文献３のように、積層膜を圧縮応力とすることで、犠牲層が薄くとも犠牲層を除去したときに積層膜がドーム状に膨らむ。これにより、空隙を厚くすることができる。よって、犠牲層が薄くてもよいため圧電膜の結晶性を向上できる。しかしながら、積層膜を圧縮応力とするためには、積層膜内に第１８族元素（希ガス元素）を添加する。これにより、圧電膜の圧電性が低下し、弾性波デバイスの特性が劣化してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に空隙を挟み設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜上に設けられた上部電極と、前記空隙と前記下部電極との間に設けられ、第１８族元素の濃度が１×１０
１９
原子／ｃｍ
３
以上の絶縁膜と、を備える弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記絶縁膜における前記第１８族元素の濃度は、前記圧電膜における前記第１８族元素の濃度より高い構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１８族元素は、アルゴンである構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記絶縁膜は、酸化シリコン膜またはアルゴン以外の不純物を含む酸化シリコン膜である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記圧電膜は、窒化アルミニウム膜または不純物を含む窒化アルミニウム膜である構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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