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公開番号2025117364
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-12
出願番号2024012162
出願日2024-01-30
発明の名称積層セラミック電子部品及びその製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250804BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】誘電体層の寿命特性を改善することを目的とする。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、内部電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成された素体を備え、前記誘電体層は、コア部と、当該コア部の周囲に設けられた第1シェル層と、当該第1シェル層の周囲に設けられた第2シェル層とを備えたコアシェル粒子を含み、隣接する前記コアシェル粒子間に粒界を備え、前記第1シェル層におけるドナー元素の濃度と前記第2シェル層におけるドナー元素の濃度は、それぞれ前記コア部におけるドナー元素の濃度よりも高い。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
内部電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成された素体を備え、
前記誘電体層は、コア部と、当該コア部の周囲に設けられた第１シェル層と、当該第１シェル層の周囲に設けられた第２シェル層とを備えたコアシェル粒子を含み、
隣接する前記コアシェル粒子間に粒界を備え、
前記第１シェル層におけるドナー元素の濃度と前記第２シェル層におけるドナー元素の濃度は、それぞれ前記コア部におけるドナー元素の濃度よりも高い、
積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記第２シェル層におけるドナー元素の濃度は、前記第１シェル層のドナー元素の濃度よりも高い、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第２シェル層における前記ドナー元素の濃度は、ＢａＴｉＯ
３
を１００ａｔ％としたとき、０．１ａｔ％以上３．０ａｔ％以下である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第１シェル層における前記ドナー元素の濃度は、ＢａＴｉＯ
３
を１００ａｔ％としたとき、０．０１ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記第２シェル層に含まれる前記ドナー元素は、Ｖ元素とＭｏ元素の少なくとも一方である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記粒界は、Ｍｎ元素を含む、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記粒界における前記Ｍｎ元素の濃度は、ＢａＴｉＯ
３
を１００ａｔ％としたとき、０．０５ａｔ％以上３．０ａｔ％以下である、
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記コアシェル粒子の前記誘電体層における存在比率は、０．０１ａｔ％以上９９％以下である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記第２シェル層の厚さは、０ｎｍよりも広く１２ｎｍ以下である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記第１シェル層は、希土類元素及びＭｇ元素を含む、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
昨今、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の小型大容量化が進められている。このような要求に応えるべく、誘電体層を形成する材料は誘電率が高められる傾向にある。また、誘電体層の厚みは薄くなり、誘電体層の積層数は増加する傾向にある。このような誘電体層は、信頼性も求められる。従来、原料粉末に予め特定の元素を固溶させておく手法が有効であることが知られており、寿命特性の向上を目的として、ドナー元素を添加する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１３９７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、誘電体層の厚みが小さく積層数も増加している近年においては、更なる寿命特性の向上が求められている。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、誘電体層の寿命特性を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、積層セラミック電子部品は、内部電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成された素体を備え、前記誘電体層は、コア部と、当該コア部の周囲に設けられた第１シェル層と、当該第１シェル層の周囲に設けられた第２シェル層とを備えたコアシェル粒子を含み、隣接する前記コアシェル粒子間に粒界を備え、前記第１シェル層におけるドナー元素の濃度と前記第２シェル層におけるドナー元素の濃度は、それぞれ前記コア部におけるドナー元素の濃度よりも高い態様とすることができる。
【０００７】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記第２シェル層におけるドナー元素の濃度は、前記第１シェル層のドナー元素の濃度よりも高い態様であってもよい。
【０００８】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記第２シェル層における前記ドナー元素の濃度は、ＢａＴｉＯ
３
を１００ａｔ％としたとき、０．１ａｔ％以上３．０ａｔ％以下である態様とすることができる。
【０００９】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記第１シェル層における前記ドナー元素の濃度は、ＢａＴｉＯ
３
を１００ａｔ％としたとき、０．０１ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である態様とすることができる。
【００１０】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記第２シェル層に含まれる前記ドナー元素は、Ｖ元素とＭｏ元素の少なくとも一方である態様とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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