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公開番号2025064178
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-17
出願番号2023173725
出願日2023-10-05
発明の名称積層セラミック電子部品及びその製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250410BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高い誘電率を維持し、良好なDCバイアス特性を備える積層セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、内部電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成された素体を備える。前記内部電極層に挟まれた前記誘電体層を形成する粒子における立方晶系の結晶の存在比率は、25質量%以上75質量%以下であり、前記内部電極層に挟まれた前記誘電体層を形成する前記粒子の平均粒径は、30nm以上70nm以下である。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
内部電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成された素体を備え、
前記内部電極層に挟まれた前記誘電体層を形成する粒子における立方晶系の結晶の存在比率は、２５質量％以上７５質量％以下であり、
前記内部電極層に挟まれた前記誘電体層を形成する前記粒子の平均粒径は、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である、
積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記粒子における立方晶系の結晶の存在比率は、３５質量％以上６５質量％未満である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記誘電体層を形成する前記粒子は、正方晶系の結晶を主体とするコア部と、このコア部の周囲を囲み、立方晶系の結晶を主体とするシェル部とを含む、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
水熱合成法によって合成され、正方晶系の結晶を主体とするコア部と、このコア部の周囲を囲み、立方晶系の結晶を主体とするシェル部とを含むセラミック粉末を含むセラミックスラリを得る工程と、
当該セラミックスラリを用いてグリーンシートを作製する工程と、
前記グリーンシートと金属導電層とが交互に積層された積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成することで前記セラミック粉末から、誘電体層を形成する工程と、
を含み、
前記水熱合成法は、６００ｈＰａ以上２０００ｈＰａ以下の圧力かつ６０℃以上１２０℃以下の温度である合成環境で実施される、
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記セラミック粉末の平均粒径は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、前記セラミック粉末は、ＢａＴｉＯ
３
を含む、
請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記セラミック粉末は、前記合成環境において３０分以上１００時間以内で合成される、
請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記セラミックスラリを得る工程は、前記セラミック粉末に当該セラミック粉末に含まれる粒子の粒成長を抑制する粒成長抑制添加物を添加する工程を含む、
請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記粒成長抑制添加物は、少なくともＭｇ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｍｎのうちの一つである、
請求項７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記セラミック粉末は、ＢａとＳｒとＣａの少なくとも１種類の元素、及びＴｉとＺｒとＨｆの少なくとも１種類の元素を含み、ＢａとＳｔとＣａを合わせた原子比率（ａｔ％）は、ＴｉとＺｒとＨｆを合わせた原子比率（ａｔ％）に対し、１．０２０倍以上、又は、０．９６倍以下である、
請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
ＢａとＳｔとＣａを合わせた原子比率（ａｔ％）を、ＴｉとＺｒとＨｆを合わせた原子比率（ａｔ％）に対して１．０２０倍以上としたときの前記ＢａとＳｔとＣａを合わせた原子比率（ａｔ％）は、ＴｉとＺｒとＨｆを合わせた原子比率（ａｔ％）に対して１．１００倍以下である、
請求項９に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
昨今、内部電極と誘電体層とが交互に積層された容量部を有する積層セラミック電子部品が知られている。積層セラミック電子部品は、誘電体層にかかる直流電圧により、静電容量が低下する（ＤＣバイアス特性）ことがある。従来、このＤＣバイアス特性を改善するための提案が種々なされている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００６－５６７６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
積層セラミック電子部品が用いられる電子機器の小型化の進行を背景として、積層セラミック電子部品はさらなる小型化、大容量化が求められるようになっている。このため、積層セラミック電子部品は、高い誘電率を維持し、良好なＤＣバイアス特性を備える観点から、さらなる改善が求められている。
【０００５】
本発明の目的は、高い誘電率を維持し、良好なＤＣバイアス特性を備える積層セラミック電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、内部電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成された素体を備え、前記内部電極層に挟まれた前記誘電体層を形成する粒子における立方晶系の結晶の存在比率は、２５質量％以上７５質量％以下であり、前記内部電極層に挟まれた前記誘電体層を形成する前記粒子の平均粒径は、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である、積層セラミック電子部品によって達成される。
【０００７】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記粒子における立方晶系の結晶の存在比率は、３５質量％以上６５質量％未満である態様とすることができる。
【０００８】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記誘電体層を形成する前記粒子は、正方晶系の結晶を主体とするコア部と、このコア部の周囲を囲み、立方晶系の結晶を主体とするシェル部とを含む、態様とすることができる。
【０００９】
また、上記目的は、水熱合成法によって合成され、正方晶系の結晶を主体とするコア部と、このコア部の周囲を囲み、立方晶系の結晶を主体とするシェル部とを含むセラミック粉末を含むセラミックスラリを得る工程と、当該セラミックスラリを用いてグリーンシートを作製する工程と、前記グリーンシートと金属導電層とが交互に積層された積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成することで前記セラミック粉末から、誘電体層を形成する工程と、を含み、前記水熱合成法は、６００ｈＰａ以上２０００ｈＰａ以下の圧力かつ６０℃以上１２０℃以下の温度である合成環境で実施される、積層セラミック電子部品の製造方法によって達成される。
【００１０】
上記構成の積層セラミック電子部品の製造方法において、前記セラミック粉末の平均粒径は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、前記セラミック粉末は、ＢａＴｉＯ
３
を含む態様とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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