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公開番号2025118106
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-13
出願番号2024013228
出願日2024-01-31
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250805BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】インダクタンスを低減すると共に、端子のねじ締結が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ10と、半導体チップ10を封止する封止樹脂1と、封止樹脂1から突出して第1方向に延伸し、封止樹脂1の外側に第1接続部2aを有する第1端子2と、封止樹脂1から突出して第1方向に延伸し、封止樹脂1の外側に第2接続部3aを有する第2端子3と、を備え、第1端子2及び前記第2端子3が、第1接続部2aと第2接続部3aとの間で互いに離隔して対向する矩形状の対向部21,31をそれぞれ有し、第1方向に直交する第2方向における対向部21,31の幅W1が、1mm以上、13mm以下である。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂から突出して第１方向に延伸し、前記封止樹脂の外側に第１接続部を有する第１端子と、
前記封止樹脂から突出して前記第１方向に延伸し、前記封止樹脂の外側に第２接続部を有する第２端子と、
を備え、
前記第１端子及び前記第２端子が、前記第１接続部と前記第２接続部との間で互いに離隔して対向する矩形状の対向部をそれぞれ有し、
前記第１方向に直交する第２方向における前記対向部の幅が、１ｍｍ以上、１３ｍｍ以下である半導体装置。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記第２方向における前記対向部の幅が、９ｍｍ以下である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの前記対向部同士の間隔は、４ｍｍ以下である
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１接続部と前記第２接続部の距離は、２５．５ｍｍ以下である
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２方向が、前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの主面に平行であり、
前記第１端子及び前記第２端子が、前記第１方向及び前記第２方向に直交する第３方向において互いにずれており、
前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの前記対向部が、前記第１方向及び前記第２方向に直交する第３方向において互いに対向する
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２方向が、前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの主面に直交し、
前記第１端子及び前記第２端子の互いに近接する位置で、前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの前記対向部が前記第２方向に折れ曲がり、前記第１方向及び前記第２方向に直交する第３方向において互いに対向する
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの前記対向部が、互いに同一の向きに折れ曲がる
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの前記対向部が、互いに逆向きに折れ曲がる
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記封止樹脂は、前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれの前記対向部を覆う突出部を有する
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記突出部は、前記第１方向において、前記第１端子及び前記第２端子よりも前記封止樹脂の外側に延伸する
請求項９に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置（パワー半導体モジュール）に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、Ｐ端子及びＮ端子の重なる部分を凸字状に形成することが開示されている。特許文献２には、直流正極用板状導体と直流負極用板状導体との導体面同士が対向するように構成することが開示されている。特許文献３には、板状の導体で構成され、正及び負の電源電位をそれぞれ伝達する２つの電源端子が、絶縁体の合成樹脂等で構成される絶縁シートを間に挟んで、互いに密着して設けられること、及び、絶縁シートの厚さは０．５ｍｍ～１．５ｍｍであることが開示されている。
【０００３】
特許文献４には、正極端子、正極端子と第一間隙を設けて対向配置された負極端子、及び第一間隙に配置された第一絶縁部材を有するキャパシタと、正極端子に重ね合わせて接続された正極入力端子、正極入力端子と第二間隙を設けて対向配置された負極端子に重ね合わせて接続された負極入力端子、並びに正極入力端子及び負極入力端子の間に配置されて第一絶縁部材の表面及び裏面の一方に接触する接触面を有する第二絶縁部材を有し、第一バスバーと嵌合された第二バスバーを有する半導体モジュールとを備える電極変換装置、及び、１つのねじとワッシャで正極／負極端子と第一／第二バスバーを締結することが開示されている。
【０００４】
特許文献５には、各端子を折り曲げ、ボルトとナットで締結することが開示されている。特許文献６には、配線インダクタンスを低減するため、主回路の端子を対向させ、平行且つ近接して配置する構造が開示されている。特許文献７には、第１及び第２直流電圧ターミナル素子と、第１及び第２直流電圧接続素子が絶縁装置を挟む構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０１４/００２４４２号
特開２００７－２９９７８１号公報
特開平６－２１３２３号公報
特許第７１８０８１２号明細書
国際公開第２０１９／２３９７７１号
特開２０２２－６７８０号公報
特開２０１８ー１９０９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のパワー半導体モジュールにおいて、インダクタンスを低減するために、複数の端子を互いに対向するように配置（ラミネート）することが検討されている。しかし、複数の端子を互いに対向するように配置すると、端子とコンデンサ等の外部部材とのねじ締結が困難となる場合がある。
【０００７】
上記課題に鑑み、本開示は、インダクタンスを低減すると共に、端子のねじ締結が可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂と、封止樹脂から突出して第１方向に延伸し、封止樹脂の外側に第１接続部を有する第１端子と、封止樹脂から突出して第１方向に延伸し、封止樹脂の外側に第２接続部を有する第２端子と、を備え、第１端子及び前記第２端子が、第１接続部と第２接続部との間で互いに離隔して対向する矩形状の対向部をそれぞれ有し、第１方向に直交する第２方向における対向部の幅が、１ｍｍ以上、１３ｍｍ以下である半導体装置であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、インダクタンスを低減すると共に、端子のねじ締結が可能な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
第１実施形態に係る半導体装置の斜視図である。
図１のＡ－Ａ´線に沿った断面図である。
図１のＡ－Ａ´線に沿った他の断面図である。
第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
第１実施形態に係る半導体装置の他の平面図である。
図５のＢ－Ｂ´線に沿った断面図である。
図５のＣ－Ｃ´線に沿った断面図である。
図５のＣ－Ｃ´線に沿った他の断面図である。
第１実施形態に係る半導体装置の等価回路図である。
第１比較例に係る半導体装置の断面図である。
第１比較例に係る半導体装置の平面図である。
第２比較例に係る半導体装置の平面図である。
ラミネート幅及び締結点距離とインダクタンスとの関係を示す表である。
ラミネート幅及びＰＮ間距離とインダクタンスとの関係を示す表である。
第２実施形態に係る半導体装置の斜視図である。
第２実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第３実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第４実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第５実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第６実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第７実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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