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公開番号2025121320
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-19
出願番号2024016710
出願日2024-02-06
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250812BHJP()
要約【課題】半導体装置は、経時的な特性変動が小さいことが好ましい。
【解決手段】半導体基板の上面と上面電極との間に設けられ、前記半導体基板と前記上面電極とを接続する第1コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記上面電極の上面に設けられた保護膜と、前記上面電極の上面のうち、前記保護膜に覆われていない領域に設けられためっき層とを備え、前記半導体基板は上面視において第1端辺を有し、前記第1コンタクトホールは前記第1端辺に最も近い第1外側ホール端部を有し、前記第1外側ホール端部と重なる前記上面電極の部分に、前記めっき層が形成されている半導体装置を提供する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
上面および下面を有する半導体基板と、
アルミニウムを含む上面電極と、
前記半導体基板の前記上面と前記上面電極との間に設けられ、前記半導体基板と前記上面電極とを接続する第１コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、
前記上面電極の上面に設けられた保護膜と、
前記上面電極の上面のうち、前記保護膜に覆われていない領域に設けられためっき層と、
を備え、
前記半導体基板は上面視において第１端辺を有し、
前記第１コンタクトホールは前記第１端辺に最も近い第１外側ホール端部を有し、
前記第１外側ホール端部と重なる前記上面電極の部分に、前記めっき層が形成されている
半導体装置。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記保護膜は、上面視において前記第１外側ホール端部と前記第１端辺との間に設けられた外側保護部分を有する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記外側保護部分のうち、前記第１コンタクトホールに最も近い内側保護端部が、前記第１外側ホール端部と前記第１端辺との間に設けられている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護膜は、上面視において前記外側保護部分よりも前記第１端辺から離れて配置され、且つ、前記第１コンタクトホールと重なって配置された内側保護部分を更に有する
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板は、半導体素子が形成された活性部を有し、
前記第１コンタクトホールは、前記活性部と前記上面電極とを接続する部分のうち、前記第１端辺に最も近い活性ホール端部を有し、
前記活性ホール端部と重なる前記上面電極の部分に、前記めっき層が形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板は、
前記活性部に設けられた第１導電型のドリフト領域と、
上面視において前記活性部を囲んで設けられた第２導電型のウェル領域と
を有し、
前記第１コンタクトホールは、前記ウェル領域と前記上面電極とを接続する部分のうち、前記第１端辺に最も近いウェルホール端部を有し、
前記ウェルホール端部と重なる前記上面電極の部分に、前記めっき層が形成されている
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板は、前記上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、且つ、前記上面において第１方向に長手を有するトレンチ部を有し、
前記第１外側ホール端部は、前記第１方向における前記第１コンタクトホールの端部である
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板は、前記上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、且つ、前記上面において第１方向に長手を有するトレンチ部を有し、
前記外側保護部分は、前記第１方向において、前記第１外側ホール端部と前記第１端辺との間に設けられている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体基板は、
半導体素子が形成された活性部と、
前記上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、且つ、前記上面において第１方向に長手を有するトレンチ部と、
前記活性部に設けられた第１導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域と前記上面との間に設けられ、前記トレンチ部と接する第２導電型のベース領域と、
前記ドリフト領域と前記ベース領域との間に設けられ、前記ドリフト領域よりも高濃度の第１導電型の蓄積領域と
を有し、
前記第１方向において、前記内側保護端部が、前記蓄積領域と前記第１端辺との間に設けられている
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体基板は、前記上面において第２方向に並んだ複数のトレンチ部を有し、
前記複数のトレンチ部のそれぞれは、前記上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、且つ、前記上面において第１方向に長手を有し、
前記第１外側ホール端部は、前記第２方向における前記第１コンタクトホールの端部である
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、エミッタ電極を覆うポリイミド等の保護膜を設けた半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１特開２０２２－０５９４８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置は、経時的な特性変動が小さいことが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。上記半導体装置は、上面および下面を有する半導体基板を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、アルミニウムを含む上面電極を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記半導体基板の前記上面と前記上面電極との間に設けられ、前記半導体基板と前記上面電極とを接続する第１コンタクトホールを有する層間絶縁膜を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記上面電極の上面に設けられた保護膜を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記上面電極の上面のうち、前記保護膜に覆われていない領域に設けられためっき層を備えてよい。上記何れかの半導体装置において前記半導体基板は上面視において第１端辺を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記第１コンタクトホールは前記第１端辺に最も近い第１外側ホール端部を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記第１外側ホール端部と重なる前記上面電極の部分に、前記めっき層が形成されていてよい。
【０００５】
上記何れかの半導体装置において前記保護膜は、上面視において前記第１外側ホール端部と前記第１端辺との間に設けられた外側保護部分を有してよい。
【０００６】
上記何れかの半導体装置において前記外側保護部分のうち、前記第１コンタクトホールに最も近い内側保護端部が、前記第１外側ホール端部と前記第１端辺との間に設けられていてよい。
【０００７】
上記何れかの半導体装置において前記保護膜は、上面視において前記外側保護部分よりも前記第１端辺から離れて配置され、且つ、前記第１コンタクトホールと重なって配置された内側保護部分を更に有してよい。
【０００８】
上記何れかの半導体装置において前記半導体基板は、半導体素子が形成された活性部を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記第１コンタクトホールは、前記活性部と前記上面電極とを接続する部分のうち、前記第１端辺に最も近い活性ホール端部を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記活性ホール端部と重なる前記上面電極の部分に、前記めっき層が形成されていてよい。
【０００９】
上記何れかの半導体装置において前記半導体基板は、前記活性部に設けられた第１導電型のドリフト領域を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記半導体基板は、上面視において前記活性部を囲んで設けられた第２導電型のウェル領域を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記第１コンタクトホールは、前記ウェル領域と前記上面電極とを接続する部分のうち、前記第１端辺に最も近いウェルホール端部を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記ウェルホール端部と重なる前記上面電極の部分に、前記めっき層が形成されていてよい。
【００１０】
上記何れかの半導体装置において前記半導体基板は、前記上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、且つ、前記上面において第１方向に長手を有するトレンチ部を有してよい。上記何れかの半導体装置において前記第１外側ホール端部は、前記第１方向における前記第１コンタクトホールの端部であってよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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