特許ウォッチ

公開番号2025169676
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-14
出願番号2024074625
出願日2024-05-02
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人扶桑国際特許事務所
主分類H01L 23/48 20060101AFI20251107BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】はんだの劣化の進行を遅延することができる。
【解決手段】半導体装置では、主電極12a2を上面12aに、別の主電極を下面12bにそれぞれ含む半導体チップ12と、主電極12a2にはんだ17bを介して接合された接合面14a2を備え、平面視で接合面14a2が半導体チップ12の上面12a内に位置する主電極接合部14aと主電極接合部14aの外周から延伸する立ち上がり部15a1とを含むリードフレーム13aと、を含んでいる。さらに、接合面14a2の外縁領域14a22から半導体チップ12の上面12aまでの第1高さH1は、接合面14a2から外縁領域14a22を除いた中間領域14a21から半導体チップ12の上面12aまでの第2高さH2よりも大きい。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
第１電極を上面に、第２電極を下面にそれぞれ含む半導体チップと、
前記第１電極にはんだを介して接合された接合面を備え、平面視で前記接合面が前記半導体チップの前記上面内に位置する接合部と前記接合部の外周から延伸する立ち上がり部とを含む配線部材と、
を含み、
前記接合面の外縁領域から前記半導体チップの前記上面までの第１高さは、前記接合面から前記外縁領域を除いた中間領域から前記半導体チップの前記上面までの第２高さよりも大きい、
半導体装置。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
前記はんだの前記接合面の前記外縁領域に接する外縁部分の第１厚さは、前記はんだの前記接合面の前記中間領域に接する中央部分の第２厚さよりも大きい、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１厚さは、７５０μｍ以下であり、かつ、前記第２厚さは、１５０μｍ以上、３５０μｍ以下である、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記はんだは、前記半導体チップの前記第１電極に対して、前記半導体チップに接する外周側面から、前記接合部の前記接合面の端部までの角度は、２０°以上、４５°以下である、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記接合面の前記中間領域の四隅にそれぞれ設けられたボスをさらに含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接合面の前記中間領域の、前記四隅に加えて、外周に沿って複数のボスがさらに設けられている、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記はんだは、Ｓｎ－０．７Ｃｕである、
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記はんだは、２５℃で、ヤング率が５０ＧＰａ以上、かつ、降伏点が３０ＭＰａ以下である、
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記はんだは、Ｓｎ－５Ｓｂである、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記接合部の前記接合面の前記外縁領域は、前記接合面の四隅に設けられている、
請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、導体板と導電板上にはんだにより接合された半導体チップと半導体チップの上面の電極にはんだにより接合されたリードフレームとを含んでいる（例えば、特許文献１～６を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－０７９２２８号公報
特開２０１５－１２８１９４号公報
国際公開第２０２０／００３４９５号
国際公開第２０１９／１６７１０２号
特開２０１３－００４９４３号公報
国際公開第２０２３／１１９８３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、はんだの劣化の進行を遅延することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１電極を上面に、第２電極を下面にそれぞれ含む半導体チップと、前記第１電極にはんだを介して接合された接合面を備え、平面視で前記接合面が前記半導体チップの前記上面内に位置する接合部と前記接合部の外周から延伸する立ち上がり部とを含む配線部材と、を含み、前記接合面の外縁領域から前記半導体チップの前記上面までの第１高さは、前記接合面から前記外縁領域を除いた中間領域から前記半導体チップの前記上面までの第２高さよりも大きい、半導体装置を提供する。
【０００６】
また、前記はんだの前記接合面の前記外縁領域に接する外縁部分の第１厚さは、前記はんだの前記接合面の前記中間領域に接する中央部分の第２厚さよりも大きくてよい。
また、前記第１厚さは、７５０μｍ以下であり、かつ、前記第２厚さは、１５０μｍ以上、３５０μｍ以下であってよい。
【０００７】
また、前記はんだは、前記半導体チップの前記第１電極に対して、前記半導体チップに接する外周側面から、前記接合部の前記接合面の端部までの角度は、２０°以上、４５°以下であってよい。
【０００８】
また、前記接合面の前記中間領域の四隅にそれぞれ設けられたボスをさらに含んでよい。
また前記接合面の前記中間領域の、前記四隅に加えて、外周に沿って複数のボスがさらに設けられてよい。
また、前記はんだは、Ｓｎ－０．７Ｃｕであってよい。
また、前記はんだは、２５℃で、ヤング率が５０ＧＰａ以上、かつ、降伏点が３０ＭＰａ以下であってよい。
【０００９】
また、前記はんだは、Ｓｎ－５Ｓｂであってよい。
また、前記接合部の前記接合面の前記外縁領域は、前記接合面の四隅に設けられていてよい。
【００１０】
また、前記接合部の前記接合面の前記外縁領域は、外側に向かうに連れて前記半導体チップの前記上面から離れるように傾斜してよい。
また、前記接合部に含まれる前記接合面の前記外縁領域は、前記外縁領域の端部が前記接合部の前記接合面の反対側の主面を超えて前記主面よりも上方となるように傾斜してよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許