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公開番号2024163299
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-21
出願番号2024158446,2023069238
出願日2024-09-12,2023-04-20
発明の名称硬化性樹脂組成物およびその硬化物
出願人日本化薬株式会社
代理人
主分類C08F 290/06 20060101AFI20241114BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】
本発明は、低誘電正接を示す硬化性樹脂組成物及びその硬化物を提供する。
【解決手段】
下記式(1)で表される化合物と、分子内にエチレン性不飽和二重結合を1つ有する化合物とを含有する硬化性樹脂組成物。
【化1】
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2024163299000009.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">31</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image> (式(1)中、複数存在するRはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1～10の炭化水素基、または炭素数1～10のハロゲン化アルキル基を表す。p、rは0～4の整数、qは0～3の整数を表し、nは繰り返し数の平均値であり、1≦n≦20である。)
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記式（１）で表される化合物と、分子内にエチレン性不飽和二重結合を１つ有する化合物とを含有する硬化性樹脂組成物。
TIFF
2024163299000008.tif
31
170
（式（１）中、複数存在するＲはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または炭素数１～１０のハロゲン化アルキル基を表す。ｐ、ｒは０～４の整数、ｑは０～３の整数を表し、ｎは繰り返し数の平均値であり、１≦ｎ≦２０である。）
続きを表示（約 390 文字）【請求項２】
前記分子内にエチレン性不飽和二重結合を１つ有する化合物が分子内にマレイミド構造を有する化合物またはアセナフチレン構造を有する化合物である、請求項１に記載の硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
さらに、重合開始剤を含有する、請求項１に記載の硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
さらに、分子内に２つ以上のマレイミド基を有するマレイミド化合物、ポリフェニレンエーテル化合物、分子内に２つ以上のエチレン性不飽和結合を有する化合物、シアネートエステル樹脂、ポリブタジエンおよびこの変性物、ポリスチレンおよびこの変性物、ポリエチレンおよびこの変性物、からなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含有する、請求項１に記載の硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の硬化性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定構造を有する化合物を含有する硬化性樹脂組成物およびその硬化物に関するものであり、半導体封止材、プリント配線基板、ビルドアップ積層板などの電気・電子部品、炭素繊維強化プラスチック、ガラス繊維強化プラスチックなどの軽量高強度材料、３Ｄプリンティング用途に好適に使用される。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電気・電子部品を搭載する積層板はその利用分野の拡大により、要求特性が広範かつ高度化している。従来の半導体チップは金属製のリードフレームに搭載することが主流であったが、中央処理装置（以下、ＣＰＵと表す。）などの処理能力の高い半導体チップは高分子材料で作られる積層板に搭載されることが多くなってきている。
【０００３】
現在開発が加速している第５世代通信システム「５Ｇ」では、さらなる大容量化と高速通信が進むことが予想されている。５Ｇでは使用する周波数の高周波化が進むことになるが、高周波を利用した高速通信の実現には伝送損失の低減が重要であり、基板材料の更なる低誘電正接化が求められることとなる。プリント基板上で発生する伝送損失は導体損失と誘電体損失に由来する。非特許文献１で述べられている通り、導体損失は誘電体の比誘電率の平方根および誘電正接に比例するため、伝送損失低減には比誘電率以上に寄与度の高い誘電正接を改善することが効果的であると言える。低誘電材料としてはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）やＬＣＰ（液晶ポリマー）に代表される熱可塑性材料が挙げられるが、熱硬化性樹脂と比較し成形性に乏しい。これを踏まえ、低誘電正接を示す熱硬化性樹脂の開発が望まれている。
【０００４】
このような背景を受けて、低誘電正接を示す熱硬化性樹脂が検討されている。例えば、特許文献１ではマレイミド樹脂とプロペニル基含有フェノール樹脂を含む組成物が提案されている。しかしながら、一方で硬化反応時に反応に関与しないフェノール性水酸基が残存するため、電気特性が十分とは言えない。また特許文献２では水酸基をアリル基で置換したアリルエーテル樹脂が開示されている。しかしながら、１９０℃においてクライゼン転位が起こることが示されており、一般的な基板の成型温度である２００℃においては、硬化反応に寄与しないフェノール性水酸基が生成することから電気特性を満足できるものではない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
プリント基板上高速信号伝送における信号損失要因（三井金属鉱業株式会社）第２９回エレクトロニクス実装学会春季公演大会１６Ｐ１－１７
【特許文献】
【０００６】
特開平０４－３５９９１１号公報
国際公開２０１６／００２７０４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さらに、近年は初期値だけでなく長期間にわたって誘電特性に優れることが求められており、具体的には高温放置や吸水試験後においても誘電特性に優れることが求められていている。
【０００８】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、低誘電正接を示す硬化性樹脂組成物及びその硬化物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち本発明は、下記［１］～［５］に関する。なお、本願において「（数値１）～（数値２）」は上下限値を含むことを示す。
［１］
下記式（１）で表される化合物と、分子内にエチレン性不飽和二重結合を１つ有する化合物とを含有する硬化性樹脂組成物。
TIFF
2024163299000001.tif
31
170
（式（１）中、複数存在するＲはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または炭素数１～１０のハロゲン化アルキル基を表す。ｐ、ｒは０～４の整数、ｑは０～３の整数を表し、ｎは繰り返し数の平均値であり、１≦ｎ≦２０である。）
［２］
前記分子内にエチレン性不飽和二重結合を１つ有する化合物が分子内にマレイミド構造を有する化合物またはアセナフチレン構造を有する化合物である、前項［１］に記載の硬化性樹脂組成物。
［３］
さらに、重合開始剤を含有する、前項［１］または［２］に記載の硬化性樹脂組成物。
［４］
さらに、分子内に２つ以上のマレイミド基を有するマレイミド化合物、ポリフェニレンエーテル化合物、分子内に２つ以上のエチレン性不飽和結合を有する化合物、シアネートエステル樹脂、ポリブタジエンおよびこの変性物、ポリスチレンおよびこの変性物、ポリエチレンおよびこの変性物、からなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含有する、前項［１］から［３］のいずれか一項に記載の硬化性樹脂組成物。
［５］
前項［１］から［４］のいずれか一項に記載の硬化性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の硬化性樹脂組成物およびその硬化物は低誘電正接を示す。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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