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公開番号2024149388
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-18
出願番号2024022945
出願日2024-02-19
発明の名称樹脂組成物
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C08L 63/00 20060101AFI20241010BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】反りを抑制でき、導体層との密着強度に優れ、且つ低誘電正接である硬化物を得ることができる樹脂組成物の提供。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)エポキシ樹脂硬化剤、(C)マレイミド樹脂、及び(D)ダイマー酸由来の炭素骨格を有する高分子樹脂、を含む樹脂組成物であって、(D)成分に対する(C)成分の質量比((C)成分の含有量/(D)成分の含有量)が、0.3より大きい、樹脂組成物。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）マレイミド樹脂、及び（Ｄ）ダイマー酸由来の炭素骨格を有する高分子樹脂、を含む樹脂組成物であって、
（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ｄ）成分の含有量）が、０．３より大きい、樹脂組成物。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
（Ｃ）成分が、ダイマー酸由来の炭素骨格を有するマレイミド樹脂、インダン骨格を有するマレイミド樹脂、及びビフェニル骨格を有するマレイミド樹脂から選ばれるマレイミド樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）が、５，０００未満である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ａ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ａ）成分の含有量）が、０．０５以上である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ａ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ａ）成分の含有量）が、０．３以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）成分が、ダイマー酸由来の炭素骨格を有するポリイミド樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
（Ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）が、５，０００以上である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｄ）成分が、フェノール性水酸基をさらに有する、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ｄ）成分の含有量）が、１以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
（Ｂ）成分が、カルボジイミド系硬化剤を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 3,100 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の製造技術として、絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。ビルドアップ方式による製造方法において、一般に、絶縁層は、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を硬化させて形成される。
【０００３】
プリント配線板の絶縁層には伝送損失低減のため低誘電正接が求められている。また、プリント配線板の絶縁層には、反りの抑制や、導体層との高い密着性も求められている。これまでに、マレイミド樹脂やダイマー酸由来の高分子樹脂を含有させた樹脂組成物が知られている（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第７１９４３１３号公報
特許第７１９６２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、反りを抑制でき、導体層との密着強度に優れ、且つ低誘電正接である硬化物を得ることができる樹脂組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の課題を達成すべく、本発明者らは鋭意検討した結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）マレイミド樹脂、及び（Ｄ）ダイマー酸由来の炭素骨格を有する高分子樹脂、を含む樹脂組成物であって、（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ｄ）成分の含有量）が、０．３より大きい、樹脂組成物を用いることにより、反りが抑制され、導体層との密着強度に優れ、且つ低誘電正接である硬化物を得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）マレイミド樹脂、及び（Ｄ）ダイマー酸由来の炭素骨格を有する高分子樹脂、を含む樹脂組成物であって、
（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ｄ）成分の含有量）が、０．３より大きい、樹脂組成物。
［２］（Ｃ）成分が、ダイマー酸由来の炭素骨格を有するマレイミド樹脂、インダン骨格を有するマレイミド樹脂、及びビフェニル骨格を有するマレイミド樹脂から選ばれるマレイミド樹脂を含む、上記［１］に記載の樹脂組成物。
［３］（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）が、５，０００未満である、上記［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］（Ａ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ａ）成分の含有量）が、０．０５以上である、上記［１］～［３］の何れかに記載の樹脂組成物。
［５］（Ａ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ａ）成分の含有量）が、０．３以下である、上記［１］～［４］の何れかに記載の樹脂組成物。
［６］（Ｄ）成分が、ダイマー酸由来の炭素骨格を有するポリイミド樹脂を含む、上記［１］～［５］の何れかに記載の樹脂組成物。
［７］（Ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）が、５，０００以上である、上記［１］～［６］の何れかに記載の樹脂組成物。
［８］（Ｄ）成分が、フェノール性水酸基をさらに有する、上記［１］～［７］の何れかに記載の樹脂組成物。
［９］（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ｄ）成分の含有量）が、１以下である、上記［１］～［８］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１０］（Ｂ）成分が、カルボジイミド系硬化剤を含む、上記［１］～［９］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１１］（Ｂ）成分が、活性エステル系硬化剤を含む、上記［１］～［１０］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１２］（Ｂ）成分が、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤を含む、上記［１］～［１１］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１３］（Ｅ）ダイマー酸由来の炭素骨格を有しない高分子樹脂をさらに含む、上記［１］～［１２］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１４］（Ｅ）成分が、ポリブタジエン構造、ポリカーボネート構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、イミド構造、及びポリシロキサン構造からなる群から選択される１以上の構造を有する、上記［１３］に記載の樹脂組成物。
［１５］（Ｅ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）が、５，０００以上である、上記［１３］又は［１４］に記載の樹脂組成物。
［１６］（Ｅ）成分の数平均分子量（Ｍｎ）が、５，０００以上である、上記［１３］～［１５］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１７］（Ｆ）無機充填材をさらに含む、上記［１］～［１６］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１８］（Ｆ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、４０質量％以上である、上記［１７］に記載の樹脂組成物。
［１９］ＪＩＳＫ７１２７に準拠して引張強度測定を行った場合、樹脂組成物の硬化物の破断点強度が、６０ＭＰａ以上であり、樹脂組成物の硬化物の破断点伸度が、０．５％以上であり、樹脂組成物の硬化物の弾性率が、２０ＧＰａ以下である、上記［１］～［１８］の何れかに記載の樹脂組成物。
［２０］樹脂組成物の硬化物の誘電正接（Ｄｆ）が、１０ＧＨｚ、２５℃で測定した場合、０．００４０以下である、上記［１］～［１９］の何れかに記載の樹脂組成物。
［２１］樹脂組成物の硬化物の比誘電率（Ｄｋ）が、１０ＧＨｚ、２５℃で測定した場合、３．５以下である、上記［１］～［２０］の何れかに記載の樹脂組成物。
［２２］上記［１］～［２１］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物。
［２３］支持体と、当該支持体上に設けられた上記［１］～［２１］の何れかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［２４］上記［１］～［２１］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を備えるプリント配線板。
［２５］上記［２４］に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の樹脂組成物によれば、反りが抑制され、導体層との密着強度に優れ、且つ低誘電正接である硬化物を得ることが可能である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明について実施形態及び例示物を示して説明する。ただし、本発明は、下記に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施され得る。
【００１０】
＜樹脂組成物＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）マレイミド樹脂、及び（Ｄ）ダイマー酸由来の炭素骨格を有する高分子樹脂、を含む樹脂組成物であって、（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ｄ）成分の含有量）が、０．３より大きい。このような樹脂組成物によれば、反りが抑制され、導体層との密着強度に優れ、且つ低誘電正接である硬化物を得ることが可能である。
（【００１１】以降は省略されています）

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