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公開番号2024133414
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-01
出願番号2024118783,2024509790
出願日2024-07-24,2023-01-19
発明の名称仮固定用組成物
出願人デンカ株式会社
代理人アクシス国際弁理士法人
主分類C08F 2/46 20060101AFI20240920BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】電子デバイスの製造におけるスピンコート工程での気泡混入の低減。
【解決手段】下記(A)～(C)を含有し、回転式レオメーターにより測定する23℃かつせん断速度が1s^-1における粘度が大気圧下で500～10000mPa・sの範囲であることを特徴とする仮固定用組成物。
(A)23℃におけるペンダントドロップ法によるds/de法で測定する表面張力が、20～30mN/mの範囲である単官能(メタ)アクリレート
(B)回転式レオメーターにより測定する23℃かつせん断速度が1s^-1における粘度が大気圧下で1000mPa・s以上であるか、23℃において固体であるか、又は、分子量500以上でありかつ回転式レオメーターにより測定する23℃かつせん断速度が1s^-1における粘度が大気圧下で100mPa・s以上1000mPa・s未満である多官能(メタ)アクリレート
(C)光ラジカル重合開始剤
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記（Ａ）～（Ｃ）を含有し、回転式レオメーターにより測定する２３℃かつせん断速度が１ｓ
-1
における粘度が大気圧下で５００～１００００ｍＰａ・ｓの範囲であることを特徴とする仮固定用組成物。
（Ａ）２３℃におけるペンダントドロップ法によるds/de法で測定する表面張力が、２０～３０ｍＮ／ｍの範囲である単官能(メタ)アクリレート
（Ｂ）回転式レオメーターにより測定する２３℃かつせん断速度が１ｓ
-1
における粘度が大気圧下で１０００ｍＰａ・ｓ以上であるか、２３℃において固体であるか、又は、分子量５００以上でありかつ回転式レオメーターにより測定する２３℃かつせん断速度が１ｓ
-1
における粘度が大気圧下で１００ｍＰａ・ｓ以上１０００ｍＰａ・ｓ未満である多官能(メタ)アクリレート
（Ｃ）光ラジカル重合開始剤
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比において、（Ａ）成分の量が５～６５％の範囲である、
請求項１に記載の仮固定用組成物。
【請求項３】
（Ａ）成分が脂肪族単官能(メタ)アクリレートである、請求項１又は２に記載の仮固定用組成物。
【請求項４】
（Ａ）成分の脂肪族基の炭素数が、６以上３０以下である、請求項３に記載の仮固定用組成物。
【請求項５】
（Ｂ）成分がオリゴマー若しくはポリマーを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の仮固定用組成物。
【請求項６】
更に下記（Ｄ）を含有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の仮固定用組成物。
（Ｄ）ＵＶ吸収剤
【請求項７】
請求項１～６のいずれか一項に記載の仮固定用組成物の硬化体。
【請求項８】
窒素雰囲気下において、２％質量減少温度が３００℃以上である請求項７に記載の硬化体。
【請求項９】
電子デバイス用基板の製造方法であって、
単官能(メタ)アクリレートと、多官能(メタ)アクリレートと、光ラジカル重合開始剤とを混合し、２３℃における粘度が５００～１００００ｍＰａ・ｓの範囲である組成物を調製するステップと、
調製した組成物を、スピンコート法によりシリコンウエハ上に塗布し、塗布された組成物の表面が、４０μｍ以下の高低差しか有しない平坦さになるようにするステップと、
塗布された組成物を挟むように、前記シリコンウエハに支持体を接着するステップと
を含む製造方法。
【請求項１０】
請求項１～６のいずれか一項に記載の仮固定用組成物を含む、仮固定用接着剤。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮固定に用いる組成物に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造にあたっては、シリコンに代表される無機系の材料を基板として用い、その表面への絶縁膜形成、回路形成、研削による薄化等の加工を施すことで得られた、厚さ数百μｍ程度のウエハ型の基板がよく用いられる。しかし基板には脆くて割れやすい材質のものが多いため、特に研削による薄化に際しては破損防止措置が必要である。この措置には、従来、研削対象面の反対側の面（裏面ともいう）に、加工工程終了後に剥離することが可能な、仮固定用保護テープを貼るという方法が採られている。このテープは、有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不充分であり、高温となる工程での使用には適さない。
【０００３】
そこで、電子デバイス用基板をシリコンやガラス等の支持体に接着剤を介して接合することによって、裏面研削や裏面電極形成の工程の条件に対する充分な耐久性を付与するシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着剤層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの充分な耐久性が必要であり、最後に薄化したウエハを支持体から簡便に剥離できる、即ち仮固定ができることが必要である。
【０００４】
このようなウエハの加工では主に、スピンコート工程、真空接合と光硬化工程、研削・研磨による薄化加工、高温処理工程、レーザー剥離工程、仮固定剤の除去工程が行われる。
【０００５】
スピンコート工程では、仮固定剤の膜をウエハ上に均一に形成できるようにするために、仮固定剤が適した粘度を有すること及びニュートン流体であること（又はせん断粘度のせん断速度非依存性を持つこと）が求められる。
【０００６】
真空接合／ＵＶ硬化工程では、ガラス等の支持体上で短時間に紫外線（ＵＶ）等光照射による硬化ができること、及びアウトガス発生が少ないこと（低アウトガス性）が仮固定剤に求められる。
【０００７】
研削・研磨による薄化加工工程では、研削機の荷重が基板に局所的に掛かることによる破損を避けるため、荷重を面内方向に分散させつつ基板の局所的な沈下を防いで平面性を保てる適度な硬度が仮固定剤に求められる。さらに加えて、支持体との接着力、エッジを保護するための弾性率の適度な高さ、及び耐薬品性も求められることになる。
【０００８】
高温処理工程では、真空中での長時間に亘る高温処理（例えば300℃以上で一時間以上）に耐えうる耐熱性が仮固定剤に求められる。
【０００９】
レーザー剥離工程では、ＵＶレーザー等のレーザーにより、高速に剥離できることが仮固定剤に求められる。
【００１０】
除去工程では、基板を支持体から簡便に剥離できる易剥離性のほか、剥離後に基板上に接着剤の残渣が残らないための凝集特性、易洗浄性が求められる。
（【００１１】以降は省略されています）

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