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公開番号
2024093966
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-07-09
出願番号
2022210641
出願日
2022-12-27
発明の名称
積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法
出願人
太陽誘電株式会社
代理人
個人
主分類
H01G
4/30 20060101AFI20240702BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】 耐電圧を向上させることができる積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 積層セラミック電子部品は、複数の誘電体層11と複数の内部電極層12とが積層された積層部分を含む素体と、素体10の表面に設けられた1対の外部電極20a,20bと、を備え、一方の外部電極に電気的に接続された内部電極層12と他方の外部電極に電気的に接続された内部電極層12とが互いに対向する容量部14において、中心部141における誘電体粒子40の平均径dが、中心部141の外側の外周部142の少なくとも一部における誘電体粒子40の平均径Dよりも小さい。
【選択図】 図5
特許請求の範囲
【請求項1】
複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む素体と、
前記素体の表面に設けられた1対の外部電極と、を備え、
一方の前記外部電極に電気的に接続された前記内部電極層と他方の前記外部電極に電気的に接続された前記内部電極層とが互いに対向する容量部において、中心部における誘電体粒子の平均径dが、前記中心部の外側の外周部の少なくとも一部における誘電体粒子の平均径Dよりも小さい、積層セラミック電子部品。
続きを表示(約 930 文字)
【請求項2】
前記平均径dおよび前記平均径Dは、1.05≦D/d<2を満たす、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項3】
前記平均径dおよび前記平均径Dは、125nm以上250nm以下である、請求項1または請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項4】
前記複数の誘電体層は、一般式ABO
3
で表されるペロブスカイト構造を有し、A/B比が0.90以上0.98以下である、請求項1または請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項5】
前記複数の誘電体層は、チタン酸バリウムを含む請求項1または請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項6】
前記複数の内部電極層は、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金である請求項1または請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項7】
一般式ABO
3
で表されるペロブスカイト構造を有する主材料粉末にBサイト固溶元素を添加し、A/B比が0.90以上0.98以下となるように配合して得られたスラリを塗工してセラミックグリーンシートを得る工程と、
前記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する工程と、
前記内部電極パターンを形成した前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を得る工程と、
前記積層体を酸素分圧下10
-5
~10
-8
atm、温度範囲1150℃~1250℃で焼成して素体を得る工程と、
前記素体に外部電極を形成する工程と、を含む積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項8】
前記Bサイト固溶元素は、チタンまたはジルコニウムの少なくとも一つである請求項7に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項9】
前記外部電極を形成する工程は、前記積層体に外部電極ペーストを塗布する工程と、
前記積層体および前記外部電極ペーストを同時に焼成する工程と、を含む請求項7または請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)
【背景技術】
【0002】
携帯電話を代表とする高周波通信用システムなどにおいて、ノイズを除去するために、積層セラミックコンデンサ(MLCC:Multi-Layer ceramic capacitor)が用いられている(例えば、特許文献1,2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2008-258468号広報
特開2014-150240号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、電子回路基板に実装される積層セラミックコンデンサの大容量化のニーズが増している。積層セラミックコンデンサにおいて静電容量を上げるためには、誘電体層を薄層かつ多積層にし、誘電体粒子径を大きくすることが望まれる。しかしながら、誘電体層を薄層化して粒子径を大きくすると、誘電体層一層あたりの粒子数が少なくなり、絶縁抵抗の低下や耐電圧の低下などの積層セラミックコンデンサの信頼性悪化が懸念される。したがって誘電体粒子径の構造制御が極めて重要になってきている。
【0005】
例えば、特許文献1では、内部電極層の周辺部分近傍の誘電体粒子の平均粒径を、内部電極層の中央部分近傍の誘電体粒子と比較して小さくすることで、ショート不良や信頼性不良の発生を抑制する技術が提案されている。特許文献2では、内部電極層間の誘電体最外層と中心部、それらの中間の誘電体粒子の粒子径を特殊な分布にすることで、CR積を改善させる技術が提案されている。
【0006】
しかしながら、これらはいずれも中央部の誘電体粒子を大きくする技術であり、耐電圧が低くなってしまうという課題がある。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐電圧を向上させることができる積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係る積層セラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む素体と、前記素体の表面に設けられた1対の外部電極と、を備え、一方の前記外部電極に電気的に接続された前記内部電極層と他方の前記外部電極に電気的に接続された前記内部電極層とが互いに対向する容量部において、中心部における誘電体粒子の平均径dが、前記中心部の外側の外周部の少なくとも一部における誘電体粒子の平均径Dよりも小さい。
【0009】
上記積層セラミック電子部品において、前記平均径dおよび前記平均径Dは、1.05≦D/d<2を満たしてもよい。
【0010】
上記積層セラミック電子部品において、前記平均径dおよび前記平均径Dは、125nm以上250nm以下であってもよい。
(【0011】以降は省略されています)
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